Макушин , М.
    Государство и полупроводниковая промышленность - заботливый опекун курочки рябы [Текст] : зарубежный опыт / М. Макушин // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2002. - № 6. - С. 60 - 65
ББК 32.852
Рубрики: Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
Промышленность полупроводниковая -- Стимулирование наукоемких производств -- Финансовая помощь -- Налоговые льготы -- Таможенное регулирование

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : з.п. (1)
Свободны: з.п. (1)




    Воторопин, С. Д.
    Анализ автодинного эффекта радиоимпульсного генератора [Текст] / С. Д. Воторопин, В. Я. Носков, С. М. Смольский // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 3. - С. 64-70. - Библиогр.: с. 70 (21 назв. )
УДК
ББК 32.847 + 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Импульсные устройства

   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
автодинный эффект -- радиоимпульсный генератор -- импульсная модуляция -- автосмещение
Аннотация: Представлены теоретические и экспериментальные результаты исследований автодинного генератора с импульсной модуляцией, находящегося под воздействием собственного отраженного излучения. Получены основные соотношения для анализа автодинного отклика в зависимости от величины времени запаздывания отраженного излучения. Рассмотрены особенности автоколебаний таких автодинов, позволяющих улучшить их эксплуатационные характеристики и расширить функциональные возможности автодинных систем ближней радиолокации. Экспериментальные результаты получены для генераторного модуля "Тигель-08", выполненного по гибридно-интегральной технологии на диоде Ганна миллиметрового диапазона длин волн.


Доп.точки доступа:
Носков, В. Я.; Смольский, С. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Казьмирук, В. В.
    Сканирующие электронные микроскопы МикроСкан серии МС20 [Текст] / В. В. Казьмирук // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1550-1553. : рис. - Библиогр.: c. 1553 (2 назв. )
УДК
ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
сканирующие электронные микроскопы -- микролитографы -- системные модули -- видеоконтрольные устройства -- электронно-лучевая литография -- принцип модульности -- ионно-оптические системы
Аннотация: В ИПТМ РАН разработана новая серия сканирующих электронных микроскопов (СЭМ) МикроСкан-МС20. Основная их отличительная особенность - модульность конструкции абсолютно всех узлов и систем, что позволило достичь высокого уровня унификации.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Скибицкая, Н. А.
    Методика исследования в растровом электронном микроскопе матричной нефти [Текст] / Н. А. Скибицкая, В. А. Кузьмин, А. В. Гаршев // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1567-1570. : рис. - Библиогр.: c. 1570 (7 назв. )
УДК
ББК 22.338 + 32.852
Рубрики: Физика
   Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях

   Радиоэлектроника

   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
растровые электронные микроскопы -- карбонатные минерально-органические полимеры -- матричная нефть -- карбонатные породы -- локальные возмущения -- уравнения Ландау-Лифшица -- Ландау-Лифшица уравнения
Аннотация: Предложены методы исследования сколов пород в РЭМ при различных ускоряющих напряжениях, позволяющие идентифицировать матричную нефть за счет выделения фазы с высоким содержанием легких элементов (углерода).


Доп.точки доступа:
Кузьмин, В. А.; Гаршев, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Носов, Юрий.
    Страсти по транзистору [Текст] : оратория в трех частях с прологом и эпилогом / Ю. Носов // Знание-сила. - 2008. - N 12. - С. 95-102. . - Окончание. Нач.: N 11
УДК
ББК 32.852 + 32г
Рубрики: Полупроводниковые приборы
   История радиоэлектроники

   Радиоэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
транзисторы -- изобретение транзисторов
Аннотация: История изобретения транзистора.


Доп.точки доступа:
Шокли, У. (физик)

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Носов, Юрий.
    Страсти по транзистору [Текст] : оратория в трех частях с прологом и эпилогом / Ю. Носов // Знание-сила. - 2008. - N 11. - С. 100-105. . - Окончание следует
УДК
ББК 32г + 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   История радиоэлектроники

   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
транзисторы -- изобретение транзисторов
Аннотация: Об изобретении транзистора.


Доп.точки доступа:
Шокли, У. (физик)

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    Особенности ядерно-физического эксперимента на космических аппаратах с длительным сроком активного функционирования [Текст] / М. В. Анохин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 7. - С. 1031-1034. : Рис. - Библиогр.: c. 1034 (4 назв. )
УДК
ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
ионизирующее облучение -- радиационная стойкость -- космические аппараты -- ядерно-физические эксперименты -- радиационная защита -- радиационные поля -- вероятностно-микродозиметрическая методика -- спектры линейной передачи энергии -- прибор с зарядовой связью ЛЕВ
Аннотация: Несмотря на привлечение значительных сил и средств к обеспечению радиационной стойкости космической аппаратуры, срок активного функционирования космических приборов и бортовой астрофизической аппаратуры в значительной степени ограничивается воздействием ионизирующего облучения космического пространства.


Доп.точки доступа:
Анохин, М. В.; Галкин, В. И.; Добриян, М. Б.; Дубов, А. Е.; Малков, А. К.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Воторопин, С. Д.
    Анализ автодинного эффекта радиоимпульсного генератора с частотной модуляцией [Текст] / С. Д. Воторопин, В. Я. Носков, С. М. Смольский // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 7. - С. 80-88. . - Библиогр.: c. 88 (10 назв. )
УДК
ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
автодинные генераторы -- автодины -- Ганна диоды -- диоды Ганна -- радиоимпульсные генераторы -- частотные модуляции
Аннотация: Представлены результаты исследований автодинного генератора с одновременной импульсной и частотной модуляцией, находящегося под воздействием собственного отражённого излучения. Получены основные соотношения для анализа автодинного отклика в зависимости от величины времени запаздывания отражённого излучения при произвольном законе модуляции частоты. Рассмотрены особенности автоколебаний таких автодинов, позволяющих улучшить характеристики и расширить функциональные возможности автодинных систем ближней радиолокации. Результаты анализа подтверждены созданными экспериментальными образцами автодинных датчиков на основе генераторов на диодах Ганна миллиметрового диапазона, использующих описанные принципы действия.


Доп.точки доступа:
Носков, В. Я.; Смольский, С. М.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Ганеев, Р. А.
    Формирование различных периодических наноструктур на полупроводниках [Текст] / Р. А. Ганеев // Оптика и спектроскопия. - 2009. - Т. 106, N 1. - С. 149-153. : ил. - Библиогр.: с. 153 (16 назв. )
УДК
ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- периодические наноструктуры -- наноструктуры -- наноотверстия -- фемтосекундные импульсы
Аннотация: Исследовано взаимодействие импульсов фемтосекундной длительности с поверхностями полупроводников, при котором наблюдалось появление различных наноструктур и наноотверстий.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    Механизмы ядерных реакций при взаимодействии космической радиации с материалами и наноструктурами [Текст] / Е. Н. Воронина [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 2. - С. 208-212. . - Библиогр.: c. 212 (13 назв. )
УДК
ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
ядерные реакции -- космическая радиация -- наноструктуры -- одиночные сбои -- космические аппараты -- оборудование космических аппаратов -- сечения сбоев -- микроэлектроника -- солнечные космические лучи
Аннотация: Выполнен анализ механизма возникновения сбоев в элементах микроэлектроники за счет ионизации атомов ядрами отдачи и вторичными фрагментами, образующимися при ядерных взаимодействиях протонов и легких ионов космического излучения с веществом.


Доп.точки доступа:
Воронина, Е. Н.; Галанина, Л. И.; Зеленская, Н. С.; Лебедев, В. М.; Милеев, В. Н.; Новиков, Л. С.; Синолиц, В. В.; Спасский, А. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    Исследование возможности состояния детекторов мощных рентгеновских импульсов наносеундной длительности на арсениде галлия [Текст] / Г. И. Айзенштат [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 9. - С. 14-18. . - Библиогр.: с. 18 (6 назв. )
УДК
ББК 32.85 + 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Электроника в целом

   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
GaAs-детекторы -- арсенид галлия -- детекторы рентгеновских импульсов -- рентгеновские детекторы -- рентгеновские импульсы
Аннотация: Дnя детектирования мощных рентгеновских импульсов наносекундной длительности предложено использовать детекторы из полуизолирующего арсенида галлия, компенсированного хромом. Источником импульсного рентгеновского излучения служила рентгеновская установка на основе малогабаритного электронного ускорителя прямого действия "Синус-150", созданного в Институте сильноточной электроники СО РАН г. Томска. Показано, что детекторы способны детектировать без искажений импульсы длительностью порядка 5 нс при экспозиционной дозе более 30 мР за один импульс. При этом через активную область детектора площадью 0, 2 см{2} протекали амперные токи. Установлено, что физические процессы, ограничивающие работоспособность детекторов на арсениде галлия, связаны с процессами захвата неравновесных электронов и дырок на глубокие центры. При концентрациях неравновесных носителей, превышающих значения 5 10{13} см{3}, в активной области формируются неравномерные распределения электрического поля, которые могут привести, в конечном счете, к искажению формы выходного сигнала с детектора.


Доп.точки доступа:
Айзенштат, Г. И.; Афанасьев, К. В.; Лелеков, М. А.; Ростов, В. В.; Толбанов, О. П.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    Профили распределения дефектов в варизонных слоях гетероэпитаксиальных структур p-НgСdТе при ионно-лучевом травлении [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 9. - С. 51-56. . - Библиогр.: c. 56 (10 назв. )
УДК
ББК 32 + 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника в целом
   Радиоэлектроника

   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
варизонные слои -- гетероэпитаксиальные структуры -- ионно-лучевое травление -- полупроводники -- фотоприемные устройства
Аннотация: Представлены результаты исследований по пространственному распределению донорных центров в варизонных слоях HgCdTe р-типа с различным профилем состава в приповерхностной области после ионно-лучевого травления. Обнаружено, что глубина п{+}-слоя, образующегося после облучения, слабо зависит от режимов ионно-лучевого травления и состава поверхности материала и составляет величину 0, 5-1 мкм. С увеличением времени травления наблюдается рост концентрации электронов в п{+}-слое на поверхности. Показано, что режимы ионно-лучевого травления и состав приповерхностной области существенно влияют только на глубину п{-} -слоя с низкой концентрацией электронов. Анализ экспериментальных данных показывает, что процесс ионно-лучевого травления в гетероэпитаксиальных структурах p-НgСdТе с градиентом состава в приповерхностной области отличен от травления в однородных эпитаксиальных структурах и кристаллах HgCdTe.


Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Волков, В. С.; Григорьев, Д. В.; Ижнин, И. И.; Коротаев, А. Г.; Коханенко, А. П.; Посяцк, М.; Средин, В. Г.; Талипов, Н. Х.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Нудельман, Р.
    Led, Oled, Toled и все такое прочее [Текст] / Р. Нудельман // Знание-сила. - 2008. - N 2. - С. 71-73.
УДК
ББК 32.852 + 32.854
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы

   Фотоэлектрические приборы

Кл.слова (ненормированные):
светоизлучающие диоды -- СИД -- LED -- OLED -- TOLED -- Light Emmiting Divice -- ПСИД -- полимерные СИДы -- светящиеся покрытия
Аннотация: О светоизлучающих диодах.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Казьмирук, В. В.
    Новые принципы создания многолучевых микроминиатюрных электронно-оптических систем для диагностики полупроводниковых структур [Текст] / В. В. Казьмирук, Т. В. Савицкая // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 4. - С. 485-488. : рис. - Библиогр.: c. 488 (11 назв. )
УДК
ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
микрооптические системы -- электронно-оптические расчеты -- тонкие пленки -- электронная оптика -- электронно-лучевые МОС -- детекторы вторичных электронов -- сверхвысокое разрешение
Аннотация: Предложен новый подход к созданию диагностических электронно-оптических систем (ЭОС) высокого (10-30 нм) и сверхвысокого (до 2 нм) разрешения для дефектоскопии полупроводниковых пластин большого диаметра.


Доп.точки доступа:
Савицкая Т. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    О едином физическом и модельном представлении магниточувствительных свойств биполярных транзисторных структур [Текст] / М. А. Глауберман [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 1. - С. 58-66.
УДК
ББК 22.379 + 32.852
Рубрики: Физика полупроводников и диэлектриков
   Физика

   Полупроводниковые приборы

   Радиоэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
биполярные полупроводниковые транзисторные структуры -- магнитная чувствительность -- магниточувствительные свойства -- полупроводники -- транзисторы
Аннотация: Анализируются основные физические механизмы работы биполярных полупроводниковых транзисторных структур (БМС). Показано, что вертикальные магниточувствительные структуры подлежат исключению из класса БМС, а горизонтальные с точки зрения модельных представлений составляют единый класс независимо от направления магнитной оси. Механизмы чувствительности БМС, в которых определяющим параметром является подвижность носителей, допускают единое по форме модельное представление и поэтому могут рассматриваться как единый механизм перераспределения. Магниточувствительность БМС при определении ее эффективностью преобразования достаточно корректно описывается одномерным уравнением непрерывности, причем независимо от конкретных граничных условий.


Доп.точки доступа:
Глауберман, М. А.; Егоров, В. В.; Канищева, Н. А.; Козел, В. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    Применение фуллеренов и углеродных нанотрубок для создания композиционых материалов [Текст] / Ю. В. Соколов [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 6. - С. 94-95 . - ISSN 0015-3214
УДК
ББК 32.852 + 35.71
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы

   Химическая технология

   Высокомолекулярные соединения в целом

Кл.слова (ненормированные):
фуллерены -- нанотрубки -- углеродные нанотрубки -- композиционные материалы -- нанокомпозиты -- полимерные нанокомпозиционные материалы -- фрактальные углеродные депозиты -- наноматериалы -- строительные нанокомпозиты -- электродуговые установки
Аннотация: О производстве фуллеренов и углеродных нанотрубок в промышленных масштабах, которое осуществлялось на специально разработанной электродуговой установке.


Доп.точки доступа:
Соколов, Ю. В.; Битюцкая, Л. А.; Перцев, В. Т.; Гончарова, Н. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Березанская, В. М.
    ФИАН - создатель первого российского транзистора [Текст] : неизвестная страница истории отечественной электроники / В. М. Березанская // Вестник Российской академии наук. - 2010. - Т. 80, N 2. - С. 169-176. - Библиогр.: с. 176 (12 назв. ) . - ISSN 0869-5873
УДК
ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
грифы секретности -- микроманипуляторы -- научные разработки -- полупроводниковые приборы -- радиотехническая промышленность -- транзисторы -- электронная промышленность
Аннотация: Цель публикации - рассказать о разработках Академии наук по полупроводниковым приборам, которые многие годы скрывались под грифом секретности.


Доп.точки доступа:
Лебедев, П. Н.; Российская академия наукРАН \физический институт им. п. н. лебедева академии наук ссср; фиан\

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Воторопин, С. Д.
    Анализ автодинного эффекта генераторов с линейной частотной модуляцией [Текст] / Воторопин С. Д., Носков В. Я., Смольский С. М. // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 6. - С. 54-60 . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 32.852
Рубрики: Полупроводниковые приборы
   Радиоэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
автодинный эффект генераторов -- автоколебания автодинов -- генераторы с линейной частотной модуляцией -- полупроводниковые диоды
Аннотация: Получены общие выражения для автодинного отклика при произвольном законе частотной модуляции как по цепи смещения активного элемента, так и при изменении напряжения на варикапе. Представлены результаты исследований автодинного генератора с линейной частотной модуляцией по несимметричному и симметричному пилообразным законам, находящегося под воздействием собственного отраженного излучения. Рассмотрены особенности автоколебаний таких автодинов, позволяющих улучшить характеристики и расширить функциональные возможности автодинных систем ближней радиолокации. Экспериментальные результаты получены для генераторного модуля <Тигель-08ЧМ>, выполненного по гибридно-интегральной технологии на диоде Ганна миллиметрового диапазона.


Доп.точки доступа:
Носков, В. Я.; Смольский, С. М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




    Половинкин, А. В.
    Восстановление квазиоптимального сигнала активации возбудимых систем по предшествующим реализациям шума [Текст] / А. В. Половинкин, А. К. Крюков // Известия вузов. Радиофизика. - 2010. - Т. 53, № 1. - С. 60-76. - Библиогр.: с. 75-76 (47 назв. )
УДК
ББК 32.852 + 22.37
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы

   Физика

   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
Нагумо-ФитцХью система -- сигнал активации -- система Нагумо-ФитцХью -- система ФитцХью-Нагумо -- система Ходжкина-Хаксли -- ФитцХью-Нагумо система -- Хаксли-Ходжкина система -- Ходжкина-Хаксли система -- система Хаксли-Ходжкина -- система Луо-Руди -- Луо-Руди система -- Руди-Луо система -- система Руди-Луо -- флуктуации -- фильтрация -- гамильтоновые уравнения -- уравнения гамильтоновые
Аннотация: Предложен метод получения сигнала, приводящего к активации возбудимой динамической системы при энергии сигнала, близкой к минимальной. Эффективность данного метода, основанного на записи и обработке реализаций шума, предшествующих активации, проверена на примерах систем ФитцХью-Нагумо, Ходжкина-Хаксли и Луо-Руди.


Доп.точки доступа:
Крюков, А. К.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Черемисинова, Л. Д.
    Оценка энергопотребления КМОП-схем на логическом уровне [Текст] / Л. Д. Черемисинова // Информационные технологии. - 2010. - N 8. - С. 27-35. . - Библиогр.: с. 35 (20 назв. )
УДК
ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
микроэлектронные технологии -- БИС -- большие интегральные схемы -- энергопотребление -- КМОП-технологии -- логическое проектирование -- синхронные схемы
Аннотация: Рассматриваются и анализируются критерии оценки энергопотребления синхронных схем, реализуемых по КМОП-технологии, на этапе логического проектирования.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)