Расчет тепловых параметров SiGe микроболометров [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2007. - N 12. - С. 44-50. . - Библиогр.: с. 49-50 (12 назв. )
Рубрики: Молекулярная физика в целом Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Теоретические основы теплотехники Энергетика Кл.слова (ненормированные): болометрические матрицы -- тепловизионные приборы -- теплопроводность -- микроболометры -- фотодетекторы -- тепловые параметры Аннотация: Путем численного моделирования проведен расчет тепловых параметров SiGe микроболометра. Расчет величины теплопроводности и времени теплового отклика хорошо согласуются со значениями, определяем из экспериментальных данных, и лежат в диапазоне от 2 10{-7} до 7 10{-8} Bт/К и от 1, 5 до 4, 5 мс соответственно. Получение высоких значений чувствительности микроболометра достигается путем оптимизации величин времени теплового отклика и теплопроводности болометра за счет подбора геометрии поддерживающих теплоотводных балок либо выбором для нее соответствующего материала, обеспечивающего значение граничного теплового сопротивления на границе раздела с SiGe более 8 10-3 см2 К/Вт. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Григорьев, Д. В.; Юрьев, В. А.; Несмелов, С. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Войцеховский, А. В. Пороговые характеристики микроболометров на основе поликристаллического силицида германия [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов // Известия вузов. Физика. - 2007. - N 12. - С. 51-55. . - Библиогр.: c. 55 (5 назв. )
Рубрики: Теоретические основы теплотехники Энергетика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): болометрические детекторы -- матричные детекторы -- микроболометры -- поликристаллический силицид германия -- матричные фотоприемники -- тепловизионные приборы Аннотация: Рассчитаны пороговые характеристики микроболометров на основе поликристаллического силицида германия. Показано, что зависимость обнаружительной способности от удельного сопротивления микроболометра характеризуется максимумом. Установлены оптимальные для улучшения пороговых характеристик диапазоны напряжений и удельного сопротивления. Доп.точки доступа: Несмелов, С. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Потекаев, А. И. Предисловие [Текст] / А. И. Потекаев, А. В. Войцеховский // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 10. - С. 3-4.
Рубрики: Физика История физики Кл.слова (ненормированные): вузы -- институты -- юбилеи Аннотация: Настоящий выпуск журнала приурочен к 80-летию известного в России и за рубежом старейшего научного вузовского центра России - Сибирского физико-технического института им. академика В. Д. Кузнецова (СФТИ). Содержание этого выпуска дает представление о наиболее важных результатах, полученных в институте за последние годы. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Сибирский физико-технический институт им. академика В. Д. Кузнецова Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Войцеховский, А. В. Ионная имплантация в гетероэпитаксиальный Cd[x]Hg[1-x]Te, выращенный методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, Н. Х. Талипов // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 10. - С. 5-18. . - Библиогр.: c. 18 (23 назв. )
Рубрики: Полупроводниковые материалы и изделия Энергетика Кл.слова (ненормированные): ионная имплантация -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- полупроводниковые соединения Cd[x]HgTe -- гетероэпитаксиальный КРТ -- МЛЭ Аннотация: Представлены результаты исследований влияния ионной имплантации на электрофизические свойства гетероэпитаксиального полупроводникового материала, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Выявлены основные факторы, определяющие отличия результатов ионной имплантации в объемные кристаллы КРТ и гетероэпитаксиальный МЛЭ КРТ. Доп.точки доступа: Григорьев, Д. В.; Талипов, Н. Х. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Профили распределения дефектов в варизонных слоях гетероэпитаксиальных структур p-НgСdТе при ионно-лучевом травлении [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 9. - С. 51-56. . - Библиогр.: c. 56 (10 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника в целом Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): варизонные слои -- гетероэпитаксиальные структуры -- ионно-лучевое травление -- полупроводники -- фотоприемные устройства Аннотация: Представлены результаты исследований по пространственному распределению донорных центров в варизонных слоях HgCdTe р-типа с различным профилем состава в приповерхностной области после ионно-лучевого травления. Обнаружено, что глубина п{+}-слоя, образующегося после облучения, слабо зависит от режимов ионно-лучевого травления и состава поверхности материала и составляет величину 0, 5-1 мкм. С увеличением времени травления наблюдается рост концентрации электронов в п{+}-слое на поверхности. Показано, что режимы ионно-лучевого травления и состав приповерхностной области существенно влияют только на глубину п{-} -слоя с низкой концентрацией электронов. Анализ экспериментальных данных показывает, что процесс ионно-лучевого травления в гетероэпитаксиальных структурах p-НgСdТе с градиентом состава в приповерхностной области отличен от травления в однородных эпитаксиальных структурах и кристаллах HgCdTe. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Волков, В. С.; Григорьев, Д. В.; Ижнин, И. И.; Коротаев, А. Г.; Коханенко, А. П.; Посяцк, М.; Средин, В. Г.; Талипов, Н. Х. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Оценка возможности определения электрофизических характеристик Cd[x]Hg[1-x]Te р{+} -п-структур методом дифференциальных холловских измерений [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 5. - С. 3-8. . - Библиогр.: c. (назв. )
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): CdxHg1-xTe -- имплантация ионов -- матричные фотоприемники -- электрофизические характеристики -- эпитаксиальные пленки Аннотация: В работе проведено численное моделирование процесса восстановления профиля распределения концентрации дырок в р{+}-п-структуре методом дифференциальных холловских измерений после имплантации ионов As{+} (Е = 190 кэВ, D = З 10{14}см{2}, j = 0, 025 мкА/см{2}) в эпитаксиальные пленки Cd[x]Hg[1-x]Te для х ~ 0, 2, с исходной концентрацией и подвижностью электронов n = 10{14}см{-3} и мю = 2 10{5} см{2} B{-1} c{-1}. Рассчитаны зависимости степени восстановления профиля распределения концентрации дырок от толщины шунтирующего п-слоя и величины магнитного поля, при котором производится измерение электрофизических параметров р{+} -n-структуры. Определена зависимость от толщины n-слоя предельного магнитного поля, определяющего диапазон магнитных полей для измерений. Показано, что при определении профиля распределения концентрации дырок по модели Петрица в расчетах необходимо использовать значения проводимости, измеренные при тех же магнитных полях, что и коэффициент Холла. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Васильев, В. В.; Григорьев, Д. В.; Романов, И. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Войцеховский, А. В. Определение концентрации нагретого газа из разности контактных и дистанционных измерений температуры [Текст] / А. В. Войцеховский, О. К. Войцеховская, А. Ю. Запрягаев // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 5. - С. 96-102. - Библиогр.: c. 101-102 (21 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Молекулярная физика в целом Физика Кл.слова (ненормированные): высокотемпературные измерения -- дистанционные измерения измерений -- загрязнение атмосферы (методы физического эксперимента) -- излучательные характеристики среды -- нагретый газ -- определение концентрации газа -- радиационная температура газовых смесей -- способы измерений температуры (физика) -- экологические проблемы Аннотация: В работе предложен способ определения малых концентраций высокотемпературных газов из разности показаний датчиков, принципы действия которых основаны на контактном и дистанционном методах измерения температуры газового объема. Предполагается, что контактные измерения позволяют определить реальную кинетическую температуру газа, а дистанционные пирометрические измерения дают радиационную температуру. Возникающая разность температур содержит однозначную зависимость от концентрации газа и поэтому при выборе соответствующих определенным требованиям рабочих спектральных участков имеется возможность найти численное значение концентрации. Доп.точки доступа: Войцеховская, О. К.; Запрягаев, А. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Войцеховский, А. В. Исследование методами проводимости и фотоэдс МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 10. - С. 3-18. - Библиогр.: c. 18 (28 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): варизонные слои -- гетероэпитаксиальные структуры -- дифференциальное сопротивление -- диэлектрики -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- метод проводимости -- МЛЭ -- полупроводники -- пространственный заряд в МДП-структурах -- теллурид кадмия ртути Аннотация: Исследовано влияние варизонных слоев на величину дифференциального сопротивления области пространственного заряда в МДП-структурах на основе HgCdTe МЛЭ. Показано, что учет влияния сопротивления объема эпитаксиальной пленки на измеряемые емкость и сопротивление необходим для корректного определения параметров области пространственного заряда. Наличие приповерхностных слоев с повышенным содержанием Сd приводит к увеличению сопротивления области пространственного заряда в сильной инверсии. Несмотря на подавление туннельной генерации-рекомбинации через глубокие уровни в МДП-структурах с варизонными слоями, получены значения произведения сопротивления полупроводника на площадь порядка 15 Ом. см[2], что может быть связано с фоновой фотогенерацией и диффузией неосновных носителей. Доп.точки доступа: Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 2. - С. 40-45. . - Библиогр.: c. 45 (17 назв. )
Рубрики: Электротехника в целом Физика Физика полупроводников и диэлектриков Энергетика Кл.слова (ненормированные): варизонные слои -- вольт-фарадные характеристики -- диэлектрики -- пассивация поверхности полупроводника -- структура металл - диэлектрик - полупроводник -- теллурид кадмия -- теллурид кадмия ртути Аннотация: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с выращенными IN SITU CdTe в качестве диэлектрика. Определены средние плотности поверхностных состояний, а также плотности подвижного и фиксированного зарядов. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Васильев, В. В.; Якушев, М. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Войцеховский, А. В. Расчет профилей распределения радиационных дефектов в КРТ при воздействии мощными импульсными лазерными пучками [Текст] / А. В. Войцеховский, М. Ю. Леонов, С. А. Шульга // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 4. - С. 16-20. . - Библиогр.: c. 20 (5 назв. )
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): импульсное лазерное излучение -- полупроводники -- радиационные дефекты -- теллурид кадмия ртути Аннотация: Приведены результаты расчета профилей распределения радиационных дефектов и термомеханических характеристик материала при воздействии мощными лазерными пучками на полупроводниковые образцы КРТ, в рамках физико-математической модели радиационного дефектообразования и сравнение полученных профилей с теоретическими и экспериментальными данными. Доп.точки доступа: Леонов, М. Ю.; Шульга, С. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Модельное представление пропускания мощного импульсного лазерного ИК-излучения в области фундаментального поглощения в эпитаксиальных слоях Cd[x]Hg[1-x]Tе [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 9. - С. 54-58. . - Библиогр.: c. 58 (8 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): импульсное лазерное излучение -- поглощения полупроводниковой структурой -- полупроводниковые материалы -- пропускание лазерного ИК-излучения -- тепловой нагрев -- фундаментальное поглощение -- эпитаксиальный Cd[x]Hg[1-x]Tе Аннотация: Представлена модель изменения пропускания мощных лазерных импульсов с учетом изменения с температурой оптических параметров материала Cd[x]Hg[1-x]Tе. Рассчитаны тепловые поля, профили коэффициента поглощения и пропускание полупроводниковой эпитаксиальной структуры. Проведено сравнение с экспериментальными данными на длине волны лазера на углекислом газе. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Шульга, С. А.; Средин, В. Г.; Талипов, Н. Х. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике [Текст] / О. П. Пчеляков [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 9. - С. 59-64. . - Библиогр.: c. 63-64 (27 назв. )
Рубрики: Энергетика Теоретические основы электротехники Физическая оптика Физика Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наногетероструктуры -- оптоэлектронные устройства Аннотация: В настоящее время большое внимание уделяется детальному рассмотрению фундаментальных свойств Ge/Si-гетероструктур с нанокластерами Ge. В работе рассматриваются потенциальные возможности использования структур с квантовыми точками Ge в кремниевых оптоэлектронных приборах и СВЧ-устройствах. Проведены экспериментальные исследования атомных и молекулярных процессов формирования массивов квантовых точек при молекулярно-лучевой эпитаксии. Обнаружено влияние суперструктуры и морфологии поверхности на упорядочение нанокластеров в латеральном направлении. Обсуждается возможность разработки воспроизводимой технологии создания приборных устройств на основе эпитаксиальных Ge/Si-наногетероструктур. Доп.точки доступа: Пчеляков, О. П.; Двуреченский, А. В.; Никифоров, А. И.; Войцеховский, А. В.; Григорьев, Д. В.; Коханенко, А. П. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg[1-x]Cd[x]Te (x = 0, 29-0, 31) с резкими неоднородностями по составу [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 3. - С. 3-9. . - Библиогр.: c. 9 (14 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьерные области -- варизонные слои -- диэлектрики -- МДП-структуры -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- МЛЭ -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- неоднородность структур -- полупроводники -- резкие неоднородности структур -- теллурид кадмия ртути Аннотация: Исследовано влияние областей с периодическими резкими неоднородностями по составу толщиной 48-54 нм на электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-Hg[1-x]Cd[x]Te с х = 0, 29-0, 31, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что основные электрофизические и фотоэлектрические характеристики качественно сходны для МДП-структур на основе n-Hg[1-x]Cd[x]Te с резкими неоднородностями по составу (''барьеры'') и без ''барьеров''. Показано, что наибольшее влияние на электрические характеристики оказывают ''барьерные области'', расположенные непосредственно вблизи границы раздела диэлектрик - полупроводник. Это влияние заключается в увеличении эффективной толщины диэлектрика, что может быть вызвано тем, что области повышенного состава образуют потенциальные барьеры для электронов, а также в уменьшении времени релаксации неравновесных носителей из-за рекомбинации на границах областей с резким изменением состава. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Костюченко, В. Я. Влияние профиля варизонных приграничных областей гетероструктур кадмий - ртуть - теллур р-типа на эффективную скорость поверхностной рекомбинации [Текст] / В. Я. Костюченко, Д. Ю. Протасов, А. В. Войцеховский // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 7. - С. 53-58. - Библиогр.: c. 57-58 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): варизонные слои -- кадмий - ртуть - теллур -- скорость поверхностной рекомбинации -- фотогенерированные носители заряда Аннотация: Рассмотрено влияние на эффективную скорость поверхностной рекомбинации в гетероструктурах на основе соединения кадмий - ртуть - теллур р-типа проводимости варизонной приграничной области с линейным изменением ширины запрещенной зоны и потенциальной ступеньки. Показано, что для снижения эффективной скорости поверхностной рекомбинации необходимо, чтобы ширина запрещенной зоны увеличивалась на начальном участке более медленно, чем по линейному закону. Доп.точки доступа: Протасов, Д. Ю.; Войцеховский, А. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Изменение электрофизических свойств узкозонных твердых растворов CdHgTe под воздействием объемного разряда, инициируемого пучком электронов лавин в воздухе атмосферного давления [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 10. - С. 88-90. - Библиогр.: c. 90 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): высокопроводящие слои проводимости -- модификация поверхности -- наносекундные разряды -- объемные разряды -- полупроводники -- эпитаксиальные пленки CdHgTe Аннотация: Исследуется влияние объемного разряда наносекундной длительности, формирующегося в неоднородном электрическом поле при атмосферном давлении на образцы эпитаксиальных пленок CdHgTe (KPT) р-типа проводимости с концентрацией дырок 2 * 10[16] см[-3] и подвижностью 500 см[2] * В[-1] * с[-1]. Измерение электрофизических параметров образцов КРТ после облучения показало, что в приповерхностном слое эпитаксиальных пленок образуется слой, проявляющий n-тип проводимости. При 600 и более импульсах воздействия толщина и параметры образующегося n-слоя таковы, что измеряемая полевая зависимость коэффициента Холла соответствует материалу n-типа проводимости. Анализ первых результатов показал перспективность применения объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления для модификации электрофизических свойств КРТ. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Григорьев, Д. В.; Коротаев, А. Г.; Коханенко, А. П.; Тарасенко, В. Ф.; Шулепов, М. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе Cd_xHg_1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 8. - С. 50-55 : рис. - Библиогр.: c. 55 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): КРТ МЛЭ -- гетероэпитаксиальные структуры -- зонная диаграмма -- квантовая яма -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наногетероструктуры -- полупроводниковые структуры -- фотолюминесценция структур Аннотация: Представлена теоретическая модель описания зонной диаграммы и спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных (ГЭС) структур на основе Cd_xHg_1-xTe (КРТ) с потенциальными и квантовыми ямами (КЯ), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Особенностью представленной модели является то, что в ней учтена зависимость электронного сродства от состава КРТ и температуры, а также композиционные зависимости концентраций электронов в собственном и дырок в вакансионно-легированном КРТ. Проведены расчёты и сравнение с экспериментальными данными спектров фотолюминесценции различных структур с КЯ, описанных в литературных источниках. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Горн, Д. И.; Ижнин, И. И.; Ижнин, А. И.; Гольдин, В. Д.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.; Сидоров, Ю. Г.; Якушев, М. В.; Варавин, В. С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0,21-0,23) [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 8. - С. 56-62 : рис. - Библиогр.: c. 62 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Детали и узлы электрических аппаратов Кл.слова (ненормированные): МДП-структура -- металл-диэлектрик-полупроводник -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- теллурид кадмия ртути -- фотоэдс -- фотоэлектрические свойства МДП-структур Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости фотоЭДС МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) от напряжения смещения, частоты и температуры. Рассчитаны фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе эпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23), в том числе с учетом наличия приповерхностных варизонных слоев с повышенным составом CdTe при различных температурах. Проведено сравнение расчетных зависимостей с экспериментальными данными и показано, что дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) без варизонного слоя ограничено туннелированием через глубокие уровни, а для структур с варизонным слоем - диффузией носителей заряда. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Васильев, В. В.; Варавин В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Якушев, М. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Войцеховский, А. В. Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях Cd_xHg_1-xTe [Текст] / А. В. Войцеховский, М. С. Никитин, Н. Х. Талипов // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 5. - С. 104-109. - Библиогр.: c. 109 (13 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Кабельные изделия Кл.слова (ненормированные): гетероэпитаксиальные слои -- ионная имплантация -- фотодиоды Аннотация: Представлены результаты измерений темновых ВАХ планарных диодов с разной площадью, изготовленных на основе гетероэпитаксиальных слоев МЛЭ КРТ p-типа при различных режимах ионной имплантации бора. Показано, что диоды с n{+}/n{-}/р-переходом обладают гораздо меньшими темновыми токами и более высоким дифференциальным сопротивлением R_d по сравнению с резкими n{+}-р-переходами. Экспериментально установлено, что для n-р-переходов с разной площадью вместо параметра R_dA более корректным является параметр R_dA+_эфф, где A_эфф - эффективная площадь сбора неосновных носителей заряда. Доп.точки доступа: Никитин, М. С.; Талипов, Н. Х. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Свойства наноразмерного переходного слоя диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21…0,23) с приповерхностными варизонными слоями и без таких слоев [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2016. - Т. 7, № 4. - С. 39-47. - Библиогр.: c. 47 (19 назв. ) . - ISSN 2225-0999
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): МДП-структура -- варизонные слои -- диэлектрики-полупроводники -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наноразмерные переходные слои -- плотность поверхностных состояний -- проводимость структур -- электрофизические свойства МДП-структур Аннотация: Рассмотрены особенности электрофизических свойств МДП-структур на основе n (p) -Hg1-xCdxTe (x = 0. 21…0. 23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013) и Si (013). Обсуждены возможности определения основных параметров наноразмерного переходного слоя диэлектрик-полупроводник (плотности быстрых и медленных поверхностных состояний, концентрации подлегирующих дефектов донорного типа) для МДП-структур на основе n (p) -Hg1-xCdxTe (x = 0. 21…0. 23) с варизонным слоем и без варизонного слоя из полной проводимости структур, измеренной в широком диапазоне температур и частот. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Кульчицкий, Н. А.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |