Кривошеева, А. В. Влияние сжимающих и растягивающих напряжений на электронную структуру фосфорена [Текст] / А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, I. Stich // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 10. - С. 1663-1667 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (31 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): деформация -- зонная структура -- кристаллография в целом -- монослой -- напряжения -- полупроводниковые материалы -- фосфорен -- ширина запрещенной зоны Аннотация: Проведено исследование нового перспективного полупроводникового материала - фосфорена. Определены возможности изменения величины и характера его межзонных переходов при воздействии на кристаллическую решетку этого материала сжимающих и растягивающих напряжений. Доп.точки доступа: Шапошников, В. Л.; Stich, I. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1) Свободны: н.з. (1) |