Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

- результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>K=дифракция быстрых отраженных электронов<.>)

Общее количество найденных документов : 1

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Терентьев Я. В., Торопов А. А., Мельцер Б. Я., Семенов А. Н., Соловьев В. А., Седова И. В., Усикова А. А., Иванов С. В.
Заглавие : Инжекция спина в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/GaSb
Серия: Низкоразмерные системы
Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 205-209: ил. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222
Примечания : Библиогр.: с. 208-209 (7 назв. )
УДК : 539.2 + 535.37
ББК : 22.37 + 22.345
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Люминесценция
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): квантовые ямы--gaas/gasb--молекулярно-пучковая эпитаксия--мпэ--метод молекулярно-пучковой эпитаксии--квантовые точки--кт--гетероструктуры--дифракция быстрых отраженных электронов--дбоэ--просвечивающая электронная микроскопия--пэм--метод просвечивающей электронной микроскопии--фотолюминесценция--фл--циркулярно-поляризованная фотолюминесценция--магнитные поля--векторы магнитных полей--поляризация--инжекция спина--спиновая инжекция--спиновая ориентация--зеемановское расщепление--радиационное время жизни носителей--эффект зеемана--зеемана эффект
Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены гетероструктуры с квантовыми точками типа II GaAs/GaSb. Исследована циркулярно-поляризованная фотолюминесценция образцов в магнитном поле до 4. 7 Тл, приложенном в геометрии Фарадея. Обнаружено, что в магнитном поле излучение квантовых точек имеет sigma-поляризацию, соответствующую проекции спина электрона на вектор магнитного поля +1/2. При увеличении интенсивности возбуждения степень поляризации излучения растет. Обнаруженный эффект объясняется инжекцией спина из матрицы GaSb, в которой спиновая ориентация возникает благодаря зеемановскому расщеплению зоны проводимости. Рост степени поляризации связан с уменьшением радиационного времени жизни носителей в квантовых точках типа II при увеличении уровня возбуждения.
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 06.07.2024
Число запросов	82265
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)