Программа Международной научно-практической конференции "Современные технологии социализации лиц с ограниченными возможностями" [Текст] // Специальная психология. - 2010. - N 2. - С. 52-54. - d, 2009, , 0, y
Рубрики: Психология Социальная психология Кл.слова (ненормированные): лица с ограниченными возможностями -- психологические проблемы инвалидов -- тяжелые нарушения развития -- социализация детей -- социальная реабилитация -- специальные коррекционные школы -- конференции -- программы Аннотация: 29-30 марта 2010 г. в г. Москве прошла международная научно-практическая конференция "Современные технологии социализации лиц с ограниченными возможностями". Доп.точки доступа: Панфилова, Э. А. (председатель Совета при Президенте РФ по развитию институтов гражданского общества и правам человека); Смолин, О. Н. (д-р филос. наук; депутат Гос. Думы ФС РФ); Нечаев, Д. В. (д-р полит. наук; ректор МГГУ им. М. А. Шолохова); Огнев, А. С. (д-р пс. наук); Кравцова, Д. А. (канд. тех. наук); Гусева, Т. Н. (зам. рук. департамента образования г. Москвы); Филичева, Т. Б. (д-р пед. наук); Министерство образования и науки Российской Федерации; Московский государственный гуманитарный университет им. М. А. Шолохова; Межрегиональная общественная организация "Ассоциация в поддержку детей и взрослых с нарушениями в психическом и физическом развитии"; "Ассоциация в поддержку детей и взрослых с нарушениями в психическом и физическом развитии", межрегиональная общественная организация; "Современные технологии социализации лиц с ограниченными возможностями", международная научно-практическая конференция Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Нечаев, Д. В. Образование эпигенетических включений графита в кристаллах алмаза: экспериментальные данные [Текст] = Formation of Epigenetic Graphite Inclusions in Diamond Crystals: Experimental Data / Д. В. Нечаев, А. Ф. Хохряков // Геология и геофизика. - 2013. - Т. 54, № 4. - С. 523-532 : ил. - Библиогр.: с. 530-532 . - ISSN 0016-7886
Рубрики: Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): алмазы -- эпигенетические включения -- графитизация -- КР-спектроскопия Аннотация: Для выяснения условий образования эпигенетических включений графита в природном алмазе проведены эксперименты по высокотемпературной обработке кристаллов природного и синтетического алмаза, содержащих микровключения. Отжиг кристаллов проводили при температурах 700—1100 °С и атмосферном давлении в защитной СО—СО[2] атмосфере при длительности экспериментов от 15 мин до 4 ч. Исходные и отожженные алмазы изучены с помощью оптической микроскопии и КР-спектроскопии. Установлено, что изменение микровключений начинается при 900 °С. Повышение температуры до 1000 °С приводит к появлению вокруг микровключений микротрещин и сильных напряжений в алмазной матрице. Микровключения становятся черными и непрозрачными, что связано с образованием аморфного углерода на границе алмаз—включение. Доп.точки доступа: Хохряков, А. Ф. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Нечаев, Д. В. Образование включений метастабильного графита при кристаллизации алмаза в модельных системах [Текст] / Д. В. Нечаев, А. Ф. Хохряков // Геология рудных месторождений. - 2014. - Т. 56, № 2. - С. 160-168. - Библиогр.: с. 167 . - ISSN 0016-7770
Рубрики: Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): алмазы -- кристаллы алмаза -- ликвидусные силикатные минералы -- метастабильные графиты -- ортопироксены -- силикатно-карбонатно-флюидные системы -- форстериты -- хлоридно-водные системы Аннотация: Исследованы включения метастабильного графита в алмазе, форстерите и ортопироксене, синтезированных в силикатно-карбонатно-флюидных и хлоридно-водных системах при давлениях 6. 3-7. 5 ГПа и температурах 1400-1600°C. Доп.точки доступа: Хохряков, А. Ф. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Наноструктуры AlGaN с экстремально высоким внутренним квантовым выходом при 300 K [Текст] / А. А. Торопов [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 11. - С. 2180-2185 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (19 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): AlGaN -- квантовый выход -- кристаллография в целом -- наноструктуры -- твердые растворы Аннотация: Представлены результаты теоретической оптимизации конструкции гетероструктур с квантовыми ямами на основе твердых растворов AlGaN с целью достижения максимальной энергии активации носителей заряда и максимальной энергии связи экситона. Доп.точки доступа: Торопов, А. А.; Шевченко, Е. А.; Шубина, Т. В.; Жмерик, В. Н.; Нечаев, Д. В.; Pozina, G.; Иванов, С. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |