Эмиссия излучения терагерцевого диапазона из гетероструктур GaAsN/GaAs в электрическом поле [Текст] / Л. Е. Воробьев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 229-231. - Библиогр.: c. 231 (13 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): резонансные состояния -- терагерцевый диапазон -- электрическое поле -- эмиссия излучения -- гетероструктуры GaAsN/GaAs -- напряженные микроструктуры -- квантовые ямы -- энергетические спектры -- локализованные состояния -- акцепторы Аннотация: Обнаружена эмиссия излучения терагерцевого диапазона из напряженных слоев GaAsN, легированных бериллием, при 4. 2 К в постпробойных электрических полях. Доп.точки доступа: Воробьев, Л. Е.; Фирсов, Д. А.; Шалыгин, В. А.; Паневин, В. Ю.; Софронов, А. Н.; Егоров, А. Ю.; Устинов, В. М.; Гладышев, А. Г.; Бондаренко, О. В.; Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Козлов, Д. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Поглощение и эмиссия излучения терагерцевого диапазона в легированных квантовых ямах GaAs/AlGaAs [Текст] / Д. А. Фирсов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 2. - С. 265-267. - Библиогр.: c. 267 (7 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): оптические переходы -- терагерцевый диапазон -- электрическое поле -- эмиссия излучения -- туннельно-связанные квантовые ямы GaAs/AlGaAs -- внутризонное поглощение -- квантовые ямы -- спектры излучения -- температурная зависимость -- электролюминесценция Аннотация: Исследовано спонтанное излучение терагерцевого спектрального диапазона с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs в продольном электрическом поле. Доп.точки доступа: Фирсов, Д. А.; Воробьев, Л. Е.; Шалыгин, В. А.; Паневин, В. Ю.; Софронов, А. Н.; Ganichev, S. D.; Danilov, S. N.; Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Жуков, А. Е.; Михрин, В. С.; Васильев, А. П. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |