Особенности магнитооптических спектров в Tb[3]Ga[5]O[12] [Текст] / У. В. Валиев [и др. ] // Оптика и спектроскопия. - 2007. - Т. 102, N 6. - С. 988-995
УДК
ББК 22.34
Рубрики: Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
магнитооптические спектры -- тербий-галлиевый гранат -- люминесценция -- спектры магнитного кругового дихроизма -- штарковские подуровни мультиплетов
Аннотация: Исследованы спектры магнитного кругового дихроизма в полосе поглощения \{7\}F[6] > \{5\}D[4], а также спектры магнитной циркулярной поляризации люминесценции в полосе люминесценции \{5\}D[4] > \{7\}F[5] в тербий-галлиевом гранате Tb[3]Ga[5]O[12] при температуре 80 К. Из анализа спектральных зависимостей магнитооптических и оптических спектров выполнена идентификация оптических переходов, происходящих между штарковскими подуровнями мультиплетов \{7\}F[6], \{7\]F[5] и \{5\}D[4]. Показано, что найденные экспериментально симметрия и энергии штарковских подуровней данных мультиплетов подтверждают результаты численных вычислений энергетического спектра редкоземельного иона Тb\{3+\} в тербиевом галлате-гранате.


Доп.точки доступа:
Валиев, У.В.; Gruber, J. B.; Sardar, D. K.; Мухаммадиев, А. К.; Рахимов, Ш. А.; Соколов, В. Ю.
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : з.п. (1)
Свободны: з.п. (1)




    Якунин, М. В.
    Магнитный пробой и квантовый магнитотранспорт с постоянным псевдоспином в наклонных магнитных полях в двойной квантовой яме n-In[x]Ga[1-x]As/GaAs [Текст] / М. В. Якунин, С. М. Подгорных, В. Н. Неверов // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, N 1. - . 241-249. - Библиогр.: с. 249
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- двойные квантовые ямы -- магнитные поля -- наклонные магнитные поля -- псевдоспины -- постоянный псевдоспин -- магнитный пробой -- квантовый магнитотранспорт -- магнитотранспорт
Аннотация: Исследуются магнитный пробой и квантовый магнитотранспорт с постоянным псевдоспином в наклонных магнитных полях в двойной квантовой яме n-In[x]Ga[1-x]As/GaAs.


Доп.точки доступа:
Подгорных, С.М.; Неверов, В.Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    Ориентационная зависимость эффекта памяти формы и сверхэластичности в ферромагнитных монокристаллах Co[49]Ni[21]Ga[30] [Текст] / И. В. Киреева [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2007. - Т. 416, N 2. - С. . 187-191. - Библиогр.: с. 191 (10 назв. )
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
ферромагнитные сплавы -- монокристаллы -- деформации -- сверхэластичность -- дифракционная электронная микроскопия
Аннотация: Изучена зависимость напряжений, необходимых для образования мартенсита под нагрузкой, эффекта памяти формы и сверхэластичности от ориентации оси кристаллов, способа деформации и температуры испытания.


Доп.точки доступа:
Киреева, И. В.; Чумляков, Ю. И.; Победенная, З. В.; Караман, И.; Калашников, И. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Зайцев, С. В.
    Структура, диэлектрические и проводящие свойства твердых растворов браунмиллерита (La[0. 2]Sr[1. 8]) [Ga (Fe[1-х]М[х]]O[5. 1+-y], M = Cu, Ni [Текст] / С. В. Зайцев, Г. М. Калева, Е. Д. Политова // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 5. - С. 624-627. - Библиогр.: c. 627 (7 назв. )
УДК
ББК 35.43
Рубрики: Химическая технология
   Стекло и стеклоизделия

Кл.слова (ненормированные):
браунмиллерит -- кристаллическая структура -- диэлектрические свойства -- электропроводящие свойства -- ионная проводимость -- оксиды -- керамики -- твердые растворы
Аннотация: Изучены кислородпроводящие керамики со структурой браунмиллерита (La[0. 2]Sr[1. 8]) [Ga (Fe[1-х]М[х]]O[5. 1+-y] (M = Cu, Ni). Выявлено сжатие кристаллической решетки при увеличении содержания катионов никеля, указывающее на возможное присутствие катионов в степени окисления Ni{4+} и повышение полной проводимости при замещении катионов железа катионами никеля и меди, свидетельствующее об усилении электронной составляющей проводимости.


Доп.точки доступа:
Калева, Г. М.; Политова, Е. Д.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    Геометрические фрустрации в магниторазбавленных сложных оксидах LiMO[2] (M-Sc, Ga, 3d-элементы) [Текст] / А. А. Селютин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 5. - С. 740-742. - Библиогр.: c. 742 (5 назв. )
УДК
ББК 24.5
Рубрики: Химия
   Физическая химия в целом

Кл.слова (ненормированные):
сложные оксиды -- объемная керамика -- магнитные свойства -- магнитная фрустрация -- магнитное разбавление -- геометрическая фрустрация -- нанокластеры
Аннотация: На примере сложных оксидов LiMO[2] (M-Sc, Ga; Fe, Co, Ni) изучено влияние локального окружения атома переходного элемента на свойства объемной керамики.


Доп.точки доступа:
Селютин, А. А.; Бобрышева, Н. П.; Вейнгер, А. И.; Семенов, В. Г.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    Металлическая проводимость в асимметричных квантовых ямах p-In[x]Ga[1-x]As [Текст] / А. В. Германенко [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 236-239. - Библиогр.: c. 239 (16 назв. )
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
температурная зависимость -- двумерный дырочный газ -- проводимость -- металлическая температурная зависимость -- асимметричное легирование -- эффект Бычкова-Рашбы -- квантовые ямы -- Бычкова-Рашбы эффект -- экспериментальные исследования
Аннотация: Исследована температурная зависимость двумерного дырочного газа в асимметричной квантовой яме GaAs/Ga[1-x]As/GaAs. Показано, что быстрая спиновая релаксация приводит к металлическому ходу температурной зависимости проводимости.


Доп.точки доступа:
Германенко, А. В.; Миньков, Г. М.; Рут, О. Э.; Шерстобитов, А. А.; Звонков, Б. Н.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Родный, П. А..
    Люминесценция кристалла ZnO: Ga при возбуждении в вакуумной ультрафиолетовой области [Текст] / П. А. Родный, Г. Б. Стрыганюк, И. В. Ходюк // Оптика и спектроскопия. - 2008. - Т. 104, N 2. - С. 245-247
УДК
ББК 22.345
Рубрики: Физика
   Люминесценция

Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- монокристаллы -- ZnO: Ga -- вакуумный ультрафиолетовый диапазон
Аннотация: Изучены спектрально-кинетические характеристики монокристалла ZnO: Ga при возбуждении в вакуумной ультрафиолетовой области. При температуре 8 К экситонная линия люминесценции с максимумом при 3. 356 эВ имеет крайне малую полуширину, равную 7. 2 мэВ, и малое время спада, равное 360 пс. В видимой области регистрируется широкая полоса люминесценции с максимумом при приближенно 2. 1 эВ с длительным свечением при 8 К и временем спада наносекундного диапазона при температуре 300 К. Измерены спектры возбуждения люминесценции ZnO: Ga в области от 4 до 12. 5 эВ.


Доп.точки доступа:
Стрыганюк, Г. Б.; Ходюк, И. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Дюбуа, А. Б.
    Схема-модель межподзонных электрон-электронных взаимодействий в сильнолегированном гетеропереходе Al[2]Ga[1-x]As (Si) /GaAs [Текст] / А. Б. Дюбуа // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 1. - С. 45-51. - Библиогр.: c. 51 (12 назв. )
УДК
ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
   Электротехника в целом

Кл.слова (ненормированные):
2D-электроны -- межподзонные электрон-электронные взаимодействия -- сильнолегированный гетеропереход -- электрон-электронные релаксационные процессы
Аннотация: Сообщаются результаты исследований электрон-электронных релаксационных процессов в системе сильно вырожденных 2D-электронов с тонкой структурой энергетического спектра и пространственного распределения электронной плотности. Для сильнолегированного гетероперехода, когда оказываются заполненными две подзоны размерного квантования, найдены выражения для времени электрон-электронного внутри- и межподзонного взаимодействия, определены матричные элементы полного потенциала экранирования и диэлектрической функции в приближении, далеком от длинноволнового предела. Показано, что осцилляции температурной и концентрационной зависимости времени электрон-электронного взаимодействия связаны с возбуждением плазменных колебаний компонентов 2D-электронной системы.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : з.п. (1)
Свободны: з.п. (1)




    Тимофеева, Е. Е.
    Закономерности термоупругих мартенситных превращений в гетерофазных ферромагнитных монокристаллах Ni[54]Fe[19]Ga[27] [Текст] / Е. Е. Тимофеева, Е. Ю. Панченко, Ю. И. Чумляков // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 10. - С. 24-27. - Библиогр.: c. 27 (6 назв. )
УДК
ББК 34.33
Рубрики: Технология металлов
   Металлургия цветных металлов

Кл.слова (ненормированные):
гетерофазные монокристаллы -- мартенситные превращения -- мартенситы -- монокристаллы Ni[54]Fe[19]Ga[27] -- МП -- термоупругие мартенситные превращения -- ферромагнитные монокристаллы
Аннотация: На монокристаллах Ni[54]Fe[19]Ga[27] проведено исследование влияния термообработки - отжиг при температурах Т[с]=473-1473 К в течение часа с последующей закалкой в воду - на развитие термоупругих мартенситных превращений (МП). Установлено, что за счет термообработки в монокристаллах Ni-Fe-Ga можно управлять температурами МП, величиной температурного гистерезиса, критическими напряжениями двойниковых границ в мартенсите и функциональными свойствами кристалла.


Доп.точки доступа:
Панченко, Е. Ю.; Чумляков, Ю. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    Магнитомеханические свойства ферромагнетиков с памятью формы Ni[2+x]Mn[1-x]Ga, полученных методом электроимпульсного спекания [Текст] / В. В. Ховайло [и др. ] // Материаловедение. - 2008. - N 8. - С. 61-64
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
ферромагнетики -- электроимпульсное спекание -- ферромагнетики с памятью формы -- монокристаллы нестехиометрических сплавов -- магнитодеформации сплавов
Аннотация: Исследовано влияние электроимпульсного спекания порошков ферромагнетиков с памятью формы на их магнитные, механические и магнитомеханические свойства.


Доп.точки доступа:
Ховайло, В. В.; Коледов, В. В.; Шавров, В. Г.; Рычкова, О. В.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    Механохимический синтез в системе Ni-Ga [Текст] / В. К. Портной [и др. ] // Материаловедение. - 2008. - N 9. - С. 16-25
УДК
ББК 24.52
Рубрики: Химия
   Химия твердого тела

Кл.слова (ненормированные):
никель -- галлий -- механохимический синтез -- синтез двойных карбидов -- двойные карбиды с перовскитной структурой -- интерметаллиды
Аннотация: Проанализированы закономерности механохимического синтеза смеси компонентов состава Ni[75]Ga[25]. Установлено, что механохимические реакции между Ni и Ga начинаются на поверхностях никеля формированием фаз с максимально возможным обогащением по галлию.


Доп.точки доступа:
Портной, В. К.; Леонов, А. В.; Стрелецкий, А. Н.; Федотов, С. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Ритус, А. И.
    Фотодиэлектрический эффект и "конфигурационные" моды бистабильных центров в кристалле CdF[2]: Ga [Текст] / А. И. Ритус, В. Б. Анзин, А. А. Волков // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 134, вып. 3. - С. 567-576. . - Библиогр.: с. 576
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Физика
   Теоретическая физика

Кл.слова (ненормированные):
фотодиэлектрический эффект -- кристаллы -- бистабильные центры -- конфигурационные моды
Аннотация: Изучены фотодиэлектрический эффект и "конфигурационные" моды бистабильных центров в кристалле CdF[2]: Ga.


Доп.точки доступа:
Волков, А. А.; Анзин, В. Б.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    Спектры излучения и возбуждения керамик ZnO: Ga и ZnO: Ga, N [Текст] / П. А. Родный [и др. ] // Оптика и спектроскопия. - 2008. - Т. 105, N 6. - С. 988-993.
УДК
ББК 22.345
Рубрики: Физика
   Люминесценция

Кл.слова (ненормированные):
керамики -- ZnO: Ga -- ZnO: Ga, N -- спектральные характеристики
Аннотация: Исследованы спектральные характеристики керамик ZnO: Ga и ZnO: Ga, N, полученных методом одноосного горячего прессования. При комнатной температуре в ZnO: Ga преобладает полоса краевой (экситонной) люминесценции с максимумом при 3. 12 эВ, а в ZnO: Ga, N регистрируется широкая полоса 2. 37 эВ, центрами люминесценции для которой, по-видимому, служат вакансии цинка. С увеличением температуры максимум краевой полосы смещается в сторону меньших энергий, а ширина полосы растет. Полученное экстраполяцией положение максимума краевой полосы при нулевой температуре Em (0) = 3. 367 плюс минус 0. 005 эВ согласуется с данными для тонких пленок оксида цинка. Приведены спектры возбуждения люминесценции в области от 3 до 6. 5 эВ и рассмотрен механизм переноса энергии к экситонам и центрам люминесценции.


Доп.точки доступа:
Родный, П. А.; Ходюк, И. В.; Горохова, Е. И.; Михрин, С. Б.; Dorenbos, P.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    Динамический голографический коррелятор совместного преобразования Фурье на основе кристалла CdF[2]: Ga [Текст] / И. Ю. Федоров [и др. ] // Оптика и спектроскопия. - 2008. - Т. 105, N 6. - С. 1045-1054.
УДК
ББК 22.343
Рубрики: Физика
   Физическая оптика

Кл.слова (ненормированные):
голография -- корреляторы -- динамический голографический коррелятор -- кристаллы -- CdF[2]: Ga -- преобразование Фурье -- Фурье преобразование
Аннотация: Реализован коррелятор совместного преобразования Фурье на основе объемной голографической среды - кристалла CdF[2]: Ga как динамического согласованного фильтра пространственных частот. Обсуждаются особенности построения коррелятора. Продемонстрированы возможности коррелятора по селективному распознаванию объектов различного типа. Представлены экспериментальные данные, результаты математического моделирования и их анализ. Сформулированы предложения по усовершенствованию схемы коррелятора с целью улучшения его характеристик (быстродействия, устойчивости по отношению к ориентационным и масштабным изменениям объектов, повышения соотношения сигнал/шум, увеличения четкости корреляционных пиков).


Доп.точки доступа:
Федоров, И. Ю.; Ангервакс, А. Е.; Соколов, В. К.; Щеулин, А. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Калинин, Е. В.
    Вариации скоростей счета солнечных нейтрино в Cl-Ar- и Ga-Ge-детекторах [Текст] / Е. В. Калинин, Ю. И. Стожков // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 7. - С. 990-992. . - Библиогр.: c. 992 (5 назв. )
УДК
ББК 22.38
Рубрики: Физика
   Ядерная физика в целом, 1970-2005 гг.

Кл.слова (ненормированные):
детекторы -- корреляция -- космические лучи -- скорости счета -- солнечные вспышки -- солнечные космические лучи -- солнечные нейтрино -- спектральный анализ
Аннотация: Представлены результаты поиска вариаций скорости счета солнечных нейтрино посредством совместного анализа независимых данных Cl-Ar- (эксперимент Р. Дэвиса) и Ga-Ge-детекторов (эксперимент SAGE).


Доп.точки доступа:
Стожков, Ю. И.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Орлов, М. Л.
    Выходные характеристики короткоканального полевого транзистора In[053], Ga[0, 47], As/In[0, 52], Al[0, 48], As с двумерным электронным газом и особенности генерации им терагерцевого излучения [Текст] / М. Л. Орлов // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 115-118. . - Библиогр.: c. 118 (9 назв. )
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
короткоканальные полевые транзисторы -- двумерный электронный газ -- терагерцевое излучение -- выходные характеристики -- резонансная генерация -- дрейфовая скорость -- циклотронная частота электронов
Аннотация: Проведены измерения излучающих характеристик полевого транзистора.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Карпович, И. А.
    Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах с квантовыми точками и ямами In (Ga) As/GaAs [Текст] / И. А. Карпович, О. Е. Хапугин // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 119-122. . - Библиогр.: c. 122 (6 назв. )
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
фотомагнитные эффекты -- ФМЭ -- гетеронаноструктуры -- ГНС -- эпитаксиальные слои -- квантово-размерные слои -- гетероэпитаксиальная пассивация
Аннотация: Исследовано влияние на спектры ФМЭ в гетеронаноструктурах встроенных квантово-размерных слоев и места их расположения в структуре.


Доп.точки доступа:
Хапугин, О. Е.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    Характеристики плазмы несбалансированной магнетронной распылительной системы и их влияние на параметры покрытий ZnO: Ga [Текст] / А. А. Соловьев [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 2. - С. 58-65.
УДК
ББК 22.333
Рубрики: Физика
   Электронные и ионные явления. Физика плазмы

Кл.слова (ненормированные):
распылительные системы -- плазма -- катоды -- магнетронные распылительные системы -- тонкие пленки -- магнетронное распыление -- проводящие оксиды -- системы с электромагнитной катушкой -- несбалансированные магнетронные распылительные системы -- оксид цинка -- легирование -- галлий
Аннотация: Экспериментально изучены характеристики магнетронной распылительной системы с электромагнитной катушкой, позволяющей реализовывать различные конфигурации магнитного поля над поверхностью катода. Исследовано влияние режимов магнетронного распыления на свойства легированных галлием пленок оксида цинка.


Доп.точки доступа:
Соловьев, А. А.; Захаров, А. Н.; Работкин, С. В.; Оскомов, К. В.; Сочугов, Н. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    Ферромагнитный переход в структурах GaAs/Mn/GaAs/In[x]Ga[1-x]As/GaAs с двумерным дырочным газом [Текст] / М. А. Панков [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 2. - С. 346-355. . - Библиогр.: с. 354-355
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
двумерный дырочный газ -- дырочный газ -- газы -- марганец -- структуры -- свойства -- квантовая яма -- ферромагнитный переход -- транспортные свойства структур
Аннотация: Исследованы транспортные свойства структур GaAs/Mn/GaAs/In[x]Ga[1-x]As/GaAs с удаленным от квантовой ямы слоем примесей Mn в диапазоне их содержаний 4-10 ат. %, которые соответствуют повторному переходу метал-изолятор, наблюдаемому в объемном GaAsMn.


Доп.точки доступа:
Звонков, Б. Н.; Субботин, И. А.; Чуев, М. А.; Пашаев, Э. М.; Фарзетдинова, Р. М.; Рыльков, В. В.; Аронзон, Б. А.; Лайхо, Р.; Мейлихов, Е. З.; Давыдов, А. Б.; Лихачев, И. А.; Лашкул, А. В.; Панков, М. А.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




   
    Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In (Ga) N [Текст] / Т. В. Шубина [и др. ] // Успехи физических наук. - 2009. - Т. 179, N 9. - С. 1007-1012. : 6 рис. - Библиогр.: с. 1011-1012 (40 назв. ). - Материалы научной сессии Отделения физических наук Российской академии наук
ГРНТИ
УДК
ББК 22.37 + 22.374
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
научные сессии -- наноструктуры -- плазмонные эффекты -- наночастицы -- нанокомпозиты -- фотовозбужденные носители -- оптические процессы
Аннотация: Рассмотрено влияние эффектов, связанных с локализованными плазмонами в металлических наночастицах, на оптические процессы в структурах на основе In (Ga) N. Исследованы особенности излучения и поглощения света и генерации фотовозбужденных носителей, а также приведены данные по оценке усредненного усиления в InN/In-нанокомпозитах.


Доп.точки доступа:
Шубина, Т. В.; Иванов, С. В.; Торопов, А. А.; Копьев, П. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)