Новые разбавленные ферромагнетики на основе алмазоподобных полупроводников GaSb, InSb, InAs, Ge и Si, сверхперенасыщенных примесями марганца или железа при лазерной эпитаксии [Текст] / Е. С. Демидов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 11. - С. 1621-1622. - Библиогр.: c. 1622 (6 назв. )
Рубрики: Энергетика Использование электрической энергии Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): аномальный эффект Холла -- железо -- Керра магнитооптический эффект -- лазерная эпитаксия -- магнитооптический эффект Керра -- марганец -- полупроводники -- примеси -- разбавленные магнитные полупроводники -- ферромагнетики -- ферромагнитный резонанс -- Холла аномальный эффект -- экспериментальные данные Аннотация: Приведены экспериментальные результаты изучения электрических, магнитных и магнитооптических свойств тонких (50-100 нм) слоев GaSb: Mn, InSb: Mn, InAs: Mn, Ge: Mn, Ge: Fe, Si: Mn и Si: Fe с точкой Кюри до 500 К, полученных осаждением из лазерной плазмы в вакууме в условиях сильного пересыщения твердого раствора 3d-примесью. Доп.точки доступа: Демидов, Е. С.; Подольский, В. В.; Лесников, В. П.; Данилов, Ю. А.; Сапожников, М. В.; Сучков, А. И.; Дружнов, Д. М. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Зенкевич, А. В. Формирование поликристаллической фазы FeSi со структурой CsCl в соосажденных тонкопленочных слоях Fe[x]Si[1-x] (х = 0. 5-0. 6) [Текст] / А. В. Зенкевич, Д. Э. Лауэр, В. П. Филиппов // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 9. - С. 1313-1315. - Библиогр.: c. 1315 (13 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): железо -- импульсное лазерное осаждение -- конверсионная электронная мёссбауэровская спектроскопия -- мёссбауэровская спектроскопия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- резерфордовское обратное рассеяние -- силициды железа -- система Fe-Si Аннотация: Исследовались особенности фазообразования в системе Fe-Si в области концентраций Fe[x]Si[1-x] (х = 0. 5-0. 6). Доп.точки доступа: Лауэр, Д. Э.; Филиппов, В. П. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Люминесцентные и электрофизические свойства диодных гетероструктур Si/SiGe: Er/Si [Текст] / А. Г. Спиваков [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 257-261. - Библиогр.: c. 261 (9 назв. )
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): люминесцентные свойства -- электрофизические свойства -- диодные гетероструктуры -- вольт-амперные характеристики -- гетероструктуры Si/Si[1-x]Ge[x]: Er/Si -- сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- экспериментальные результаты Аннотация: Представлены результаты исследований диодных гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x]: Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в атмосфере германа. Доп.точки доступа: Спиваков, А. Г.; Красильникова, Л. В.; Степихова, М. В.; Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.; Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Морфология и фотолюминесценция самоформирующихся нанокластеров GeSi/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа [Текст] / Д. О. Филатов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 268-271. - Библиогр.: c. 271 (13 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия -- нанокластеры -- морфология -- фотолюминесценция -- гетероструктуры GeSi/Si (001) -- температурная зависимость -- оптические свойства -- коалесценция -- условия роста -- температуры роста Аннотация: Исследованы зависимости морфологии и спектров фотолюминесценции (ФЛ) гетероструктур GeSi/Si (001) с самоформирующимися нанокластерами, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4], от условий роста. Доп.точки доступа: Филатов, Д. О.; Круглова, М. В.; Исаков, М. А.; Сипрова, С. В.; Марычев, М. О.; Шенгуров, В. Г.; Светлов, С. П.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Болховитянов, Ю. Б. Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок [Текст] / Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков // Успехи физических наук. - 2008. - Т. 178, N 5. - С. 459-480 : 20 рис. - Библиогр.: с. 479-480 (232 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремниевые подложки -- гетероструктуры -- эпитаксиальные формирования -- наноэлектроника Аннотация: В настоящем обзоре систематизирован и обобщен достигнутый уровень понимания фундаментальных физических механизмов эпитаксиального формирования GaAs и соединений типа A{III}B{V} на его основе на подложках SI; представлены также основные технологические приемы, способствующие улучшению качества таких гетероструктур. Доп.точки доступа: Пчеляков, О. П. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Кинетические уравнения и рост нанокристаллов в методах молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / Ю. В. Трушин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 7. - С. 991-994. . - Библиогр.: c. 994 (8 назв. )
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): компьютерное моделирование -- нанокластеры -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- кинетические уравнения -- эпитаксиальный рост -- закономерности эволюции Аннотация: В статье методами компьютерного моделирования исследовались процессы зарождения и роста нанокластеров GaN, Ge, InAs в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии (обычной и сопровождаемой облучением ионами азота). Доп.точки доступа: Трушин, Ю. В.; Куликов, Д. В.; Сафонов, К. Л.; Раушенбах, Б. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Излучательные свойства квантовых ям GaAs/InGaAs с барьером GaAs, бета-легированным атомами Mn [Текст] / О. В. Вихрова [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 16-19. . - Библиогр.: c. 19 (7 назв. )
Рубрики: Физика Люминесценция Радиоэлектроника Теоретические основы радиотехники Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция -- квантово-размерные гетероструктуры GaAs/InGaAs -- бета (Mn) -легирование -- МОС-гидридная эпитаксия -- лазерное распыление -- квантовые ямы -- фотолюминесценция -- Шоттки барьеры -- барьеры Шоттки -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды Аннотация: Проведено исследование структурных, электрических и люминесцентных свойств квантово-размерных гетероструктур GaAs/InGaAs, модифицированных бета (Mn) -легированием GaAs-барьера. Доп.точки доступа: Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Демина, П. Б.; Дорохин, М. В.; Звонков, Б. Н.; Прокофьева, М. М.; Дроздов, Ю. Н.; Сапожников, М. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Магнитосопротивление структур, содержащих слои MnAs и сильнолегированных марганцем полупроводников A{3}B{5} [Текст] / О. В. Вихрова [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 30-32. . - Библиогр.: c. 32 (4 назв. )
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): магнитосопротивление -- трехслойные структуры -- бета (Mn) -легирование -- МОС-гидридная эпитаксия -- лазерное осаждение -- магнитотранспортные свойства -- полупроводники -- ферромагнетики -- магнитнооптический эффект Керра -- Керра магнитнооптический эффект Аннотация: Исследовались магнитотранспортные свойства эпитаксильных гетероструктур ферромагнетик/полупроводник на основе ферромагнитных слоев MnAs и GaMnAs, разделенных промежуточным немагнитным слоем полупроводника (InAs либо GaAs). Доп.точки доступа: Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Дроздов, Ю. Н.; Звонков, Б. Н.; Кудрин, А. В.; Подольский, В. В.; Сапожников, М. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Влияние структурного состояния поверхности на формирование рельефа и морфологию слоев GaAs (001) при молекулярно-лучевой эпитаксии и вакуумном отжиге [Текст] / А. В. Васев [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 9. - С. 5-13. . - Библиогр.: с. 13 (34 назв. )
Рубрики: Физика Химия Физическая химия поверхностных явлений Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): адсорбция -- вакуумный отжиг -- выглаживание поверхностей GaAs (001) -- дифракция -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- морфологические изменения поверхностей -- физика конденсированного состояния -- эпитаксия Аннотация: Методами дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) и атомно-силовой микроскопии (АСМ) изучены особенности морфологических изменений, происходящих на поверхности GaAs (001) в процессе роста молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и вакуумного отжига. Выявлена связь сверхструктурного состояния поверхности с характером этих изменений. Установлены термодинамические условия эпитаксиального роста GaAs (001) с наиболее структурно-совершенной поверхностью. Определены характеристики процессов, вызывающих развитие рельефа при росте МЛЭ в условиях существования реконструкции (2х4). Предложена и апробирована новая методика, позволяющая значительно повысить эффективность процедуры выглаживания поверхности GaAs (001) отжигом в потоке мышьяка. Доп.точки доступа: Васев, А. В.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Селезнев, В. А.; Преображенский, В. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Твердофазная эпитаксия фторидов щелочноземельных металлов со структурой флюорита [Текст] / А. В. Бледнов [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 428, N 2, сентябрь. - С. 194-198. : 3 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 198 (9 назв. )
Рубрики: Химия Строение органических соединений Кл.слова (ненормированные): фториды -- твердофазная эпитаксия -- эпитаксия фторидов -- металлы -- щелочноземельные металлы -- флюорит Аннотация: Впервые показана возможность получения эпитаксиальных пленок фторидов щелочноземельных металлов со структурой флюорита путем твердофазной эпитаксии, осуществляемой перекристаллизацией при относительно низких температурах поликристаллических пленок, полученных методом MOCVD при температуре 300-400 градусов на различных подложках. Доп.точки доступа: Бледнов, А. В.; Горбенко, О. Ю.; Кауль, А. Р.; Самойленко, С. В.; Муйдинов, Р. Ю.; Гаршев, А. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Бембель, А. Г. Молекулярно-динамическое исследование закономерностей и механизмов конденсационного роста островковых пленок [Текст] / А. Г. Бембель, В. М. Самсонов, М. Ю. Пушкарь // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 8. - С. 1182-1184 : Рис. - Библиогр.: c. 1184 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Механика Гидромеханика и аэромеханика Кл.слова (ненормированные): конденсационный рост -- континуальные подложки -- Леннард-Джонса потенциал -- механизм Фольмера-Вебера -- молекулярно-динамическое моделирование -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- островковые пленки -- потенциал Леннард-Джонса -- Фольмера-Вебера механизм -- эпитаксильный рост Аннотация: На основе метода молекулярной динамики исследованы закономерности и механизмы эпитаксильного роста субмикронных островковых пленок, т. е. пленок диаметром порядка 0. 01 мкм. Доп.точки доступа: Самсонов, В. М.; Пушкарь, М. Ю. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Арапкина, Л. В. Классификация hut-кластеров Ge в массивах, формируемых на поверхности Si (001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах [Текст] / Л. В. Арапкина, В. А. Юрьев // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 3. - С. 289-302 : 11 рис. - Библиогр.: с. 302 (54 назв. ) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Квантовая теория поля Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): hut-кластеры -- сканирующая туннельная микроскопия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- квантовые точки -- кластеры Аннотация: Методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) in situ выполнено морфологическое исследование и проведена классификация hut-кластеров Ge, образующих массивы квантовых точек на поверхности Si (001) при низких температурах в процессе сверхвакуумной молекулярно-лучевой эпитаксии. Доп.точки доступа: Юрьев, В. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Исследование осажденных слоев Ge и C на подложке кремния с помощью ВИМС-профилирования [Текст] / В. С. Харламов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74. N 2. - С. 262-265. - Библиогр.: c. 265 (13 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): баллистические процессы -- ВИМС-профилирование -- диффузионные процессы -- ионное травление -- карбид кремния -- компьютерное моделирование -- кремниевые технологии -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- осаждение атомов германия -- осаждение атомов углерода -- поверхности -- распределение атомных компонент по глубине Аннотация: Проведено экспериментальное и теоретическое исследование структур, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии при осаждении атомов углерода и/или германия на поверхность (111) кремния. Экспериментальные профили распределения компонент по глубине получены при помощи ВИМС-профилирования, а расчетные - с применением комплексного метода компьютерного моделирования, учитывающего диффузионные и баллистические процессы. Доп.точки доступа: Харламов, В. С.; Куликов, Д. В.; Трушин, Ю. В.; Надер, Р.; Мазри, П.; Штауден, Т.; Пецольдт, Й. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Сагдаткиреева, М. Б. Характер наклонной анизотропии в напыленных в вакууме квантовых ямах [Текст] / М. Б. Сагдаткиреева, В. В. Румянцева // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 8. - С. 1143-1146. . - Библиогр.: c. 1146 (12 назв. )
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): доменные границы -- доменные структуры -- квантовые точки -- квантовые ямы -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наклонная анизотропия -- ось легкого намагничивания -- ферромагнитные пленки Аннотация: Рассмотрен характер формирования наклонной анизотропии в напыленных в вакууме ферромагнитных пленках толщиной квантовых ям. На основе результатов, полученных численными методами, выполнено сравнение теоретических результатов с экспериментом. Доп.точки доступа: Румянцева, В. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Формирование слоев MnAs и MnP методом реактивного лазерного распыления [Текст] / Б. Н. Звонков [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 10. - С. 1494-1496. . - Библиогр.: c. 1496 (12 назв. )
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): Керра меридиональный магнитооптический эффект -- Кюри температура -- лазерное распыление -- меридиональный магнитооптический эффект Керра -- металлический марганец -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- полуметаллические соединения -- рентгеновская дифракция -- температура Кюри -- феррамагнетики -- Холла эффект -- эффект Холла Аннотация: Показано, что методика импульсного лазерного распыления металлического марганца в потоке гидридов (арсина или фосфина) позволяет формировать слои полуметаллических соединений типа MnB{5} на подложках GaAs (100). Доп.точки доступа: Звонков, Б. Н.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Дроздов, Ю. Н.; Кудрин, А. В.; Сапожников, М. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Карпович, И. А. Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах с квантовой ямой In (Ga) As/GaAs и дельта-слоем Mn [Текст] / И. А. Карпович, О. Е. Хапугин, Е. А. Горбачева // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 1. - С. 23-26. . - Библиогр.: c. 26 (7 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): газофазная эпитаксия -- квантово-размерные гетеронаноструктуры -- квантовые ямы -- Кюри температура -- металлоорганические соединения -- температура Кюри -- фотовозбуждение -- фотомагнитные эффекты -- фотопроводимость Аннотация: Исследовано влияние встраивания дельта-слоя Mn в гетероструктуры с квантовой ямой In (Ga) As/GaAs на спектры фотомагнитного эффекта в этих структурах. Доп.точки доступа: Хапугин, О. Е.; Горбачева, Е. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Карпович, И. А. Динамический эффект поля в легированных дельта-слоем Mn гетероструктурах с квантовой ямой и квантовыми точками In (Ga) As/GaAs [Текст] / И. А. Карпович, Л. А. Истомин // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 1. - С. 27-30. . - Библиогр.: c. 30 (4 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): газофазная эпитаксия -- динамический эффект поля -- квантово-размерные гетеронаноструктуры -- квантовые точки -- квантовые ямы -- металлоорганические соединения -- фотоэлектрическая спектроскопия Аннотация: Исследован динамический эффект поля в легированных дельта-слоем Mn эпитаксильных слоях и квантово-размерных гетеронаноструктурах p-типа с квантовыми ямами и квантовыми точками. Доп.точки доступа: Истомин, Л. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Управление самоорганизацией массива квантовых точек InAs при росте методом газофазной эпитаксии на бета-легированном сурьмой буферном слое GaAs [Текст] / А. В. Здоровейщев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 1. - С. 31-33. : рис. - Библиогр.: с. 33 (7 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая спектроскопия -- газофазная эпитаксия -- квантовые точки -- легирование сурьмой -- металлоорганические соединения -- сурфактанты -- триметилсурьма -- фотолюминесценция Аннотация: Работа посвящена исследованию возможности управления параметрами массива квантовых точек InAs/GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии при атмосферном давлении, путем применения сурьмы в качестве сурфактанта. Доп.точки доступа: Здоровейщев, А. В.; Байдусь, Н. В.; Звонков, Б. Н.; Демина, П. Б. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si (001) для высокоэффективных тандемных А{III}B{v}/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке [Текст] / М. А. Путято [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 9. - С. 26-33. . - Библиогр.: c. 33 (21 назв. )
Рубрики: Машиностроение Отраслевое машиностроение Кл.слова (ненормированные): GaAs -- активная кремниевая подложка -- атомно-слоевая эпитаксия -- гетеропереход -- гетероструктуры -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- преобразователи солнечной энергии -- солнечная энергия -- солнечные элементы Аннотация: Для выращивания пленок GaAs с низкой плотностью прорастающих дефектов в представленной работе был предложен метод низкотемпературной атомно-слоевой эпитаксии GaAs на начальной стадии формирования гетероперехода GaAs/Si. Было показано, что рост пленки GaAs может протекать, минуя стадию образования островков, если первый монослой GaAs был сформирован методом атомно-слоевой эпитаксии при низкой температуре (200-350 С). Был найден режим выращивания пленок GaAs на Si с плотностью прорастающих дислокаций менее 10 {6} см{-2}, что соответствует лучшим мировым достижениям. Показано, что при выращивании гетероперехода GaAs/Si в приповерхностном слое кремния формируется р-n-переход. Это позволяет создать высокоэффективные каскадные преобразователи солнечной энергии на основе соединений А{III}B{v} на активной подложке Si в едином ростовом цикле. Доп.точки доступа: Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Емельянов, Е. А.; Паханов, Н. А.; Преображенский, В. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике [Текст] / О. П. Пчеляков [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 9. - С. 59-64. . - Библиогр.: c. 63-64 (27 назв. )
Рубрики: Энергетика Теоретические основы электротехники Физическая оптика Физика Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наногетероструктуры -- оптоэлектронные устройства Аннотация: В настоящее время большое внимание уделяется детальному рассмотрению фундаментальных свойств Ge/Si-гетероструктур с нанокластерами Ge. В работе рассматриваются потенциальные возможности использования структур с квантовыми точками Ge в кремниевых оптоэлектронных приборах и СВЧ-устройствах. Проведены экспериментальные исследования атомных и молекулярных процессов формирования массивов квантовых точек при молекулярно-лучевой эпитаксии. Обнаружено влияние суперструктуры и морфологии поверхности на упорядочение нанокластеров в латеральном направлении. Обсуждается возможность разработки воспроизводимой технологии создания приборных устройств на основе эпитаксиальных Ge/Si-наногетероструктур. Доп.точки доступа: Пчеляков, О. П.; Двуреченский, А. В.; Никифоров, А. И.; Войцеховский, А. В.; Григорьев, Д. В.; Коханенко, А. П. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |