Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Труды АМГУ - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:БД "Книги" (2)БД "Статьи" (6)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=ТГС<.>)
Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 11
1.


   
    Пироэффект в кристаллах ТГС в условиях сильного нагрева мощным световым потоком [Ксерокопия] / П. И. Кушнарев , А. Г. Масловская // Региональная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых по физике : тез. докл. - Владивосток : Изд-во Дальневост. гос. ун-та, 2004. - С. 74-75


Доп.точки доступа:
Масловская, А.Г.; Кушнарев, П.И.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

2.


    Клейменов, П. А.
    Релаксационные процессы в кристаллах ТГС, облученных электронами в РЭМ [Текст] / П. А. Клейменов, С. И. Попов, А. А. Согр // Физика и химия твердого тела : регион. шк. - симп. 15-16 сент. 2003 г.: тез. докл. / ред. С. В. Ланкин. - Благовещенск, 2003. - С. 35-36


Доп.точки доступа:
Попов, С.И.; Согр, А.А.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

3.


    Копылова, И. Б.
    Процессы релаксации заряда в облученных кристаллах триглицинсульфата [Текст] / И. Б. Копылова // Вестник Амурского государственного университета. - 2007. - Вып. 37 : Сер. Естеств. и экон. науки. - С. 22-23. - Ил.: 4 рис., 1 табл.
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
триглицинсульфат -- ТГС -- сегнетоэлектрики -- поляризация -- кристаллы -- облучение -- облучение кристаллов -- заряды -- петли гистерезиса -- гистерезиса петли -- ТСТ -- термостимулированные токи -- точка Кюри -- Кюри точка
Аннотация: Триглицинсульфат (ТГС) относится к группе органических сегнетоэлектриков. Воздействие различных видов излучения, в частности воздействие электронов, приводит к образованию дефектной структуры, которая значительно влияет на свойства кристалла.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

4.


    Стукова, Е. В.
    Поведение ТГС в пористых наноразмерных матрицах [Ксерокопия] / Е. В. Стукова, С. В. Барышников // Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование : материалы докл. 5 регион. науч. конф. Хабаровск, 25-27 окт. 2005 г. - Хабаровск : Изд-во Тихоокеан. гос. ун-та, 2005. - С. 37-38


Доп.точки доступа:
Барышников, С. В.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)

Найти похожие

5.
   А
   К96


    Кушнарев, П. И.
    Диэлектрические и пироэлектрические свойства униполярных кристаллов ТГС [Текст] : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07-физика конденсированного состояния / П. И. Кушнарев ; АмГУ. - Благовещенск, 2009. - 19 с. : рис. -
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристалография в целом

Кл.слова (ненормированные):
униполярные кристаллы ТГС -- диэлектрические свойства -- пироэлектрические свойства


Доп.точки доступа:
Амурский государственный университет
Экземпляры всего: 1
н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)
Найти похожие

6.
   Н
   М75


    Кушнарев, П. И.
    Пироэлектрические исследования релаксационных эффектов в монокристаллах ТГС [Текст] / П. И. Кушнарев // Молодежь XXI века: шаг в будущее / Дальневост. высш. военное командное училище им. К.К. Рокоссовского. - Благовещенск : Зея, 2005. - Т. 4. - С. 49-51
ББК 94


Доп.точки доступа:
Дальневосточное высшее военное командное училище им. К.К. Рокоссовского
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)

Найти похожие

7.


   
    Полярные свойства номинально чистых поляризованных кристаллов ТГС [Текст] / П. И. Кушнарев, А. Г. Масловская, С. В. Барышников // Известия высших учебных заведений. Физика. - 2011. - Т. 54, N 1. - С. 78-82
РУБ ВАК


Доп.точки доступа:
Масловская, А.Г.; Барышников, С. В.; Кушнарев, П.И.

Найти похожие

8.


   
    Пироэлектрический эффект в кристаллах ТГС при сильном облучении [Текст] / А. Г. Масловская, П. И. Кушнарев, Л. Г. Колотова // Тезисы докладов ХVII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков : сб. - Пенза, 2005. - С. 66


Доп.точки доступа:
Кушнарев, П. И.; Колотова, Л. Г.; Масловская, А. Г.

Найти похожие

9.


   
    Процесс переполяризации сегнетоэлектрического кристалла ТГС в инжекционном режиме [Текст] / А. Г. Масловская, И. Б. Копылова, П. И. Кушнарев // Физика диэлектриков : материалы ХI междунар. науч. конф. - СПб., 2008. - С. 75-78


Доп.точки доступа:
Копылова, И. Б.; Кушнарев, П. И.; Масловская, А.Г.

Найти похожие

10.


   
    Полярные свойства номинально чистых поляризованных кристаллов ТГС [Текст] / А. Г. Масловская, П. И. Кушнарев, С. В. Барышников // ХVIII Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков : сб. тез. докл. - СПб. : Изд-во СПБГТУ "ЛЭТИ", 2008. - С. 273


Доп.точки доступа:
Кушнарев, П. И.; Барышников, С. В.; Масловская, А.Г.

Найти похожие

11.


    Бадяй, Дмитрий Владимирович.
    Использование модели Джилла-Атертона для определения параметров облученного электронами кристалла ТГС [Текст] / Д. В. Бадяй, И. Б. Копылова // Вестник Амурского государственного университета. - 2018. - Вып. 81 : Сер. Естеств. и экон. науки. - С. 34-37


Доп.точки доступа:
Копылова, Ирина Борисовна

Найти похожие

 
Статистика
за 18.07.2024
Число запросов 44449
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)