Морфология поверхности эпитаксиальных пленок Pb[1-x] Eu[x]Se после плазменной обработки [Текст] / С. П. Зимин [и др. ]> // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 11. - С. 90-93. - Библиогр.: с. 93 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): морфология поверхности -- эпитаксиальные пленки -- плазменная обработка Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности эпитаксиальных пленок Pb[1-x]Eu[x]Se на подложках CaF[2]/Si (111) в исходном состоянии и после обработки в высокоплотной индуктивной Ar-плазме в различных режимах. Показано, что пронизывающие дислокации служат остовом для формирования крупных выступов в ходе распыления полупроводникового материала. Обнаружено влияние режимов обработки на геометрические параметры крупных выступов и характеристики окружающего нанорельефа. Доп.точки доступа: Зимин, С. П.; Горлачев, С. Е.; Герке, М. Н.; Куртовская, С. В.; Амиров, И. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Оценка возможности определения электрофизических характеристик Cd[x]Hg[1-x]Te р{+} -п-структур методом дифференциальных холловских измерений [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ]> // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 5. - С. 3-8. . - Библиогр.: c. (назв. )
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): CdxHg1-xTe -- имплантация ионов -- матричные фотоприемники -- электрофизические характеристики -- эпитаксиальные пленки Аннотация: В работе проведено численное моделирование процесса восстановления профиля распределения концентрации дырок в р{+}-п-структуре методом дифференциальных холловских измерений после имплантации ионов As{+} (Е = 190 кэВ, D = З 10{14}см{2}, j = 0, 025 мкА/см{2}) в эпитаксиальные пленки Cd[x]Hg[1-x]Te для х ~ 0, 2, с исходной концентрацией и подвижностью электронов n = 10{14}см{-3} и мю = 2 10{5} см{2} B{-1} c{-1}. Рассчитаны зависимости степени восстановления профиля распределения концентрации дырок от толщины шунтирующего п-слоя и величины магнитного поля, при котором производится измерение электрофизических параметров р{+} -n-структуры. Определена зависимость от толщины n-слоя предельного магнитного поля, определяющего диапазон магнитных полей для измерений. Показано, что при определении профиля распределения концентрации дырок по модели Петрица в расчетах необходимо использовать значения проводимости, измеренные при тех же магнитных полях, что и коэффициент Холла. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Васильев, В. В.; Григорьев, Д. В.; Романов, И. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Получение тонких пленок никелатов неодима и самария методом центрофигурирования из гетерометаллических координационных соединений [Текст] / А. В. Харченко [и др. ]> // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 426, N 4, июнь. - С. 497-500. . - Библиогр.: с. 500
Рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): оксидные пленки -- этанольные растворы -- редкоземельные элементы -- никелаты неодима -- термолиз -- координационные соединения -- гетерометаллические соединения -- эпитаксиальные пленки -- тонкие пленки -- никелаты Аннотация: Предложен эффективный подход к модифицированию гетерометаллических координационных соединений, который открывает перспективы развития нового метода осаждения эпитаксиальных тонких пленок никелатов редкоземельных элементов, в том числе неустойчивых при низком давлении кислорода. Доп.точки доступа: Харченко, А. В.; Макаревич, А. М.; Григорьев, А. Н.; Сорокина, Н. М.; Лысенко, К. А.; Кузьмина, Н. П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Фианит - многофункциональный материал электроники [Текст] / А. Н. Бузынин [и др. ]> // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 7. - С. 1068-1075. : Рис. - Библиогр.: c. 1075 (19 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Электровакуумные приборы Кл.слова (ненормированные): буферные слои -- диэлектрические материалы -- защитные покрытия -- метод металлоорганической газофазной эпитаксии -- метод плазмостимулированной молекулярно-лучевой эпитаксии -- монолитные подложки -- просветляющие покрытия -- солнечные элементы -- фианит -- эпитаксиальные пленки Аннотация: Фианит, или иттрием (гафнием) стабилизированная двуокись циркония (YSZ), обладает уникальной комбинацией физических и химических свойств, что делает его очень перспективным материалом для широкого использования в различных областях техники. В статье рассматриваются применения фианита в электронике в качестве монолитной подложки и буферного слоя для эпитаксии соединений A{II}IB{V}, а также в качестве просветляющего и защитного покрытия фотоприемников и солнечных элементов. Доп.точки доступа: Бузынин, А. Н.; Осико, В. В.; Бузынин, Ю. Н.; Звонков, Б. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Хрыкин, О. И.; Дроздов, М. Н.; Тришенков, М. А.; Лукьянов, А. Е.; Лукьянов, Ф. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Сегнетоэлектрические тонкие пленки BiFeO[3] с орторомбической структурой допированного Nd [Текст] / И. Н. Леонтьев [и др. ]> // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 8. - С. 1163-1165. . - Библиогр.: c. 1165 (8 назв. )
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): дифракция рентгеновских лучей -- допирование неодимом -- орторомбическая симметрия -- рамановская спектроскопия -- сегнетоэлектрические пленки -- тонкие пленки -- феррит висмута -- эпитаксиальные пленки Аннотация: В работе показано, что кроме уже наблюдавшихся в пленках BFO ромбоэдрических и моноклинных модификаций есть также полярная орторомбическая форма с поляризацией, направленной в плоскости пленки. Доп.точки доступа: Леонтьев, И. Н.; Анохин, А. С.; Юзюк, Ю. И.; Головко, Ю. И.; Мухортов, В. М. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Гигантский магниторефрактивный эффект в пленках La[0. 7]Ca[0. 3]MnO[3] [Текст] / А. Б. Грановский [и др. ]> // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 139, вып. 1. - С. 90-100. . - Библиогр.: с. 99-100
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные пленки -- пленки манганитов -- манганиты -- La[0. 7]Ca[0. 3]MnO[3] -- гигантский магниторефрактивный эффект -- магниторефрактивный эффект -- магнитосопротивление -- магнитоотражение -- магнитопропускание -- магнитооптические свойства Аннотация: Комплексные экспериментальные исследования структурных, оптических, магнитооптических свойств и магнитосопротивления эпитаксиальных пленок La[0. 7]Ca[0. 3]MnO[3] показали, что магнитоотражение и магнитопропускание в пленках манганитов могут достигать гигантских значений, сильно зависят от магнитной и зарядовой однородности пленок, их толщины и спектральной области исследований. Доп.точки доступа: Грановский, А. Б.; Сухоруков, Ю. П.; Телегин, А. В.; Бессонов, В. Д.; Ганьшина, Е. А.; Кауль, А. Р.; Корсаков, И. Е.; Горбенко, О. Ю.; Гонзалес, Х. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Магниторефрактивный эффект в манганитах с колоссальным магнитосопротивлением в видимой области спектра [Текст] / Ю. П. Сухоруков [и др. ]> // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 141, вып. 1. - С. 160-168 : 4 рис. - Библиогр.: с. 167-168 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): манганиты -- магниторефрактивный эффект -- магнитосопротивления -- видимая область спектра -- спектры -- эпитаксиальные пленки Аннотация: Исследуется магниторефрактивный эффект в манганитах с колоссальным магнитосопротивлением в видимой области спектра. Доп.точки доступа: Сухоруков, Ю. П.; Телегин, А. В.; Грановский, А. Б.; Ганьшина, Е. А.; Жуков, А.; Гонзалес, Х.; Херранз, Г.; Кайседо, Х. М.; Юрасов, А. Н.; Бессонов, В. Д.; Кауль, А. Р.; Горбенко, О. Ю.; Корсаков, И. Е. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Структурное состояние гетеросистем Ge/Si с интерфейсами (001), (111) и (7 7 10) [Текст] / Е. М. Труханов [и др.]> // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 3. - С. 373-376. - Библиогр.: c. 376 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): гетеросистемы Ge/Si -- дислокации несоответствия -- дислокации Шокли -- кристаллографическая ориентация -- пластическая релаксация -- просвечивающая электронная микроскопия -- сканирующая туннельная микроскопия -- Шокли дислокации -- эпитаксиальные пленки Аннотация: Для интерфейсов с кристаллографической ориентацией (111) и (001) показано, что при одинаковом уровне пластической релаксации напряжений в полупроводниковых эпитаксиальных пленках отношение расстояний D между соседними дислокациями несоответствия D[ (111) ]/D[ (001) ] = 1. 5. Это позволило установить, что дислокационный интерфейс (7 7 10) содержит частичные 90°-дислокации Шокли, залегающие в трех направлениях (110). Доп.точки доступа: Труханов, Е. М.; Лошкарев, И. Д.; Романюк, К. Н.; Гутаковский, А. К.; Ильин, А. С.; Колесников, А. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Теоретическое и экспериментальное определение начальной стадии пластической релаксации напряжений несоответствия в гетеросистеме подложка (111)- островки пленки [Текст] / И. Д. Лошкарев [и др.]> // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 3. - С. 425-428. - Библиогр.: c. 428 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): биатомные слои -- гетеросистемы -- граница раздела -- дислокации несоответствия -- пластическая релаксация -- размерные эффекты -- химическое травление -- эпитаксиальные пленки Аннотация: Развита модель определения критической толщины пленки h[С] для введения дислокаций несоответствия по плоскостям скольжения пленки и подложки, параллельным границе раздела (111). Экспериментальные величины h[С], согласующиеся с расчетными, определены для гетеросистем Ge/Si (111) и Si[3]N[4]/Ge (111). Реализован двухуровневый эпитаксиальный рост Ge на Si в режиме комбинации механизмов ступенчато-слоевого и 2D-островкового роста. Доп.точки доступа: Лошкарев, И. Д.; Труханов, Е. М.; Романюк, К. Н.; Качанова, М. М. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Исследование состава приповерхностных слоев полупроводников с помощью фотометрии [Текст] / Т. А. Брянцева [и др.]> // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2012. - Т. 78, № 4. - С. 41-44. - Библиогр.: с. 44 (7 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): приповерхностные слои полупроводников -- полупроводниковые пленки -- эпитаксиальные пленки -- фотометрия -- селективное травление -- кристаллические решетки -- тонкий химический анализ -- галлий -- алюминий -- мышьяк Аннотация: Разработаны методики определения микроколичеств свободных галлия, алюминия и мышьяка, не связанных с кристаллической решеткой базисного материала, на поверхности эпитаксиальных пленок. Доп.точки доступа: Брянцева, Т. А.; Бобылев, М. А.; Лебедева, З. М.; Любченко, Д. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001) [Текст] / Е. А. Емельянов [и др.]> // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 1. - С. 49-54 : рис. - Библиогр.: c. 54 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- вицинальная подложка -- кристаллографические свойства пленок -- метод МЛЭ -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- морфология поверхности -- эпитаксиальные пленки -- эпитаксия Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) выращены пленки GaAs на подложках Si, отклоненных от плоскости (001) на 6° в направлении. Пленки GaAs выращивались как на поверхности Si, терминированной атомами мышьяка, так и на тонких псевдоморфных слоях GaP/Si. Зарождение слоев GaAs осуществлялось методом атомно-слоевой эпитаксии при низкой температуре. Выращенные структуры различались кристаллографической ориентацией пленки GaAs относительно направления отклонения подложки. Методами рентгеновской дифрактометрии и атомно-силовой микроскопии (АСМ) проведены исследования выращенных структур. Доп.точки доступа: Емельянов, Е. А.; Коханенко, А. П.; Пчеляков, О. П.; Лошкарев, И. Д.; Селезнев, В. А.; Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Преображенский, В. В.; Zhicuan Niu; Haiqiao Ni Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Свойства обладающих магнитоэлектрическим эффектом эпитаксиальных пленок ферритов-гранатов с (210)-ориентацией [Текст] / Г. В. Арзамасцева [и др.]> // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2015. - Т. 147, вып. 4. - С. 793-810. - Библиогр.: с. 808-810 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): анизотропия пленок -- магнитоэлектрический эффект -- пленки ферритов-гранатов -- редкоземельные металлы -- ферриты-гранаты -- эпитаксиальные пленки Аннотация: Результаты экспериментального исследования свойств обладающих магнитоэлектрическим эффектом эпитаксиальных пленок ферритов-гранатов состава (LuBi) [3] (FeGa) [5]O[12], выращенных на подложках с (210) -ориентацией. Доп.точки доступа: Арзамасцева, Г. В.; Балбашов, А. М.; Лисовский, Ф. В.; Мансветова, Е. Г.; Темирязев, А. Г.; Темирязева, М. П. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Исследование оптических и магнитооптических спектров магнитных силицидов Fe[5]Si[3] и Fe[3]Si методом спектральной магнитоэллипсометрии [Текст] / С. А. Лященко [и др.]> // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2015. - Т. 147, вып. 5. - С. 1023-1031. - Библиогр.: с. 1030-1031 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): магнитные свойства -- магнитные силициды -- магнитооптические свойства -- метод спектральной магнитоэллипсометрии -- оптические свойства -- поликристаллические пленки -- спектры магнитных силицидов -- эпитаксиальные пленки Аннотация: Исследованы оптические и магнитооптические спектры магнитных силицидов Fe[5]Si[3] и Fe[3]Si методом спектральной магнитоэллипсометрии. Доп.точки доступа: Лященко, С. А.; Попов, З. И.; Варнаков, С. Н.; Попов, Е. А.; Молокеев, М. С.; Яковлев, И. А.; Кузубов, А. А.; Овчинников, С. Г.; Шамирзаев, Т. С.; Латышев, А. В.; Саранин, А. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Динамика намагниченности, индуцированная фемтосекундными оптическими импульсами в эпитаксиальных пленках феррита-граната вблизи края зоны поглощения [Текст] / И. В. Савочкин [и др.]> // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 5. - С. 883-887 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (23 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): гранат (химия) -- зоны поглощения -- индуцирование -- намагниченность -- оптические импульсы -- феррит-гранат -- эпитаксиальные пленки Аннотация: Проведено экспериментальное исследование особенностей динамики намагниченности, индуцированной лазерными импульсами в пленках ферритов-гранатов при перестройке несущей частоты импульсов в диапазоне вблизи границы зоны поглощения. Доп.точки доступа: Савочкин, И. В.; Кожаев, М. А.; Чернов, А. И.; Кузьмичев, А. Н.; Звездин, А. К.; Белотелов, В. И. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Рентгеновская рефлектометрия и моделирование параметров эпитаксиальных пленок SiC на Si(111), выращенных методом замещения атомов [Текст] / С. А. Кукушкин [и др.]> // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 5. - С. 986-998 : 9 рис. - Библиогр. в конце ст. (28 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): SiC -- замещение атомов -- кристаллография в целом -- метод замещения атомов -- пленки SiC -- рефлектометрия -- эпитаксиальные пленки Аннотация: Методами рентгеновской рефлектометрии, ИК-спектроскопии и атомно-силовой микроскопии проведено комплексное исследование структуры и состава нанослоев SiC. Доп.точки доступа: Кукушкин, С. А.; Нусупов, К. Х.; Осипов, А. В.; Бейсенханов, Н. Б.; Бакранова, Д. И. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Сверхтонкие эпитаксиальные пленки кобальта, сформированные под графеном [Текст] / М. В. Гомоюнова [и др.]> // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 10. - С. 2027-2031 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (26 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): графен -- интеркаляция -- кобальт -- кристаллография в целом -- пленки кобальта -- сверхтонкие эпитаксиальные пленки -- эпитаксиальные пленки Аннотация: Исследован процесс интеркаляции кобальта под однослойный графен, выращенный на монокристаллической пленке Ni (111). Доп.точки доступа: Гомоюнова, М. В.; Гребенюк, Г. С.; Смирнов, Д. А.; Пронин, И. И. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Индуцированные магнитным полем спин-модуляционные переходы в эпитаксиальных пленках BiFeO[3] с ориентацией (001) [Текст] / Н. Е. Кулагин [и др.]> // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 2. - С. 248-256 : 7 рис. - Библиогр. в конце ст. (19 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): анизотропия -- магнитное поле -- мультиферроики -- спин-модуляционные переходы -- эпитаксиальные пленки Аннотация: Проведен теоретический анализ изменения основного состояния мультиферроика типа BiFeO[3] для пленок ориентации (001) в магнитном поле с учетом изменения наведенной энергии анизотропии. Доп.точки доступа: Кулагин, Н. Е.; Попков, А. Ф.; Соловьев, С. В.; Звездин, А. К. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Павлов, В. В. Линейные и нелинейные магнитооптические явления в эпитаксиальных пленках халькогенидов европия EuX (X=O, Se, Te) [Текст] / В. В. Павлов> // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 3. - С. 539-544 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (36 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): EuX -- Керра эффект -- европий -- магнитооптические явления -- халькогениды европия -- эпитаксиальные пленки -- эффект Керра Аннотация: Обнаружен большой квадратичный магнитооптический эффект Керра в пленках EuO и (Eu, Gd) O. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Малыгин, Г. А. Анализ размерных эффектов при мартенситных переходах в эпитаксиальных пленках и микрочастицах сплава Ni-Mn-Sn [Текст] / Г. А. Малыгин> // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 7. - С. 1310-1317 : 8 рис. - Библиогр. в конце ст. (17 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): Ni-Mn-Sn -- мартенситные переходы -- микрочастицы сплавов -- размерные эффекты -- сплав Ni-Mn-Sn -- эпитаксиальные пленки Аннотация: Анализируются данные по влиянию толщины эпитаксиальных пленок и размера кристаллитов в микрочастицах порошка сплава Ni-Mn-Sn на параметры мартенситных переходов в этом сплаве. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Ферромагнитный резонанс и упругие колебания в эпитаксиальных пленках феррит-граната иттрия [Текст] / С. Н. Полулях, В. Н. Бержанский, Е. Ю. Семук [и др.]> // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2021. - Т. 159, вып. 2. - С. 307-314. - Библиогр.: с. 314 (12 назв.) . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): пленки феррит-гранатов иттрия -- спектры магнитного резонанса -- ферромагнитный резонанс -- эпитаксиальные пленки Аннотация: Экспериментально исследованы спектры ферромагнитного резонанса в эпитаксиальных пленках иттриевых феррит-гранатов. Доп.точки доступа: Полулях, С. Н.; Бержанский, В. Н.; Семук, Е. Ю.; Белотелов, В. И.; Ветошко, П. М.; Попов, В. В.; Шапошников, А. Н.; Шумилов, А. Г.; Чернов, А. И. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1) Свободны: н.з. (1) |