Болховитянов, Ю. Б. Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок [Текст] / Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков // Успехи физических наук. - 2008. - Т. 178, N 5. - С. 459-480 : 20 рис. - Библиогр.: с. 479-480 (232 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремниевые подложки -- гетероструктуры -- эпитаксиальные формирования -- наноэлектроника Аннотация: В настоящем обзоре систематизирован и обобщен достигнутый уровень понимания фундаментальных физических механизмов эпитаксиального формирования GaAs и соединений типа A{III}B{V} на его основе на подложках SI; представлены также основные технологические приемы, способствующие улучшению качества таких гетероструктур. Доп.точки доступа: Пчеляков, О. П. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |