Ананьина, О. Ю. Квантово-химическое моделирование адсобции ионов бора B{+} на поверхности SiO[2]/Si (100) [Текст] / О. Ю. Ананьина, А. С. Яновский // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 5. - С. 628-631 : Рис. - Библиогр.: c. 631 (8 назв. )
Рубрики: Химия Химическая связь и строение молекул Кл.слова (ненормированные): квантово-химическое моделирование -- адсорбция -- ионы бора -- поверхности SiO[2]/Si (100) -- геометрические характеристики -- электронные характеристики -- моделирование Аннотация: Представлены результаты квантово-химических расчетов адсорбции и миграции ионов бора B{+} на поверхности SiO[2]/Si (100). Доп.точки доступа: Яновский, А. С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Ткаченко, А. В. Квантово-химическое изучение свойств поверхности SiO[2]/Si (100) с имплантированными ионами бора [Текст] / А. В. Ткаченко, О. Ю. Ананьина, А. С. Яновский // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74. N 2. - С. 176-179. - Библиогр.: c. 179 (7 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Химия Физическая химия поверхностных явлений Кл.слова (ненормированные): SiO[2]/Si (100) -- адсорбция -- геометрические характеристики -- ионная имплантация -- ионы бора -- квантово-химические расчеты -- модифицированное пренебрежение дифференциальным перекрытием -- поверхности -- равновесные состояния -- физико-химические свойства -- электронные характеристики Аннотация: Представлены результаты квантово-химических расчетов свойств поверхности SiO2/Si (100) с имплантированными ионами бора В+. Рассчитаны зависимости полной энергии системы "кластер - ион бора В+" в зависимости от нахождения иона В+ в кислородных и кремниевых вакансиях, геометрические и электронные характеристики равновесных состояний кластера с имплантированным ионом бора. Доп.точки доступа: Ананьина, О. Ю.; Яновский, А. С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |