Елесин, В. Ф. Моделирование влияния межэлектронного взаимодействия на стационарные характеристики резонансно-туннельного диода со спейсерными слоями [Текст] / В. Ф. Елесин, М. А. Ремнев, И. Ю. Катеев // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 11. - С. 67-72. - Библиогр.: c. 72 (15 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Техника Материаловедение Кл.слова (ненормированные): квантовые приборы -- межэлектронное взаимодействие -- Пуассона уравнения -- резонансно-туннельные диоды -- РТД -- спейсеры -- уравнения Пуассона -- уравнения Шредингера -- Шредингера уравнения Аннотация: При помощи самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона исследовано влияние межэлектронного взаимодействия на стационарные характеристики резонансно-туннельного диода (РТД) со спейсерными слоями. Было показано, что межэлектронное взаимодействие существенно влияет на вольт-амперные характеристики РТД, в частности уменьшает плотность пикового тока и смещает положение максимумов на зависимости пикового тока от размера спейсера эмиттера. Также было показано, что гистерезис на вольт-амперных характеристиках РТД при определенных размерах спейсеров пропадает. Доп.точки доступа: Ремнев, М. А.; Катеев, И. Ю. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Моделирование сверхпроводников на основе временных уравнений Гинзбурга-Ландау [Текст] / К. С. Гришаков [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 11. - С. 92-102. - Библиогр.: c. 101-102 (10 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика Математическая физика Кл.слова (ненормированные): Гинзбурга-Ландау уравнения -- метод конечных элементов -- метод сеточной аппроксимации -- намагниченность -- сверхпроводники -- сверхток -- транспортный ток -- уравнения Гинзбурга-Ландау Аннотация: Представлены результаты моделирования намагничивания сверхпроводников на основе численного решения временных уравнений Гинзбурга-Ландау. Использовались методы сеточной аппроксимации уравнений и метод конечных элементов. Рассчитаны и визуализированы двумерные картины изменения параметра порядка и распределения сверхтока в сверхпроводниках различной конфигурации. Доп.точки доступа: Гришаков, К. С.; Дегтяренко, П. Н.; Дегтяренко, Н. Н.; Елесин, В. Ф.; Круглов, В. С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Моделирование синтеза и диссоциации азотного кластера N[4] с симметрией D[2H] [Текст] / В. Ф. Елесин [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 11. - С. 103-112. - Библиогр.: c. 112 (14 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Химия Общая и неорганическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): азот -- возбужденное состояние (физика) -- квантовое многоконфигурационное приближение -- кластеры -- наноструктуры -- плотность энергии -- химическое возбуждение -- электронные спектры Аннотация: В рамках квантового многоконфигурационного приближения проведено моделирование синтеза основного и возбужденных состояний кластера N[4] из молекул N[2], находящихся в различных начальных состояниях. Найдены потенциальные барьеры, препятствующие образованию и распаду кластера. Исследование электронного спектра N[4] показало, что теоретически наиболее перспективным путем создания азотных наноструктур является сжатие возбужденных молекул N[2]. Доп.точки доступа: Елесин, В. Ф.; Дегтяренко, Н. Н.; Пажитных, К. С.; Матвеев, Н. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Елесин, В. Ф. Резонансное туннелирование взаимодействующих электронов в переменном электрическом поле [Текст] / В. Ф. Елесин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 144, вып. 5. - С. 1086-1098. - Библиогр.: с. 1098 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): взаимодействующие электроны -- волновые функции -- переменные поля -- резонансно-туннельный диод -- резонансное туннелирование электронов -- электрическое поле -- электроны Аннотация: В рамках когерентной модели туннелирования решена задача о влиянии межэлектронного взаимодействия на статические и динамические свойства двухбарьерной наноструктуры (резонансно-туннельного диода). Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Елесин, В. Ф. Переходные процессы в двухбарьерных наноструктурах [Текст] / В. Ф. Елесин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2014. - Т. 145, вып. 6. - С. 1078-1086. - Библиогр.: с. 1086 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): двухбарьерные наноструктуры -- когерентное туннелирование -- наноструктуры -- переходные процессы в наноструктурах -- резонансно-туннельный диод -- туннелирование Аннотация: Найдено аналитическое решение задачи о переходных процессах в двухбарьерной наноструктуре. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Елесин, В. Ф. К теории прохождения тока через идеальный изолятор [Текст] / В. Ф. Елесин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2015. - Т. 147, вып. 1. - С. 132-141. - Библиогр.: с. 141 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): идеальный изолятор -- изоляторы -- инжекция дырок -- прохождение тока -- ток Аннотация: Найдено аналитическое решение задачи о прохождении тока через идеальный изолятор для монополярной инжекции дырок. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |