Главная Упрощенный режим Описание Шлюз Z39.50
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


БД "Книги" - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:БД "Статьи" (2)Труды АМГУ (2)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=кристаллы форстерита<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.
   А машинописный текст
   Г66


    Гопиенко, Ирина Викторовна.
    Радиационные эффекты в кристаллах Mg2SiO4, Cr:Mg2SiO4, Gr,Li:Mg2SiO4 [Текст] : дис. на соиск. ученой степ. канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 : защищена 25.01.2006 : утв. 04.02.2006 / И. В. Гопиенко ; АмГУ. - Благовещенск, 2005. - 92 с. - (в пер.)
На правах рукописи
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Кристаллография
Кл.слова (ненормированные):
оксидные лазерные кристаллы, свойства -- облученные кристаллы, исследование -- кристаллы форстерита -- ионизирующие излучения -- фостерит -- наведенное поглощение -- центры окраски -- радиационная стойкость -- дефекты смещения
Аннотация: Объект исследования и цель работы. Методы исследования и аппаратура. Теоретические и практические результаты и их новизна. Степень и эффективность внедрения. Область применения. Целью работы являлось изучение влияния ионизирующего излучения на кристаллы Mg2SiO4, Cr:Mg2SiO4, Cr,Li:Mg2SiO4. Наиболее существенными научными результатами являются: установление возникновения наведенного поглощения в кристаллах Mg2SiO4, Cr:Mg2SiO4, Cr,Li:Mg2SiO4, облученных высокоэнергетическими электронами и гамма-квантами; установление влияния атмосферы роста кристаллов, концентрации легирующих элементов на величину наведенного поглощения; исследование структуры радиационно-модифицированных кристаллов форстерита; расчет концентрации дефектов смещения в облученных кристаллах Mg2SiO4 по модели упругого взаимодействия. Научная новизна результатов: проведено исследование структуры и оптических свойств нелегированных и легированных кристаллов форстерита после облучения электронами высоких энергий и гамма-квантами; установлено, что вид ионизирующего излучения (электроны и гамма-кванты) не влияют на форму и спектральное положение наведенного поглощения; наведенное поглощение в области 250-270 нм и широкополосное поглощение с максимумом в области 420-460 нм обусловлено F+ - центрами и О- - центрами соответственно; установлено, что кристаллы Cr4+:Mg2SiO4 обладают достаточной радиационной стойкостью при облучении высокоэнергетическими электронами и гамма-квантами; модель упругого взаимодействия адекватно описывает процессы радиационного дефектообразования до насыщения центров окраски. Результаты диссертации рекомендуются для использования в лабораториях научно-исследовательских институтов и вузов, занимающихся проблемами радиационного материаловедения и лазерными технологиями.


Доп.точки доступа:
АмГУ
Экземпляры всего: 1
н.з. (1)
Свободны: н.з. (1)
Найти похожие

2.
   22.37
   В36


    Верхотурова, Ирина Владимировна.
    Радиационные эффекты в оксидных лазерных кристаллах [Текст] : моногр. / И. В. Верхотурова, Е. А. Ванина ; АмГУ, ИФФ. - Благовещенск : Изд-во Амур. гос. ун-та, 2006. - 73 с. : рис., табл. - Библиогр.: с. 67 . - ISBN 5-93493-071-5 : 40.00 р.
ББК 22.37
Рубрики: Кристаллография
Кл.слова (ненормированные):
оксидные лазерные кристаллы, оптические свойства -- ионизирующие излучение -- кристаллы форстерита


Доп.точки доступа:
Ванина, Елена Александровна; Амурский государственный университет. Инженерно-физический факультет
Экземпляры всего: 3
н.з. (1), аб. (2), ч.з.
Свободны: н.з. (1), аб. (2)
Найти похожие

 
Статистика
за 31.07.2024
Число запросов 60909
Число посетителей 1
Число заказов 0
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)