Эмиссия терагерцевого излучения из GaN при ударной ионизации доноров в электрическом поле [Текст] / В. А. Шалыгин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С. 95-97. - Библиогр.: c. 97 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): внутрицентровые переходы -- интегральная интенсивность электролюминесценции -- ионизация -- оптические переходы -- терагерцевая электролюминесценция -- терагерцевое излучение -- электрические поля -- эпитаксильные слои GaN Аннотация: Впервые обнаружена и исследована эмиссия терагерцевого излучения из эпитаксильных слоев n-Gan в латеральном электрическом поле. Доп.точки доступа: Шалыгин, В. А.; Воробьев, Л. Е.; Фирсов, Д. А.; Паневин, В. Ю.; Софронов, А. Н.; Мелентьев, Г. А.; Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Зиновьев, Н. Н.; Suihkonen, S.; Lipsanen, H. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |