Библиотека Амурского Государственного Университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Шлюз Z39.50

Базы данных

БД "Книги" - результаты поиска

Вид поиска

БД "Книги"

БД "Статьи"

Труды АМГУ

Выпускные квалификационные работы

Антитеррор

Область поиска

Найдено в других БД:

БД "Статьи" (16)

Труды АМГУ (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>K=центры окраски<.>)

Общее количество найденных документов : 1

   А машинописный текст
   Г66

    Гопиенко, Ирина Викторовна.
    Радиационные эффекты в кристаллах Mg2SiO4, Cr:Mg2SiO4, Gr,Li:Mg2SiO4 [Текст] : дис. на соиск. ученой степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 : защищена 25.01.2006 : утв. 04.02.2006 / И. В. Гопиенко ; АмГУ. - Благовещенск, 2005. - 92 с. - (в пер.)
На правах рукописи

УДК

538.958

537.533.9

ББК 22.37
Рубрики: Кристаллография
Кл.слова (ненормированные):
оксидные лазерные кристаллы, свойства -- облученные кристаллы, исследование -- кристаллы форстерита -- ионизирующие излучения -- фостерит -- наведенное поглощение -- центры окраски -- радиационная стойкость -- дефекты смещения
Аннотация: Объект исследования и цель работы. Методы исследования и аппаратура. Теоретические и практические результаты и их новизна. Степень и эффективность внедрения. Область применения. Целью работы являлось изучение влияния ионизирующего излучения на кристаллы Mg2SiO4, Cr:Mg2SiO4, Cr,Li:Mg2SiO4. Наиболее существенными научными результатами являются: установление возникновения наведенного поглощения в кристаллах Mg2SiO4, Cr:Mg2SiO4, Cr,Li:Mg2SiO4, облученных высокоэнергетическими электронами и гамма-квантами; установление влияния атмосферы роста кристаллов, концентрации легирующих элементов на величину наведенного поглощения; исследование структуры радиационно-модифицированных кристаллов форстерита; расчет концентрации дефектов смещения в облученных кристаллах Mg2SiO4 по модели упругого взаимодействия. Научная новизна результатов: проведено исследование структуры и оптических свойств нелегированных и легированных кристаллов форстерита после облучения электронами высоких энергий и гамма-квантами; установлено, что вид ионизирующего излучения (электроны и гамма-кванты) не влияют на форму и спектральное положение наведенного поглощения; наведенное поглощение в области 250-270 нм и широкополосное поглощение с максимумом в области 420-460 нм обусловлено F+ - центрами и О- - центрами соответственно; установлено, что кристаллы Cr4+:Mg2SiO4 обладают достаточной радиационной стойкостью при облучении высокоэнергетическими электронами и гамма-квантами; модель упругого взаимодействия адекватно описывает процессы радиационного дефектообразования до насыщения центров окраски. Результаты диссертации рекомендуются для использования в лабораториях научно-исследовательских институтов и вузов, занимающихся проблемами радиационного материаловедения и лазерными технологиями.

Доп.точки доступа:
АмГУ
Экземпляры всего: 1
н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 19.08.2024
Число запросов	30899
Число посетителей	1
Число заказов	0

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)