Вдовин, Е. Е. Одноэлектронный спин-зависимый транспорт в структурах с расщепленным затвором, содержащих самоорганизованные квантовые точки InAs [Текст] / Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин [и др.]> // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, N 1. - С. 166-170. - Библиогр.: с. 170
Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): электронный транспорт -- одноэлектронный спин-зависимый транспорт -- расщепленные затворы -- квантовые точки -- самоорганизованные квантовые точки -- гетероструктуры Аннотация: Результаты исследования электронного транспорта в структурах с расщепленным затвором, созданных на основе гетероструктур, в которых самоорганизующиеся квантовые точки InAs расположены вблизи двумерного электронного газа. Доп.точки доступа: Ханин, Ю.Н.; Шабельникова, П.Л.; Левин, А.; Ивс, Л.; Дубонос, С.В.; Хенини, М. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Васильевский, И. С. Влияние гибридизации состояний на низкотемпературный электронный транспорт в неглубоких квантовых ямах [Текст] / И. С. Васильевский, В. А. Кульбачинский [и др.]> // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, N 1. - С. 197-199. - Библиогр.: с. 199
Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): гибридизация состояний -- электронный транспорт -- низкотемпературный электронный транспорт -- квантовые ямы -- неглубокие квантовые ямы Аннотация: Исследовано влияние гибридизации состояний на низкотемпературный электронный транспорт в неглубоких квантовых ямах. Доп.точки доступа: Кульбачинский, В.А.; Лунин, Р.А.; Галиев, Г.Б.; Мокеров, В.Г. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Камилов, И. К. Применение всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках [Текст] / И. К. Камилов, М. И. Даунов, С. Ф. Габибов> // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 419, N 1, март. - С. 35-37. - Библиогр.: с. 37
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): флуктуационный потенциал -- кристаллические полупроводники -- полупроводники -- квазибесщелевые полупроводники -- электронный транспорт -- бесщелевые полупроводники -- всестороннее давление -- энерегетические зазоры Аннотация: По результатам количественного анализа данных об электронном транспорте при всестороннем давлении в легированных компенсированных обычных, квазибесщелевых и бесщелевых полупроводниках выяснено: коэффициенты давления энергетических зазоров, расчитанные согласно известным законам дисперсии, с понижением температуры и увеличением давления аномально завышаются или занижаются из-за усиливающегося влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда. Доп.точки доступа: Даунов, М. И.; Габибов, С. Ф. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Одноэлектронный спинзависимый транспорт в структурах с расщепленным затвором, содержащих самоорганизованные квантовые точки [Текст] / Е. Е. Вдовин [и др. ]> // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 8. - С. 1159-1161. . - Библиогр.: c. 1161 (8 назв. )
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- когерентность -- кулоновские осцилляции -- осцилляции -- туннельный ток -- экспериментальные данные -- электронный транспорт -- эффект межслоевой фазовой когерентности Аннотация: В структурах с расщепленным затвором, в которых самоорганизующиеся квантовые InAs-точки были расположены вблизи двухмерного электронного газа, обнаружены кулоновские осцилляции туннельного тока через счетное количество квантовых InAs-точек в канале в зависимости от напряжения на затворе, соответствующие возбужденным состояниям квантовых точек с противоположными спинами. Доп.точки доступа: Вдовин, Е. Е.; Ханин, Ю. Н.; Шабельников, П. Л.; Eaves, L.; Henini, M. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Квазибесщелевой полупроводник при высоких давлениях-модель аморфного полупроводника [Текст] / М. И. Даунов [и др. ]> // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 7. - С. 20-24. . - Библиогр.: c. 24 (22 назв. )
Рубрики: Машиностроение Отраслевое машиностроение Кл.слова (ненормированные): аморфные полупроводники -- всестороннее давление -- квазибесщелевые полупроводники -- модель аморфного полупроводника -- электронный транспорт -- энергетический спектр Аннотация: Обобщены данные об энергетическом спектре и электронном транспорте при всестороннем давлении в сильно легированных компенсированных полупроводниках с глубокой примесной зоной, расположенной на хвосте плотности состояний собственной зоны. Показана целесообразность использования подобных объектов, подвергнутых воздействию высокого давления, для моделирования аморфного полупроводника. Доп.точки доступа: Даунов, М. И.; Камилов, И. К.; Габибов, С. Ф.; Магомедов, А. Б. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Электронный транспорт в мезоскопических контактах сверхпроводник/двумерный электронный газ в сильном магнитном поле. [Текст] / И. Е. Батов [и др. ]> // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 7. - С. 934-936. . - Библиогр.: c. 936 (13 назв. )
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): S/2DEG/N-структуры -- вольт-амперные характеристики -- гибридные структуры -- мезоскопические контакты -- одиночные гетеропереходы InGaAs-InP -- осцилляции магнетосопротивления -- теория магнетотранспорта -- транспортные характеристики -- электронный транспорт Аннотация: Исследованы гибридные структуры сверхпроводник/двумерный электронный газ (S/2DEG) на основе одиночных гетеропереходов InGaAs-InP с высокоподвижным двумерным электронным газом и сверхпроводящих NbN-электродов. Доп.точки доступа: Батов, И. Е.; Schraepers, Th.; Щелкачев, Н. М.; Golubov, A. A.; Hardtdegen, H.; Ustinov, A. V. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Сатарин, К. К. Особенности электронного транспорта вдоль неоднородных атомных цепочек [Текст] / К. К. Сатарин, Е. Р. Аманбаев, И. К. Гайнуллин> // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74. N 2. - С. 167-171. - Библиогр.: c. 171 (18 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): атомные цепочки -- атомы алюминия -- атомы водорода -- волновые функции -- поляризационные эффекты -- распространение волновых пакетов -- электронные переходы -- электронный обмен -- электронный транспорт Аннотация: Рассмотрена задача электронного транспорта вдоль линейной цепочки атомов. Исследуемый процесс проходит после перехода электрона с иона водорода на атомную цепочку. Для расчетов применен метод распространения волновых пакетов, не использующий теорию возмущений. Сделаны выводы о характере электронного транспорта и необходимых для него условий. Использованный подход может быть применен для реальных физических систем, в которых происходит электронный переход с заряженной частицы. Доп.точки доступа: Аманбаев, Е. Р.; Гайнуллин, И. К. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Векилов, Ю. Х. Квазикристаллы [Текст] / Ю. Х. Векилов, М. А. Черников> // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 6. - С. 561-586. : 12 рис. - Библиогр.: с. 584-586 (228 назв. )
Рубрики: Физика Элементарные частицы Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квазикристаллы -- электронные спектры -- кристаллические решетки -- структура квазикристаллов -- атомные кластеры -- апериодическое заполнение -- атомные структуры -- электронный транспорт -- фазонные деформации -- тепловой транспорт Аннотация: Обзор включает следующие темы: структура квазикристаллов, электронные спектры, спектры возбуждений решетки, физические свойства, применения. Обсуждается апериодическое заполнение пространства по определенным правилам несколькими различными структурными блоками или перекрывающимися атомными кластерами. Рассматриваются модели регулярной и случайной укладки, икосаэдрического стекла, а также фазонные деформации. Обсуждается влияние апериодического дальнего порядка и локальной атомной структуры на электронный и тепловой транспорт, оптические, магнитные и другие свойства. Доп.точки доступа: Черников, М. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Уровень энергии марганца в p-InAs (Mn) под давлением [Текст] / И. К. Камилов [и др. ]> // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 8. - С. 1200-1202. . - Библиогр.: c. 1202 (4 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): акцепторный центр Mn -- барические коэффициенты энергетических зазоров -- коэффициент Холла -- магнитная восприимчивость -- монокристаллы p-InAs (Mn) -- статическая диэлектрическая проницаемость -- температурная зависимость -- удельное электросопротивление -- Холла коэффициент -- электронный транспорт -- энергия ионизации Аннотация: В настоящей работе проведены исследования на кристаллах p-InAs (Mn). Доп.точки доступа: Камилов, И. К.; Даунов, М. И.; Моллаев, А. Ю.; Арсланов, Р. К. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Электронный транспорт в гибридных сверхпроводниковых гетероструктурах с манганитной прослойкой [Текст] / А. М. Петржик [и др. ]> // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 139, вып. 6. - С. 1190-1198. . - Библиогр.: с. 1198
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): электронный транспорт -- гибридные сверхпроводниковые гетероструктуры -- сверхпроводниковые гетероструктуры -- манганитные прослойки -- гетероструктуры -- купраты -- гибридные гетероструктуры -- манганиты Аннотация: Исследованы гибридные структуры, содержащие сверхпроводящие купраты и манганаты. Доп.точки доступа: Петржик, А. М.; Овсянников, Г. А.; Шадрин, А. В.; Константинян, К. И.; Зайцев, А. В.; Демидов, В. В.; Кислинский, Ю. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Вальков, В. В. Эффекты неупругого спин-зависящего электронного транспорта через спиновую наноструктуру в магнитном поле [Текст] / В. В. Вальков, С. В. Аксенов> // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 140, вып. 2. - С. 305-316. . - Библиогр.: с. 315-316
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): неупругий спин-зависящий электронный транспорт -- спин-зависящий электронный транспорт -- электронный транспорт -- спиновая наноструктура -- наноструктура -- магнитное поле Аннотация: Представлены результаты расчетов транспортных характеристик наноструктуры, представленной системой спиновых димеров, расположенной между металлическими контактами во внешнем магнитном поле. Доп.точки доступа: Аксенов, С. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Вальков, В. В. Проявление антирезонанса Фано в вольт-амперной характеристике наноструктуры с одиночной магнитной примесью [Текст] / В. В. Вальков, С. В. Аксенов, Е. А. Уланов> // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 3. - С. 411-416. - Библиогр.: c. 416 (44 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): антирезонанс Фано -- вольт-амперные характеристики -- квантовый транспорт -- Ландауэра-Бюттикера подход -- магнитная анизотропия -- одноэлектронный транспорт -- подход Ландауэра-Бюттикера -- сканирующий туннельный микроскоп -- спиновые моменты -- Фано антирезонанс -- электронный транспорт Аннотация: Проведено теоретическое изучение квантового когерентного электронного транспорта через наноструктуру, содержащую примесный ион с нескомпенсированным магнитным моментом. Показано, что коэффициент прохождения спин-поляризованного электрона через такую структуру содержит особенность, в виде антирезонанса Фано. Этот эффект возникает в результате обменного взаимодействия спинового момента транспортируемого электрона со спиновым моментом примеси. Продемонстрировано, что наличие антирезонанса Фано приводит к качественному изменению вольт-амперной характеристики структуры и индуцирует большое значение магнитосопротивления. Доп.точки доступа: Аксенов, С. В.; Уланов, Е. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Спин-зависимый электронный транспорт в манганитных бикристаллических контактах [Текст] / А. М. Петржик [и др.]> // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 142, вып. 5. - С. 994-1004. - Библиогр.: с. 1003-1004 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): спин-зависимый электронный транспорт -- электронный транспорт -- манганитные бикристаллические контакты -- бикристаллические контакты Аннотация: Исследован спин-зависимый электронный транспорт в манганитных бикристаллических контактах. Доп.точки доступа: Петржик, А. М.; Демидов, В. В.; Овсянников, Г. А.; Борисенко, И. В.; Шадрин, А. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Кудасов, Ю. Б. Вариационный метод расчета электронного транспорта через изолированные молекулы [Текст] / Ю. Б. Кудасов> // Известия РАН. Серия физическая. - 2014. - Т. 78, № 1. - С. 22-25. - Библиогр.: c. 25 (15 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): Гутцвиллера функция -- вариационный метод расчета -- волновые функции -- функция Гутцвиллера -- электронный транспорт -- эффект отрицательного дифференциального сопротивления Аннотация: Предложена вариационная методика расчета стационарного неравновесного электронного транспорта через изолированную молекулу. Показано, что пробная вариационная функция Гутцвиллера должна быть дополнена вспомогательным вариационным параметром для того, чтобы удовлетворять неоднородным граничным условиям. Построена вольт-амперная характеристика контакта в режиме сильных кулоновских корреляций, которая хорошо согласуется с экспериментальными данными по нитрозамещенной молекуле олигофенилен-этинилен (OPE-NO2). Показано, что в области пика тока происходит сильное корреляционное усиление магнитной восприимчивости молекулы. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Смелова, Е. М. Электронная квантовая проводимость биметаллических Pt-Fe-нанопроводов [Текст] / Е. М. Смелова, К. М. Цысарь, А. М. Салецкий> // Известия РАН. Серия физическая. - 2014. - Т. 78, № 2. - С. 222-224 : рис. - Библиогр.: c. 224 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): биметаллические Pt-Fe-нанопровода -- гигантское магнетосопротивление -- метод молекулярной динамики -- проводимость проводов -- спиновая поляризация -- электронный транспорт Аннотация: Проведено исследование магнитных и проводящих свойств свободных Pt-Fe-нанопроводов методом молекулярной динамики. Исследование выявило зависимость проводимости провода от его геометрии и магнитных свойств. В результате первопринципных расчетов обнаружено, что ток в линейных Pt-Fe-нанопроводах с антиферромагнитным упорядочением магнитных моментов атомов не является спин-поляризованным. При сжатии провода и его переходе в конфигурацию “зиг-заг” в нем возникает спиновая поляризация электронного транспорта. Доп.точки доступа: Цысарь, К. М.; Салецкий, А. М. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Сибатов, Р. Т. Многократный захват на гребешковой структуре как модель электронного транспорта в неупорядоченных наноструктурированных полупроводниках [Текст] / Р. Т. Сибатов, Е. В. Морозова> // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2015. - Т. 147, вып. 5. - С. 993-1004. - Библиогр.: с. 1003-1004 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): гребешковая структура -- дисперсионный перенос -- дисперсионный транспорт -- многократный захват -- наноструктурированные полупроводники -- неупорядоченные структуры -- электронный транспорт Аннотация: Предложена модель дисперсионного переноса в неупорядоченных наноструктурированных полупроводниках, учитывающая перколяционную структуру образца и параллельное действие нескольких механизмов. Доп.точки доступа: Морозова, Е. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |