22.37 Ч-92 Чупрунов, Е. В. Кристаллография [Текст] : Учеб.: Рек. Мин. обр. Рф / Е.В. Чупрунов, А.Ф. Хохлов, М.А. Фадеев. - М. : Физматлит, 2000. - 496 с. - ISBN 5940520200 : 60.00 р. Рубрики: Кристаллография Кл.слова (ненормированные): кристаллография -- кристаллическое пространство -- симметрия твердых тел -- кристаллохимия Доп.точки доступа: Хохлов, А.Ф.; Фадеев, М.А. Экземпляры всего: 1 аб. (1) Свободны: аб. (1) |
22.37 Б26 Барышников, С. В. Влияние электронной подсистемы на сегнетоэлектрические свойства кристаллов [Текст] : препринт / С.В. Барышников, Ю.Т. Левицкий. - Благовещенск : [б. и.], 1996. - 22 с. -
Рубрики: Кристаллография Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектрики -- сегнетоэлектрическое искажение Доп.точки доступа: Левицкий, Ю.Т. кх. Свободных экз. нет |
22.34 Г68 Горелик, Семен Самуилович. Рентгенографический и электронно-оптический анализ [Текст] : учеб. пособие: Рек. УМО по обр. в обл. металлургии / С. С. Горелик, Ю. А. Скаков, Л. Н. Расторгуев. - 4-е изд., перераб. и доп. - М. : МИСИС, 2002. - 359 с. : ил. - Библиогр.: с. 357. - ISBN 5-87623-096-0 (в пер.) : 287.50 р. Прил.: с. 257 Рубрики: Кристаллография Рентгенография Кл.слова (ненормированные): рентгеновская техника -- рентгенограммы, расчет -- рентгеноструктурный анализ -- электронография -- электронная микроскопия -- спектральный анализ Доп.точки доступа: Скаков, Ю.А.; Расторгуев, Л.Н. Экземпляры всего: 3 ч.з. (1), аб. (2) Свободны: ч.з. (1), аб. (2) |
22.37 А91 Астапова, Елена Степановна. Основы кристаллографии [Текст] : учеб. пособие / Е. С. Астапова ; АмГУ. ИФФ. - Благовещенск : Изд-во Амур. гос. ун-та, 2005. - 92 с. : ил. - 30.00 р., 30.00 р. Рубрики: Кристаллография Кл.слова (ненормированные): кристаллография, предмет -- проектирование кристаллов, методы -- обозначения Браве -- обозначения Шенфлиса -- закон Гаюи -- морфология кристаллов -- простые формы кристаллов -- физика кристаллов Доп.точки доступа: АмГУ. ИФФ Экземпляры всего: 24 аб. (24), кх. Свободны: аб. (24) |
22.37 Л42 Лейтвейн, Фридрих. Кристаллография [Текст] : [учеб. пособие] / Ф. Лейтвейн, Ш. Зоммер-Кулачевски ; Сокр. пер. с нем. М. А. Кирсанова. - М. : Высш. шк., 1968. - 378 с. : рис. - (в пер.) : 1.92 р. Рубрики: Кристаллография Кл.слова (ненормированные): Кристаллография -- Кристаллооптика -- Кристаллография, геометрическая -- Кристаллография, химическая -- Кристаллография, физическая Доп.точки доступа: Зоммер-Кулачевски, Шарлотта; Кирсанова, М.А. \сокр. пер. с нем.\ Экземпляры всего: 1 ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
22.37 К82 Кристаллизация и фазовые превращения [Текст] : [сб.] / [ред.] Н. Н. Сирота. - Минск : Наука и техника, 1971. - 356 с. - (в пер.) : Рубрики: Кристаллография Кл.слова (ненормированные): КРИСТАЛЛИзация -- переходы фазовые -- кристаллизация полупроводников -- кристаллизация, превращения Доп.точки доступа: Сирота, Н.Н. \[ред.].\ ч.з. Свободных экз. нет |
22.37 К82 Кристаллы. Рост, структура, свойства [Текст] : сб. науч. трудов. - М. : Наука, 1993. - 272 с. - (Проблемы современной кристолографии). - ISBN 5-02-006996-5 (в пер.) : 1300.00 р. К пятидесятилетию Института кристолографии РАН Рубрики: Кристаллография Кл.слова (ненормированные): кристаллы, история -- КРИСТАЛЛЫ, симметрия -- КРИСТАЛЛЫ, рост Экземпляры всего: 1 аб. (1) Свободны: аб. (1) |
