Прудаев, И. А. Диффузия и растворимость электрически активных атомов железа в арсениде галлия [Текст] / И. А. Прудаев, С. С. Хлудков // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 11. - С. 39-41. . - Библиогр.: c. 41 (8 назв. )
Рубрики: Машиностроение Упрочнение металлов Физика полупроводников и диэлектриков Физика Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- диффузия железа -- коэффициент диффузии -- температурная зависимость Аннотация: Исследована диффузия железа в GaAs при давлении паров мышьяка 1 атм. Определены температурные зависимости коэффициента диффузии и растворимости электрически активных атомов железа в GaAs. Зависимости описываются уравнениями Аррениуса со следующими параметрами для коэффициента диффузии: Do = 1, 61 см2/с, Е = (2, 16 + 0, 47) эВ; для растворимости: N~ = 4, 62 1023 см'З, Es = (1, 61 + 0, 16) эВ. Полученные экспериментальные результаты сравниваются с ранее опубликованными данными. Показано, что концентрация электрически активных атомов железа примерно в 2 раза меньше общей концентрации железа в GaAs. Доп.точки доступа: Хлудков, С. С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Прудаев, И. А. Влияние толщины базы лавинного S-диода на его обратную вольт-амперную характеристику [Текст] / И. А. Прудаев, С. С. Хлудков // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 2. - С. 48-53. . - Библиогр.: c. 53 (18 назв. )
Рубрики: Техника Обработка материалов Технология металлов Металловедение цветных металлов и сплавов Кл.слова (ненормированные): S-диод -- арсенид галлия -- вольт-амперная характеристика -- лавинный пробой Аннотация: Исследовано влияние толщины базы диффузионного лавинного S-диода на его обратную вольт-амперную характеристику (ВАХ) и напряжение переключения. Доп.точки доступа: Хлудков, С. С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Хлудков, С. С. Нитрид галлия в качестве материала для спинтроники [Текст] / С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 8. - С. 44-49 : рис. - Библиогр.: c. 49 (39 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Диэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): легирование магнитными примесями -- нитрид галлия -- примеси переходных металлов -- редкоземельные элементы -- ферромагнитные свойства Аннотация: Приведен обзор литературы по магнитным свойствам GaN, легированного магнитными примесями: переходными металлами (Mn, Cr, Fe, Ni, V) и редкоземельными элементами (Gd, Eu, Sm), а также нитрида галлия, содержащего большую концентрацию вакансий галлия и квантовые точки. Рассмотрены свойства GaN, легированного в процессе роста слоев методом молекулярно-лучевой и мосгидридной эпитаксии, а также в процессе ионного легирования. Пленки GaN, легированные переходными металлами и редкоземельными элементами, а также нелегированный GaN, часто сохраняют ферромагнитные свойства при комнатной температуре. Доп.точки доступа: Прудаев, И. А.; Толбанов, О. П. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |