Раджабов, Е. А. Полосы с переносом заряда в кристаллах щелочно-земельных фторидов с примесью ионов Eu\{3+\} И Yb\{3+1\} [Текст] / Е. А. Раджабов, А. И. Непомнящих, В. Козловский> // Оптика и спектроскопия. - 2008. - Т. 105, N 3. - С. 399-404.
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): щелочно-земельные фториды -- кристаллы -- полосы с переносом заряда -- CaF[2] -- SrF[2] -- BaF[2] -- EuF[3] -- YbF[3] Аннотация: Спектры поглощения, свечения, возбуждения кристаллов CaF[2], SrF[2], BaF[2] с примесью EuF[3] или YbF[3] исследованы в спектральном диапазоне 1–12 эВ. Доп.точки доступа: Непомнящих, А. И.; Козловский, В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Раджабов, Е. А. 5d-4f-свечение ионов Nd{3+}, Gd{3+}, Er{3+}, Tm{3+}, Ho{3+} в кристаллах щелочно-земельных фторидов [Текст] / Е. А. Раджабов, Е. А. Просекина> // Оптика и спектроскопия. - 2011. - Т. 111, N 3. - С. 427-432. . - Библиогр.: с. 432 (13 назв. )
Рубрики: Физика Спектроскопия Люминесценция Кл.слова (ненормированные): свечение ионов -- ионы редких земель -- кристаллы фторидов -- щелочно-земельные фториды -- фториды -- вакуумный ультрафиолет -- излучение -- редкоземельные ионы Аннотация: Исследованы спектры излучения в области вакуумного ультрафиолета кристаллов щелочно-земельных фторидов с примесью ионов редких земель. Доп.точки доступа: Просекина, Е. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Мясникова, А. С. Кросслюминесценция в кристаллах BaF[2] - расчет из первых принципов [Текст] / А. С. Мясникова, А. С. Мысовский, Е. А. Раджабов> // Оптика и спектроскопия. - 2013. - Т. 114, № 3. - С. 445-453 : граф., табл., схемы, ил. - Библиогр.: с. 452-453 (34 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): Хартли-Фока метод -- кристаллы бария -- кросслюминесценция -- метод Хартли-Фока -- остовные дырки -- поляризация решеток (физика) -- релаксация решеток (физика) -- фториды бария Аннотация: Неэмпирическими методами в рамках модели встроенного кластера с учетом релаксации и поляризации решетки, вызванных наличием остовной дырки, теоретически исследована кросслюминесценция в кристаллах фторида бария. Доп.точки доступа: Мысовский, А. С.; Раджабов, Е. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Раджабов, Е. А. Спектры двухвалентного самария в кристаллах LaF[3] [Текст] / Е. А. Раджабов, В. А. Козловский> // Известия РАН. Серия физическая. - 2015. - Т. 79, № 2. - С. 275-279. - Библиогр.: c. 279 (18 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): двухвалентный самарий -- зарядовые компенсаиоры -- оптические переходы -- оптические спектры -- электропроводность Аннотация: Исследованы оптические спектры и электропроводность кристаллов LaF[3], содержащих ионы Sm{2+}. Группы линий свечения 560-620, 650-690 и 680-770 нм при температуре 7. 9 К обусловлены переходами с уровней {5}D[2], {5}D[1], {5}D[0] на уровни {7}F[j] иона Sm{2+}. Излучательные переходы с уровня {5}D[0] характеризуются временем затухания 8. 9 мс и температурным тушением в интервале 70-160 К. Обнаружена линейная зависимость электрической проводимости кристаллов от величины полос поглощения ионов Sm{2+}, что вызвано наличием анионных вакансий, компенсирующих недостаточный заряд ионов Sm{2+}. Длинноволновая полоса поглощения при 600 нм, отсутствующая в спектрах возбуждения, обусловлена переходом с 4f Sm{2+} на 1[s]-уровень анионной вакансии. Полосы поглощения с длиной волны менее 520 нм обусловлены переходами 4f-5d в ионах Sm{2+}. Доп.точки доступа: Козловский, В. A. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Раджабов, Е. А. Перенос электрона между разнородными лантаноидами в кристаллах BaF[2] - II механизмы переноса [Текст] / Е. А. Раджабов, В. А. Козловский> // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 5. - С. 888-891 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (16 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом--Россия--Екатеринбург, 2018 г. Кл.слова (ненормированные): доклады -- кристаллография в целом -- кристаллы -- лантаноиды -- международные симпозиумы -- механизмы переноса -- перенос электрона -- симпозиумы -- электроны Аннотация: В статье детально исследуются механизмы переноса электрона. Доп.точки доступа: Козловский, В. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |