Болховитянов, Ю. Б. Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок [Текст] / Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков // Успехи физических наук. - 2008. - Т. 178, N 5. - С. 459-480 : 20 рис. - Библиогр.: с. 479-480 (232 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремниевые подложки -- гетероструктуры -- эпитаксиальные формирования -- наноэлектроника Аннотация: В настоящем обзоре систематизирован и обобщен достигнутый уровень понимания фундаментальных физических механизмов эпитаксиального формирования GaAs и соединений типа A{III}B{V} на его основе на подложках SI; представлены также основные технологические приемы, способствующие улучшению качества таких гетероструктур. Доп.точки доступа: Пчеляков, О. П. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Экспериментальное наблюдение перемещения краевых дислокаций в гетероструктурах Ge / Ge[x]Si[1-x] / Si(001) (x=0.2-0.6) [Текст] / Ю. Б. Болховитянов [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2016. - Т. 150, вып. 5. - С. 955-962. - Библиогр. в конце статьи . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): буферные слои -- гетероструктуры -- дислокации -- дислокации краевого типа -- дислокационная структура -- дислокационные взаимодействия -- краевые дислокации -- молекулярная эпитаксия -- перемещения в гетероструктурах -- экспериментальные наблюдения -- электронная микроскопия Аннотация: Методом высокоразрешающей электронной микроскопии с атомным разрешением исследованы краевые дислокации в гетероструктурах. Доп.точки доступа: Болховитянов, Ю. Б.; Гутаковский, А. К.; Дерябин, А. С.; Соколов, Л. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Образование дислокационных пар в гетероструктуре Ge/GeSi/Si(001) [Текст] / Ю. Б. Болховитянов [и др.] // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 2. - С. 284-287 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (21 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): GeSi -- буферные слои -- гетероструктуры -- дислокационные пары -- краевые дислокации -- пленка Ge Аннотация: В гетероструктурах (ГС) Ge/LTGe/GeSi/Si (001) буферный слой GeSi в определенном диапазоне параметров и режимов их роста остается псевдоморфным, в то время как пленка Ge полностью релаксирована за счет сетки краевых дислокаций, расположенной на границе раздела Ge/GeSi. Доп.точки доступа: Болховитянов, Ю. Б.; Гутаковский, А. К.; Дерябин, А. И.; Соколов, Л. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |