Басалаев, Ю. М.
    Электронная структура гипотетических кристаллов типа IV-IV-IV[2] с решеткой халькопирита [Текст] / Ю. М. Басалаев, А. С. Поплавной // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 9. - С. 93-94. - Библиогр.: c. 94 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 24.52 + 26.303
Рубрики: Химия твердого тела
   Химия

   Геология

   Минералогия

Кл.слова (ненормированные):
зонная структура -- метод подрешеток -- халькопирит -- электронная структура кристаллов
Аннотация: Рассмотрена электронная структура гипотетических кристаллов типа IV-IV-IV[2] с решеткой халькопирита.


Доп.точки доступа:
Поплавной, А. С.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Басалаев, Ю. М.
    Особенности электронного строения кристаллов Ga[2]AsSb [Текст] / Ю. М. Басалаев // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 11. - С. 95-96. . - Библиогр.: с. 96 (8 назв. )
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
зонные структуры -- метод подрешеток -- халькопирит -- электронная структура кристаллов
Аннотация: Теоретическое исследование с использованием метода подрешеток электронной структуры кристалла Ga[2]AsSb. Определены особенности электронного строения кристаллов Ga[2]AsSb.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)