Чапланов, А. М. Структурные и фазовые превращения в тонких пленках молибдена при стационарном облучении азот-водородной плазмой [Текст] / А. М. Чапланов, Е. Н. Щербакова // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 4. - С. 508-510. : рис. - Библиогр.: c. 510 (3 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Импульсные устройства Кл.слова (ненормированные): просвечивающая электронная микроскопия -- электронография -- тонкие пленки -- молибден -- плазменная обработка -- дуговой разряд -- нитрид молибдена -- азот-водородная плазма Аннотация: Методами просвечивающей электронной микроскопии и электронографии проведены исследования структурных и фазовых превращений в тонких пленках молибдена при облучении азот-водородной плазмой дугового разряда. Доп.точки доступа: Щербакова, Е. Н. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Структура тонких пленок Ba[0, 7]Sr[0, 3]TiO[3], нанесенных на кремниевые подложки методом импульсного лазерного напыления [Текст] / В. Л. Романюк [ и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 5. - С. 37-40 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): рентгеновский дифракционный анализ -- электронография -- атомносиловая микроскопия -- кремниевые подложки -- метод импульсного лазерного напыления Аннотация: Методом импульсного лазерного испарения с использованием Nd: YAG лазера, работающего в режиме свободной генерации, получены сегнетоэлектрические тонкие пленки Ba[0, 7]Sr[0, 3]TiO[3] на кремниевых подложках при температурах 200 и 450 градусов Цельсия. Доп.точки доступа: Романюк, В. Л.; Гременок, В. Ф.; Меркулов, В. С.; Соболь, В. Р.; Ташлыков, И. С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Архарова, Н. А. Исследование структуры дефектов в кремнии с примесями переходных металлов с помощью электронографии и ВРЭМ [Текст] / Н. А. Архарова, Ю. В. Григорьев, В. В. Привезенцев // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 7. - С. 1065-1067. : Рис. - Библиогр.: c. 1067 (6 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): высокотемпературный диффузионный отжиг -- кремний -- методы наведенного тока -- микродефектообразование -- оптическая микроскопия -- просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения -- растровый электронный микроскоп -- фотолюминесценция -- электронография Аннотация: Исследуются особенности образования дефектов при распаде пересыщенного твердого раствора переходного металла в кремнии. В качестве примеси переходного металла использован цинк, который вводился в кремний путем высокотемпературного диффузионного отжига с последующей закалкой. Для исследования микроструктуры такого материала использованы методы электронографии и просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения в сочетании с рентгеновским энергодисперсионным микроанализом. Установлено, что исследованный материал представляет собой достаточно совершенный монокристалл, содержащий, однако, хаотически распределенные дислокации. Доп.точки доступа: Григорьев, Ю. В.; Привезенцев, В. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Павлов, А. М. Легирование кремния в условиях плазменного резонанса [Текст] / А. М. Павлов // Физика и химия обработки материалов. - 2012. - № 2. - С. 36-43 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): лазерное легирование -- электронно-дырочная плазма -- плазменный резонанс -- кремний -- легирование кремния -- электронография -- лазерное повреждение Аннотация: Рассмотрен механизм взаимодействия лазерного излучения с кремнием, когда энергия кванта лазерного излучения сравнима с шириной запрещенной зоны полупроводника, и показана возможность лазерного легирования Si примесью алюминия. Показано, что разрушение и легирование Si связано с возникновением и рекомбинацией электронно-дырочной плазмы. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Оcобенности фазовых превращений в системе Ni[V]-Pt-Si при ступенчатом стационарном отжиге [Текст] / А. М. Чапланов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2015. - Т. 79, № 11. - С. 1543-1546 : рис. - Библиогр.: c. 1546 (4 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кремниевые пластины -- магнетронное распыление -- пленки Pt -- силициды никеля -- ступенчатый стационарный отжиг -- твердые растворы -- фазовые превращения -- электронография на отражение Аннотация: Методами электронографии "на отражение" исследовались особенности фазовых превращений в системе Ni[V]-Pt-Si при ступенчатом стационарном отжиге. На поверхность кремниевой пластины марки КЭФ-0. 5 с ориентацией (111) методом магнетронного распыления наносилась пленка Pt толщиной 0. 015-0. 02 мкм, а затем - пленка никеля, легированная ванадием толщиной 0. 08 мкм. Доп.точки доступа: Чапланов, А. М.; Маркевич, М. И.; Малышко, А. Н.; Щербакова, Е. Н.; Солодуха, В. А.; Турцевич, А. С.; Соловьев, Я. А.; Сарычев, О. Э. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Электронографическое изучение структуры эпитаксиального графена, сформированного путем термического разложения SiC(0001) в атмосфере Ar и в высоком вакууме [Текст] / И. С. Котоусова [и др.] // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 10. - С. 1978-1984 : 3 рис., 2 табл. - Библиогр. в конце ст. (11 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): Ar -- SiC (0001) -- аргон -- вакуум -- графены -- карбид кремния -- кристаллография в целом -- термическое разложение -- электронография -- эпитаксиальный графен Аннотация: Исследована структура эпитаксиального графена, полученного в результате термодеструкции поверхности карбида кремния в условиях вакуумного синтеза. Доп.точки доступа: Котоусова, И. С.; Лебедев, С. П.; Лебедев, А. А.; Булат, П. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |