Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:БД "Книги" (2)БД "Статьи" (20)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=выращивание кристаллов<.>)
Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Смирнов Ю. М.
Заглавие : Кристаллофизика - теория и эксперимент
Серия: Кристаллофизика
Место публикации : Вестник Тверского государственного университета. - 2007. - N 6 (Физика). - С. С. 51-61
Примечания : Библиогр.: с. 61 (4 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кристаллофизика--прикладная физика--монокристаллы--выращивание кристаллов
Аннотация: Анализ итогов теоретических и экспериментальных разработок, реализуемых кристаллофизиками Тверского государственного университета.
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Филиппов М. М., Бабушкин Ю. В., Грибенюков А. И., Гинсар В. Е.
Заглавие : Система управления многозонной термической установкой для выращивания кристаллов по методу Бриджмена
Серия: Управление, вычислительная техника и информатика
Место публикации : Известия Томского политехнического университета. - 2010. - Т. 316, N 5 : Управление, вычислительная техника и информатика. - С. 146-151: ил. (Шифр itpu/2010/316/5)
Примечания : Библиогр.: с. 150-151 (5 назв. ).
УДК : 681.5
ББК : 32.81
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Кибернетика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): системы управления--многозонные термические установки--выращивание кристаллов--метод бриджмена--бриджмена метод--температурное поле--системы автоматического регулирования
Аннотация: Представлено описание системы автоматического регулирования многозонной термической установкой для выращивания монокристаллов методом Бриджмена в вертикальном варианте. Показаны результаты внедрения и апробации предлагаемой системы.
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Верхозубова, Галина Александровна, Филиппов, Максим Михайлович, Грибенюков, Александр Иванович, Трофимов, Андрей Юрьевич, Окунев, Алексей Олегович, Стащенко, Владимир Александрович
Заглавие : Исследование эволюции структурных дефектов в монокристаллах ZnGeP[2], выращенных методом Бриджмена
Серия: Математика и механика. Физика
Место публикации : Известия Томского политехнического университета. - 2012. - Т. 321, № 2 : Математика и механика: Физика. - С.121-128: ил. - ISSN 1684-8519 (Шифр itpu/2012/321/2). - ISSN 1684-8519
Примечания : Библиогр.: с. 127-128 (22 назв.)
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структурные дефекты--монокристаллы--метод бриджмена--бриджмена метод--результаты исследований--рентгеновская топография--эффект бормана--бормана эффект--продольные срезы--поперечные срезы--численные оценки--кристаллизация--кристаллы--выращивание кристаллов--топографические исследования
Аннотация: Представлены результаты исследований структурных дефектов в монокристалле ZnGeP[2], выращенном методом Бриджмена в вертикальном варианте. Методом рентгеновской просвечивающей топографии на основе эффекта Бормана исследованы продольный срез и три поперечных среза монокристалла. Обнаружено различие структур дефектов в начальной, срединной и концевой частях кристалла. Приведены численные оценки поведения фронта кристаллизации в процессе выращивания кристалла. Получено хорошее соответствие численных оценок и результатов топографических исследований.
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Шульпина И. Л., Захаров Б. Г., Парфеньев Р. В., Фарбштейн И. И., Серебряков Ю. А., Прохоров И. А.
Заглавие : Некоторые результаты выращивания кристаллов полупроводников в условиях микрогравитации : (к 50-летию полета Ю. А. Гагарина в космос)
Серия: Полупроводники
Место публикации : Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 7. - С.1264-1268. - ISSN 0367-3294 (Шифр phtt/2012/54/7). - ISSN 0367-3294
Примечания : Библиогр.: с. 1268 (18 назв. )
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кристаллы--выращивание кристаллов--полупроводники--микрогравитация--космические аппараты
Аннотация: Кратко описана история выращивания кристаллов полупроводников на борту космических аппаратов и их последующего исследования. На примере кристаллов Ge (Ga), GaSb (Si), GaSb (Te) показано, что при их рекристаллизации вертикальным методом Бриджмена в условиях физического моделирования микрогравитации на Земле удается избежать формирования сегрегационных полос роста, главным образом за счет существенного ослабления термогравитационной конвекции. По своей структуре и распределению примеси они приближаются к выращенным в космосе. Исследование рекристаллизации Te позволило определить роль характерного для условий микрогравитации "эффекта отрыва" и особенности микроструктуры образцов, кристаллизующихся со "свободной" поверхностью. Анализ результатов экспериментов в космосе позволяет лучше понять процессы, происходящие при кристаллизации расплавов, и совершенствовать наземную технологию выращивания кристаллов.
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Амано, Хироши
Заглавие : Выращивание кристалла CaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла CaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком
Серия: Нобелевские лекции по физике - 2014
Место публикации : Успехи физических наук. - 2016. - Т. 186, № 5. - С.518-523: 5 рис. - ISSN 0042-1294 (Шифр upna/2016/186/5). - ISSN 0042-1294
Примечания : Библиогр.: с. 522-523 (62 назв.)
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): лауреаты нобелевской премии--нобелевские лекции--синие светодиоды--кристаллы--нитриды--нитрид галлия--can--can p-типа--ingan--выращивание кристаллов--сапфиры--сапфировая подложка--низкотемпературный буферный слой--метод низкотемпературного осаждения--допирование магнием--низкоэнергетические электронные пучки
Аннотация: История разработки методов роста кристаллов нитрида галлия на сапфировой подложке, проложившей путь к развитию "умного" телевидения и систем отображения с использованием синих светодиодов. Предпосылки данной работы и процесс создания технологии, позволяющей выращивать кристаллы GaN и получать кристаллы GaN p-типа.
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Накамура, Шуджи
Заглавие : История изобретения эффективных синих светодиодов на основе InGaN
Серия: Нобелевские лекции по физике - 2014
Место публикации : Успехи физических наук. - 2016. - Т. 186, № 5. - С.524-536: 17 рис. - ISSN 0042-1294 (Шифр upna/2016/186/5). - ISSN 0042-1294
Примечания : Библиогр.: с. 535-536 (49 назв.)
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): лауреаты нобелевской премии--нобелевские лекции--изобретения--синие светодиоды--эффективные синие светодиоды--белый свет--источники белого света--нитриды--нитрид галлия--gan--нитрид индия галлия--ingan--кристаллы--выращивание кристаллов--технологии выращивания кристаллов
Аннотация: Значение изобретения синих светодиодов как высокоэффективных источников белого света. История развития светодиодов на основе нитрида индия галлия (InGaN). Свойства материала InGaN.
Найти похожие

 
Статистика
за 31.07.2024
Число запросов 52153
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)