22.37 Е30 Егоров-Тисменко, Юрий Клавдиевич. Кристаллография [Текст] : учеб.: рек. Мин. обр. РФ / Ю. К. Егоров-Тисменко, Г. П. Литвинская, Ю. Г. Загальская ; Под ред. В. С. Урусова. - М. : Изд-во Моск. ун-та, 1992. - 288 с. : рис. - Библиогр.: с. 274 . - Предм. указ.: с. 275. - ISBN 5-211-02377-3 (в пер.) : 3500.00 р. Рубрики: Кристаллография Кл.слова (ненормированные): кристаллы, симметрия -- кристаллы, грани и ребра -- кристаллы, простые формы -- кристаллохимия основы -- кристаллы, физические свойства Доп.точки доступа: Литвинская, Г.П.; Загальская, Ю.Г.; Урусов, В.С. \под ред.\ Экземпляры всего: 1 ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
А В17 Ванина, Елена Александровна. Самоорганизация и упорядочение в оксидных и силикатных системах [Текст] : дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук : 01.04.07 : защищена 05.12.2006 : утв. 05.02.2007 / Е. А. Ванина ; Амур. гос. ун-т. - Благовещенск, 2006. - 195 с. : рис., табл. - (в пер.)
Рубрики: Кристаллография Кл.слова (ненормированные): лазерные кристаллы, облучение -- керамические материалы, нейтронное облучение -- оксидная керамика, фазовые переходы Аннотация: Цель работы: изучение процессов в функциональных материалах, работающих в неравновесных условиях. Исследование различных по составу материалов и соединений в экстремальных условиях. Объекты исследования: корундовая керамика МК (микролит), 22ХС, ГБ-7 до и после облучения нейтронами до флюенса нейтрон/см2, кристаллы Mg2SiO4, Cr:Mg2SiO4, Cr,Li:Mg2SiO4, LiF до и после облучения высокоэнергетическими электронами и гамма-квантами, твердые растворы KАlSi3O8-NaAlSi3O8-CaAl2Si2O8. Методы исследования: рентгеноструктурный анализ, оптическая спектроскопия, ИК-спектроскопия, химический анализ, электронная микроскопия, математическое моделирование. Установлено, что упорядочение радиационных точечных дефектов в оксидных керамических материалах после нейтронного облучения происходит через скопления дефектов, образование дислокационных петель и ориентировку их вдоль оси "с" в кристаллической фазе. Временная самоорганизация в керамических материалах заключается в упорядочении радиационных дефектов, флуктуации напряжений, фазовых переходах с повышением симметрии. Установлено, что накопление, упорядочение точечных радиационных дефектов, образование упорядоченной структуры скоплений, в лазерных кристаллах после облучения высокоэнергетическими электронами и гамма-квантами происходит по сценариям самоорганизации. Разработана математическая модель образования упорядоченной структуры мелких скоплений дефектов под действием электронного облучения и упругих полей напряжения на поверхности кристалла кубической сингонии. Установлено, что каркасных алюмосиликатах (полевых шпатах) происходит пространственная самоорганизация, заключающаяся в упорядочении Al и Si по кристаллографическим позициям в соединениях твердых растворов ряда KАlSi3O8-NaAlSi3O8-CaAl2Si2O8. Определен управляющий параметр самоорганизации. Впервые получены закономерности изменения коэффициента наведенного поглощения в кристаллах Mg2SiO4, Cr:Mg2SiO4 от флюенса электронов и дозы гамма-квантов. Установлено насыщение концентрации центров окраски, возникновение сложных центров окраски. Разработаны рекомендации по технологии радиационного модифицирования лазерных кристаллов. Предложено использовать синергетический подход с учетом компенсационного принципа для изучения процессов в облученных нейтронами керамических диэлектриках, разработаны рекомендации по применению оксидных керамических материалов в экстремальных условиях реакторного облучения. Доп.точки доступа: Амурский государственный университет Экземпляры всего: 1 н.з. (1) Свободны: н.з. (1) |
А В17 Ванина, Елена Александровна. Самоорганизация и упорядочение в оксидных и силикатных системах [Текст] : автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук : спец. 01.04.07 - Физика конденсированного состояния / Е. А. Ванина ; Амур. гос. ун-т. - Благовещенск, 2006. - 30 с. - Рубрики: Кристаллография Кл.слова (ненормированные): лазерные кристаллы, облучение -- керамические материалы, нейтронное облучение -- оксидная керамика, фазовые переходы?? Доп.точки доступа: Амурский государственный университет Экземпляры всего: 2 н.з. (2) Свободны: н.з. (1) |
22.37 П58 Попов, Георгий Михайлович. Кристаллография [Текст] : учеб. пособие / Г. М. Попов, И. И. Шафрановский. - 5-е изд., испр. и доп. - М. : Высш. шк., 1972. - 352 с. : рис., табл. - Предм. указ.: с. 344. - (в пер.) : 40.00 р. Прил.: с. 342 Рубрики: Кристаллография Кл.слова (ненормированные): геометрическая кристаллография -- возникновение кристаллов -- формы кристаллов -- кристаллографические символы -- физическая кристаллография -- структура кристаллов -- кристаллохимия Доп.точки доступа: Шафрановский, И.И. Экземпляры всего: 1 аб. (1) Свободны: аб. (1) |
22.37 Ш27 Шаскольская, Марианна Петровна. Кристаллография [Текст] : учеб пособие / М. П. Шаскольская. - 2-е изд., перераб. и доп. - М. : Высш. шк., 1984. - 376 с. : вкл. л., цв.ил., граф., рис. - Предм. указ.: с. 373. - (в пер.) : 1.40 р. Рубрики: Кристаллография Кл.слова (ненормированные): симметрия кристаллов -- кристаллы, структура, пространственная решетка -- кристаллы, симметрия структуры -- кристаллохимия -- кристаллы, физические свойства -- кристаллы, зарождение, рост Экземпляры всего: 2 аб. (2) Свободны: аб. (2) |
22.37 С40 Сиротин, Юрий Исакович. Основы кристаллофизики [Текст] : учеб. пособие / Ю. И. Сиротин, М. П. Шаскольская. - 2-е изд., перераб. - М. : Наука, 1979. - 640 с. : граф., рис., табл. - Библиогр.: с. 626; Предм. указ.: с. 635. - (в пер.) : Рубрики: Кристаллография Кл.слова (ненормированные): кристаллография, основные сведения -- симметрия структуры кристаллов -- кристаллы, оптические свойства -- кристаллы, упругость -- кристаллы, термодинамика -- симметрия магнитная -- кристаллофизика, общие проблемы Доп.точки доступа: Шаскольская, Марианна Петровна аб. Свободных экз. нет |
22.37 А91 Астапова, Елена Степановна. Основы кристаллографии и физики кристаллов [Электронный ресурс] : учеб.-метод. комплекс дисц. для спец. 010101 / Е. С. Астапова ; АмГУ, ИФФ. - Благовещенск : Изд-во Амур. гос. ун-та, 2006. - 111 с. - Б. ц. Рубрики: Кристаллография Кл.слова (ненормированные): кристаллография, предмет -- симметрия кристаллографической категории -- символика и теория симметрии -- кристаллы, методы проектирования -- точечные группы симметрии -- элементарная ячейка Перейти: http://irbis.amursu.ru/DigitalLibrary/AmurSU_Edition/486.pdf Доп.точки доступа: Амурский государственный университет. Инженерно-физический факультет Экземпляры всего: 1 эл. б-ка АмГУ (1) Свободны: эл. б-ка АмГУ (1) |
А машинописный текст Г66 Гопиенко, Ирина Викторовна. Радиационные эффекты в кристаллах Mg2SiO4, Cr:Mg2SiO4, Gr,Li:Mg2SiO4 [Текст] : дис. на соиск. ученой степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 : защищена 25.01.2006 : утв. 04.02.2006 / И. В. Гопиенко ; АмГУ. - Благовещенск, 2005. - 92 с. - (в пер.) На правах рукописи
Рубрики: Кристаллография Кл.слова (ненормированные): оксидные лазерные кристаллы, свойства -- облученные кристаллы, исследование -- кристаллы форстерита -- ионизирующие излучения -- фостерит -- наведенное поглощение -- центры окраски -- радиационная стойкость -- дефекты смещения Аннотация: Объект исследования и цель работы. Методы исследования и аппаратура. Теоретические и практические результаты и их новизна. Степень и эффективность внедрения. Область применения. Целью работы являлось изучение влияния ионизирующего излучения на кристаллы Mg2SiO4, Cr:Mg2SiO4, Cr,Li:Mg2SiO4. Наиболее существенными научными результатами являются: установление возникновения наведенного поглощения в кристаллах Mg2SiO4, Cr:Mg2SiO4, Cr,Li:Mg2SiO4, облученных высокоэнергетическими электронами и гамма-квантами; установление влияния атмосферы роста кристаллов, концентрации легирующих элементов на величину наведенного поглощения; исследование структуры радиационно-модифицированных кристаллов форстерита; расчет концентрации дефектов смещения в облученных кристаллах Mg2SiO4 по модели упругого взаимодействия. Научная новизна результатов: проведено исследование структуры и оптических свойств нелегированных и легированных кристаллов форстерита после облучения электронами высоких энергий и гамма-квантами; установлено, что вид ионизирующего излучения (электроны и гамма-кванты) не влияют на форму и спектральное положение наведенного поглощения; наведенное поглощение в области 250-270 нм и широкополосное поглощение с максимумом в области 420-460 нм обусловлено F+ - центрами и О- - центрами соответственно; установлено, что кристаллы Cr4+:Mg2SiO4 обладают достаточной радиационной стойкостью при облучении высокоэнергетическими электронами и гамма-квантами; модель упругого взаимодействия адекватно описывает процессы радиационного дефектообразования до насыщения центров окраски. Результаты диссертации рекомендуются для использования в лабораториях научно-исследовательских институтов и вузов, занимающихся проблемами радиационного материаловедения и лазерными технологиями. Доп.точки доступа: АмГУ Экземпляры всего: 1 н.з. (1) Свободны: н.з. (1) |
22.37 В36 Верхотурова, Ирина Владимировна. Радиационные эффекты в оксидных лазерных кристаллах [Текст] : моногр. / И. В. Верхотурова, Е. А. Ванина ; АмГУ, ИФФ. - Благовещенск : Изд-во Амур. гос. ун-та, 2006. - 73 с. : рис., табл. - Библиогр.: с. 67 . - ISBN 5-93493-071-5 : 40.00 р. Рубрики: Кристаллография Кл.слова (ненормированные): оксидные лазерные кристаллы, оптические свойства -- ионизирующие излучение -- кристаллы форстерита Доп.точки доступа: Ванина, Елена Александровна; Амурский государственный университет. Инженерно-физический факультет Экземпляры всего: 3 н.з. (1), аб. (2), ч.з. Свободны: н.з. (1), аб. (2) |
22.37 Е74 Ермолов, Валерий Александрович. Кристаллография, минералогия и геология камнесамоцветного сырья [Текст] : учеб. пособие: рек. Мин. обр. РФ / В. А. Ермолов, В. А. Дунаев, В. В. Мосейкин ; под ред. В. А. Ермолова. - М. : Изд-во Моск. гос. горн. ун-та, 2003. - 408 с. : рис. - (Высшее горное образование). - Библиогр.: с. 405. - ISBN 5-7418-0235-4 (в пер.) : 604.90 р. Рубрики: Кристаллография Минералогия Кл.слова (ненормированные): кристаллография -- строение кристаллов -- свойства кристаллов -- образование кристаллов -- геометрическая кристаллография -- формы кристаллов -- минералогия, происхождение, строение -- диагностика минералов -- описание минералов -- кристаллооптика -- породообразующие минералы -- минеральные ассоциации -- магматические месторождения -- гидротермальные месторождения -- месторождения выветривания -- осадочные месторождения -- камнецветное сырье, геология месторождений Доп.точки доступа: Дунаев, Владимир Александрович; Мосейкин, Владимир Васильевич; Ермолов, В.А. \ред.\ Экземпляры всего: 2 ч.з. (2) Свободны: ч.з. (2) |
22.37 Е30 Егоров-Тисменко, Юрий Клавдиевич. Кристаллография и кристаллохимия [Текст] : учеб.: рек. Мин. обр. РФ / Ю. К. Егоров-Тисменко ;под ред. В. С. Урусова. - М. : Кн. дом "Университет", 2005. - 588 с. : рис. - Предм. указ.: с. 559 . - Библиогр.: с. 583 . - ISBN 5-98227-095-4 (в пер.) : 371.80 р. Прил.: с. 585 Рубрики: Кристаллография Кристаллохимия Кл.слова (ненормированные): кристаллография, понятие -- кристаллы, симметрия -- кристаллическое вещество -- кристаллы, символ граней -- кристаллы, символ ребер -- кристаллы, простые формы -- кристаллы, образование -- кристаллохимия, основы -- минералы, физические свойства -- кристаллы, методы исследования внутреннего строения Доп.точки доступа: Урусов, В.С. \ред.\ Экземпляры всего: 20 ч.з. (2), аб. (18) Свободны: ч.з. (2), аб. (17) |
22.36 М64 Миронова, Галина Александровна Конденсированное состояние вещества: от структурных единиц до живой материи [Текст] : [в 2 т.]: учеб. пособие: рек. УМО / Г. А. Миронова. - М. : Изд-во физ. фак. Моск. гос. ун-та, 2004 - 2006. Т. 1. - 2004. - 532 с. : рис. - Библиогр.: с. 512 . - Предм. указ.: с. 523 . - ISBN 5-8279-0050-8 (в пер.) : 332.42 р. Рубрики: Молекулярная физика Кристаллография Кл.слова (ненормированные): элементарные частицы -- атомы -- атомы, взаимодействие -- молекулы, взаимодействие -- нековалентные взаимодействия молекул -- изометрия -- макроскопические системы частиц -- кристаллические структуры -- обратные решетки -- кристаллическая структура веществ -- кристаллические структуры природные -- нетрадиционные упорядоченные структуры -- элементарные возбуждения в кристаллах -- элементарные возбуждения электронной системы -- полупроводники -- сверхпроводимость -- фермионы тяжелые Экземпляры всего: 10 аб. (8), ч.з. (2) Свободны: аб. (8), ч.з. (2) |
22.36 М64 Миронова, Галина Александровна Конденсированное состояние вещества: от структурных единиц до живой материи [Текст] : [в 2 т.]: учеб. пособие: рек. УМО / Г. А. Миронова. - М. : Изд-во физ. фак. Моск. гос. ун-та, 2004 - 2006. Т. 2. - 2006. - 840 с. : рис. - Библиогр.: с. 800 . - Предм. указ.: с. 820 . - ISBN 5-8279-0064-8 (в пер.) : 542.96 р. Рубрики: Молекулярная физика Кристаллография Кл.слова (ненормированные): неупорядоченные системы -- системы, сочетающие порядок и беспорядок -- аморфное состояние вещества -- жидкое состояние вещества -- комплексные соединения -- полимеры -- биологические структуры -- клетка -- живая материя, химические компоненты -- ферменты -- клетка, энергетический обмен -- матричный синтез -- автоколебательные процессы Экземпляры всего: 10 аб. (8), ч.з. (2) Свободны: аб. (8), ч.з. (2) |