Свойства наноразмерного переходного слоя диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21…0,23) с приповерхностными варизонными слоями и без таких слоев [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.]> // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2016. - Т. 7, № 4. - С. 39-47. - Библиогр.: c. 47 (19 назв. ) . - ISSN 2225-0999
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): МДП-структура -- варизонные слои -- диэлектрики-полупроводники -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наноразмерные переходные слои -- плотность поверхностных состояний -- проводимость структур -- электрофизические свойства МДП-структур Аннотация: Рассмотрены особенности электрофизических свойств МДП-структур на основе n (p) -Hg1-xCdxTe (x = 0. 21…0. 23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013) и Si (013). Обсуждены возможности определения основных параметров наноразмерного переходного слоя диэлектрик-полупроводник (плотности быстрых и медленных поверхностных состояний, концентрации подлегирующих дефектов донорного типа) для МДП-структур на основе n (p) -Hg1-xCdxTe (x = 0. 21…0. 23) с варизонным слоем и без варизонного слоя из полной проводимости структур, измеренной в широком диапазоне температур и частот. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Кульчицкий, Н. А.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |