Лаврентьева, Л. Г. Дефекты в слоях GaAs и InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах [Текст] / Л. Г. Лаврентьева [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 12. - С. 63-72. - Библиогр.: с. 71-72 (34 назв. )
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений Кл.слова (ненормированные): дефекты в слоях GaAs и InGaAs -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- морфология ростовой поверхности -- отжиг (физика) -- электронная микроскопия Аннотация: В статье обсуждается проблема дефектообразования в слоях GaAs и InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах. Анализируется влияние условий роста (температура, соотношение потоков элементов групп) на морфологию ростовой поверхности, внутреннюю структуру, тип и концентрацию электрически и оптически активных точечных дефектов. Проведено сопоставление процессов дефектообразования в GaAs и InGaAs при росте и последующем отжиге. Доп.точки доступа: Вилисова, М.Д.; Бобровникова, И.А.; Ивонин, И.В.; Преображенский, В.В.; Чалдышев, В.В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Гурин, П. В. Транспорт и ферромагнетизм в структурах с квантовой ямой InGaAs, дельта-легированной Mn [Текст] / П. В. Гурин, В. А. Кульбачинский [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, N 1. - С. 205-208. - Библиогр.: с. 208
Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): транспорт -- ферромагнетизм -- квантовые ямы -- дельта-легированные марганцем -- марганец Аннотация: Исследованы транспорт и ферромагнетизм в структурах с квантовой ямой InGaAs, дельта-легированной Mn. Доп.точки доступа: Кульбачинский, В.А.; Данилов, Ю.А.; Звонков, Б.Н.; Аронзон, Б.А.; Давыдов, А.Б.; Рыльков, В. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Излучательные свойства квантовых ям GaAs/InGaAs с барьером GaAs, бета-легированным атомами Mn [Текст] / О. В. Вихрова [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 16-19. . - Библиогр.: c. 19 (7 назв. )
Рубрики: Физика Люминесценция Радиоэлектроника Теоретические основы радиотехники Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция -- квантово-размерные гетероструктуры GaAs/InGaAs -- бета (Mn) -легирование -- МОС-гидридная эпитаксия -- лазерное распыление -- квантовые ямы -- фотолюминесценция -- Шоттки барьеры -- барьеры Шоттки -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды Аннотация: Проведено исследование структурных, электрических и люминесцентных свойств квантово-размерных гетероструктур GaAs/InGaAs, модифицированных бета (Mn) -легированием GaAs-барьера. Доп.точки доступа: Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Демина, П. Б.; Дорохин, М. В.; Звонков, Б. Н.; Прокофьева, М. М.; Дроздов, Ю. Н.; Сапожников, М. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Белоконев, В. Приборы ночного видения с фотоприемника на основе InGaAs [Текст] / В. Белоконев, В. Волков // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2009. - N 2. - С. 82-85. . - Библиогр.: с. 85 (8 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): приборы ночного видения -- ПНВ -- фотоприемники -- электронно-оптические системы -- ночные бинокли -- бинокли с лазерным дальномером -- очки ночного видения Аннотация: Предложен ряд электронно-оптических систем для ПНВ, в которых используется канал в диапазоне 1, 0-1, 7 мкм. Доп.точки доступа: Волков, В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (заказ статей по ЭДД) (1) Свободны: эн.ф. (заказ статей по ЭДД) (1) |
Математическая модель для расчета сегрегации индия и напряжений несоответствия в наноразмерных гетероструктурах InGaAs/GaAs [Текст] / Р. Х. Акчурин [и др. ] // Математическое моделирование. - 2009. - Т. 21, N 5. - С. 114-126. : 4 табл., 4 рис. - Библиогр.: с. 125-126 (32 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): наноразмерные гетероструктуры -- сегрегация индия -- математические модели -- многослойные гетероструктуры Аннотация: Предложена модель для прогнозирования концентрационных профилей индия и напряжений несоответствия в многослойных гетероструктурах InGaAs/GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии. Моделирование основано на рассмотрении процесса эпитаксиального роста как последовательности формирования воображаемых эпитаксиальных слоев с толщиной, равной параметру кристаллической решетки. Для каждого такого слоя определяются упругие напряжения и вызванное ими смещение термодинамического равновесия, определяющее изменение состава наращиваемого твердого раствора InGaAs. Доп.точки доступа: Акчурин, Р. Х. (МИТХТ им. М. В. Ломоносова); Берлинер, Л. Б. (МИТХТ им. М. В. Ломоносова); Малджы, А. А. (МИТХТ им. М. В. Ломоносова); Мармалюк, А. А. (ООО "Сигм Плюс") Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Кульбачинский, В. А. Термодинамические, транспортные и магнитотранспортные свойства свободных носителей заряда в легированных марганцем структурах с квантовой ямой GaAs/InGaAs/GaAs [Текст] / В. А. Кульбачинский, Л. Ю. Щурова // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 1. - С. 135-147. . - Библиогр.: с. 146-147
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): свободные носители заряда -- углерод -- транспортные свойства -- марганец -- термодинамические свойства -- заряды -- квантовая яма -- носители заряда -- магнитотранспортные свойства -- легированные марганцем структуры -- легированные структуры с квантовой ямой Аннотация: Проанализированы результаты исследования магнитных и транспортных свойств в легированных углеродом и марганцем стуктурах с разных сторон квантовой ямы GaAs/InGaAs/GaAs при наличии ферромагнитной фазы. Доп.точки доступа: Щурова, Л. Ю. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Резонансы Фано в спектре примесного фототока в соединении GaAs и в гетероструктуре InGaAs/GaAsP с квантовыми ямами, легированных мелкими акцепторами [Текст] / В. Я. Алешкин [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 3. - С. 543-549. . - Библиогр.: с. 549
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): фототоки -- резонансы Фано -- Фано резонансы -- гетероструктуры -- легирование -- квантовые ямы -- акцепторы -- спектр примесного фототока -- примесные фототоки -- мелкие акцепторы Аннотация: В спектрах фототока образцов p-GaAs и в гетероструктурах p-InGaAs/GaAsP с квантовыми ямами, легированных мелкими акцепторами (C, Be, Zn), обнаружены и исследованы резонансы Фано, связанные с основным и возбужденными акцепторными состояниями. Доп.точки доступа: Звонков, Б. Н.; Алешкин, В. Я.; Гавриленко, В. И.; Гавриленко, Л. В.; Антонов, А. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Электронный транспорт в мезоскопических контактах сверхпроводник/двумерный электронный газ в сильном магнитном поле. [Текст] / И. Е. Батов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 7. - С. 934-936. . - Библиогр.: c. 936 (13 назв. )
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): S/2DEG/N-структуры -- вольт-амперные характеристики -- гибридные структуры -- мезоскопические контакты -- одиночные гетеропереходы InGaAs-InP -- осцилляции магнетосопротивления -- теория магнетотранспорта -- транспортные характеристики -- электронный транспорт Аннотация: Исследованы гибридные структуры сверхпроводник/двумерный электронный газ (S/2DEG) на основе одиночных гетеропереходов InGaAs-InP с высокоподвижным двумерным электронным газом и сверхпроводящих NbN-электродов. Доп.точки доступа: Батов, И. Е.; Schraepers, Th.; Щелкачев, Н. М.; Golubov, A. A.; Hardtdegen, H.; Ustinov, A. V. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Дмитриев, А. И. Электронный спиновый резонанс в гетероструктурах InGaAs/GaAs с дельта-слоем марганца [Текст] / А. И. Дмитриев, Р. Б. Моргунов, С. В. Зайцев // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 139, вып. 2. - С. 367-377. . - Библиогр.: с. 376-377
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): электронный спиновый резонанс -- спиновый резонанс -- гетероструктуры -- двумерные полупроводниковые гетероструктуры -- полупроводники -- квантовые ямы -- тонкий слой марганца -- марганец -- магнитные свойства -- фотолюминесценция -- полупроводниковые гетероструктуры Аннотация: Исследованы статистические и высокочастотные динамические магнитные свойства, а также фотолюминесценция двумерных полупроводниковых гетероструктур GaAs, содержащих квантовую яму InGaAs и тонкий слой марганца (дельта-слой). Доп.точки доступа: Моргунов, Р. Б.; Зайцев, С. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Айзенштат, Г. И. Измерение скорости насыщения электронов в квантовой яме AIGaAs/InGaAs [Текст] / Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, А. Ю. Ющенко // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 9. - С. 34-39. . - Библиогр.: c. 39 (10 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- гетероструктуры -- двумерный электронный газ -- дрейфовая скорость электронов -- квантовая яма Аннотация: В диапазоне температур 200-400 К измерены зависимости средней дрейфовой скорости электронов от напряженности электрического поля для двумерного электронного газа в квантовой яме гетероструктуры AIGaAs/InGaAs. Показано, что в указанном диапазоне температур скорость насыщения меняется от 1, 55 10{7} до 1, 3 10{7} см/с и существенно превышает значения этой скорости в объемном арсениде галлия. Доп.точки доступа: Божков, В. Г.; Ющенко, А. Ю. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Импульсный полупроводниковый лазер ИК диапазона с накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры InGaAs/AlGaAs [Текст] / М. М. Зверев [и др. ] // Оптика и спектроскопия. - 2011. - Т. 111, N 2. - С. 212-213. . - Библиогр.: с. 213 (6 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Импульсные устройства Кл.слова (ненормированные): импульсные лазеры -- полупроводниковые лазеры -- лазеры ИК диапазона -- накачка электронными пучками -- электронные пучки -- квантоворазмерные структуры -- лазерное излучение Аннотация: Полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком позволяют получать излучение на наперед заданной длине волны в широком спектральном диапазоне. Доп.точки доступа: Зверев, М. М.; Гамов, Н. А.; Жданова, Е. В.; Ладугин, М. А.; Мармалюк, А. А.; Перегудов, Д. В.; Студенов, В. Б. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Фотолюминесцентный отклик квантовой ямы на изменение магнитного поля дельта-слоя Mn в гетероструктурах InGaAs/GaAs [Текст] / А. И. Дмитриев [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 140, вып. 1. - С. 158-169. . - Библиогр.: с. 168-169
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотолюминесцентный отклик -- квантовая яма -- изменение магнитного поля -- магнитное поле -- дельта-слой Mn -- марганец -- гетероструктуры -- InGaAs/GaAs Аннотация: Исследован фотолюминесцентный отклик квантовой ямы на изменение магнитного поля дельта-слоя Mn в гетероструктурах InGaAs/GaAs. Доп.точки доступа: Дмитриев, А. И.; Таланцев, А. Д.; Зайцев, С. В.; Данилов, Ю. А.; Дорохин, М. В.; Звонков, Б. Н.; Коплак, О. В.; Моргунов, Р. Б. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Формирование спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs [Текст] / М. М. Прокофьева [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 2. - С. 255-258. - Библиогр.: c. 258 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Люминесценция Магнетизм Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры InGaAs/GaAs -- квантовые ямы -- Кюри температура -- магнитополевая зависимость -- МОС-гидридная эпитаксия -- спиновые светодиоды -- температура Кюри -- циркулярная поляризация -- электролюминесценция Аннотация: Исследована электролюминесценция светоизлучающих диодов на основе гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs и дельта (Mn) -легированным слоем в GaAs-барьере. Показано, что диоды излучают циркулярно поляризованный свет, степень поляризации которого зависит от приложенного магнитного поля и температуры. Предположено, что температурные зависимости степени поляризации обусловлены изменением взаимного расположения энергетических уровней ионов Mn в дельта-слое и дырок в квантовой яме. Доп.точки доступа: Прокофьева, М. М.; Дорохин, М. В.; Данилов, Ю. А.; Малышева, Е. И.; Кудрин, А. В.; Калентьева, И. Л.; Вихрова, О. В.; Звонков, Б. Н. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Динамика ядерной поляризации в квантовых точках InGaAs поперечном магнитном поле [Текст] / С. Ю. Вербин и [др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 141, вып. 4. - С. 778-789 : рис. - Библиогр.: с. 788-789 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): InGaAs -- индий -- галий -- мышьяк -- магнитное поле -- динамика ядерной поляризации -- квантовые точки -- компонент ядерной поляризации -- ядерная поляризация -- продольная компонента -- поперечная компонента -- система ядерных спинов -- эффект Ханле -- Ханле эффект Аннотация: Экспериментально исследован эффект Ханле с временным разрешением для отрицательно заряженных квантовых точек InGaAs/GaAs. Доп.точки доступа: Вербин, С. Ю.; Герловин, И. Я.; Игнатьев, И. В.; Кузнецова, М. С.; Чербунин, Р. В.; Флисинский, К.; Яковлев, Д. Р.; Байер, М. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Рост и свойства пленок GaAs, GaN и низкоразмерных структур GaAs/QWs InGaAs на подложках Si с буферным слоем Ge [Текст] / Ю. Н. Бузынин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 9. - С. 1153-1157. - Библиогр.: c. 1157 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Радиоэлектроника Электровакуумные приборы Кл.слова (ненормированные): вторичная ионная масс-спектрометрия -- квантовые ямы -- металлоорганическая газофазная эпитаксия -- метод МОГФЭ -- монокристаллические пленки -- низкоразмерные структуры -- фотолюминесценция -- химическое газовое осаждение Аннотация: Найдены условия получения методом химического газового осаждения с горячей проволокой (HW-CVD) при низкой температуре (350 град. С) зеркально гладких, однородных по площади буферных слоев Ge на подложках Si (100) и (111). Методом МОГФЭ при пониженном давлении на новых буферных слоях получены монокристаллические однородные гладкие пленки GaN и GaAs, а также низкоразмерные структуры GaAs/QW InGaAs/GaAs/QWInGaAs/GaAs/Ge/Si. Установлено, что квантовые ямы имеют интенсивную фотолюминесценцию, сравнимую по интенсивности с полученными на подложках GaAs. Доп.точки доступа: Бузынин, Ю. Н.; Шенгуров, В. Г.; Звонков, Б. Н.; Бузынин, А. Н.; Хрыкин, О. И.; Дроздов, М. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Денисов, С. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Скейлинг в режиме квантового эффекта Холла в наноструктурах n-InGaAs/GaAs [Текст] / Ю. Г. Арапов [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 144, вып. 1. - С. 166-175. - Библиогр.: с. 174-175 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): квантовый эффект Холла -- Холла квантовый эффект -- скейлинг -- наноструктуры n-InGaAs/GaAs Аннотация: Исследован переход плато-плато квантового эффекта Холла в наноструктуре n-InGaAs/GaAs в рамках теории скейлинга. Доп.точки доступа: Арапов, Ю. Г.; Гудина, С. В.; Клепикова, А. С.; Неверов, В. Н.; Новокшонов, С. Г.; Харус, Г. И.; Шелушинина, Н. Г.; Якунин, М. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Влияние особенностей дизайна гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитной примесью на их гальваномагнитные и излучательные свойства [Текст] / И. Л. Калентьева [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2014. - Т. 78, № 1. - С. 26-31. - Библиогр.: c. 31 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): МОС-гидридная эпитаксия -- квантовые ямы -- лазерное осаждение -- магнитные примеси -- рентгеновская дифракция -- фотолюминесценция Аннотация: Исследовано влияние содержания индия в квантовой яме InxGa[1-x]As и толщины спейсерного слоя GaAs между квантовой ямой и дельта-слоем Mn на гальваномагнитные и оптические (интенсивность и циркулярная поляризация фотолюминесценции) свойства структур, выращенных сочетанием МОС-гидридной эпитаксии и лазерного осаждения. Определены экспериментально и подтверждены модельными расчетами в одномерном приближении оптимальные значения толщины спейсера (около 4 нм) и содержания индия (x ~ 0. 14-0. 16) для наблюдения ферромагнетизма благодаря присутствию спин-поляризованных носителей как в области дельта-слоя, так и в квантовой яме. Доп.точки доступа: Калентьева, И. Л.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Дорохин, М. В.; Дроздов, Ю. Н.; Звонков, Б. Н.; Кудрин, А. В.; Юнин, П. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Катастрофическая деградация импульсных лазеров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с электронно-лучевой накачкой [Текст] / М. М. Зверев [и др.] // Оптика и спектроскопия. - 2013. - Т. 114, № 6. - С. 923-925 : граф. - Библиогр.: с. 925 (11 назв.). - Доклад, представленный на 15-й Международной конференции "Оптика лазеров", состоявшейся в Санкт-Петербурге 25-29 июня 2012 г. . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): генерация лазеров -- деградация импульсных лазеров -- импульсные лазеры -- конференции -- лазеры -- международные конференции -- электронный пучок Аннотация: Исследована катастрофическая деградация импульсных лазеров на основе структур InGaAs/AlGaAs/GaAs с различной конструкцией активной области с поперечной накачкой электронным пучком при T=300 К. Доп.точки доступа: Зверев, М. М.; Вальднер, В. О.; Гамов, Н. А.; Жданова, Е. В.; Ладугин, М. А.; Мармалюк, А. А.; Перегудов, Д. В.; Студенов, В. Б. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/n{+}-GaAs/(Ga,Mn)As [Текст] / Е. И. Малышева [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 11. - С. 2190-2194 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (13 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): As -- Ga -- GaAs -- InGaAs -- Mn -- инжекция -- кристаллография в целом -- туннелирование -- ферромагнитные структуры Аннотация: Проведено исследование спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и инжектором в виде ферромагнитного слоя (Ga, Mn) As. Доп.точки доступа: Малышева, Е. И.; Дорохин, М. В.; Здоровейщев, А. В.; Ведь, М. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Методы управления спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt [Текст] / М. В. Дорохин [и др.] // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 11. - С. 2135-2141 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (16 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков--Россия--Нижний Новгород, 2017 г. Кл.слова (ненормированные): GaAs -- InGaAs -- диоды -- инжекция -- осцилляции -- светоизлучающие диоды -- спиновая инжекция Аннотация: Исследована спиновая инжекция в спиновых светоизлучающих диодах CoPt/Al[2]O[3]/ (Al) GaAs. Доп.точки доступа: Дорохин, М. В.; Ведь, М. В.; Демина, П. Б.; Здоровейщев, А. В.; Кудрин, А. В.; Рыков, А. В.; Кузнецов, Ю. М. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |