Электронная плотность состояний и коэффициент диффузии электронов в энергетическом пространстве в неидеальной неравновесной плазме [Текст] / А. А. Бобров [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 134, вып: вып. 1. - С. 179-187 : 8 рис. - Библиогр.: с. 187
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): энергетическое пространство -- плотность состояний -- диффузия электронов -- плазма -- электроны -- пространство -- неравновесная плазма -- электронная плотность -- коэффициент диффузии электронов -- неидеальная неравновесная плазма Аннотация: Рассматриваются электронная плотность состояний и коэффициент диффузии электронов в энергетическом пространстве в неидеальной неравновесной плазме. Доп.точки доступа: Бобров, А. А.; Зеленер, Б. Б.; Зеленер, Б. В.; Маныкин, Э. А.; Бронин, С. Я. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Работа выхода электрона нанонити алюминия на границе с диэлектрической средой [Текст] / П. К. Коротков [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 7. - С. 1038-1040. . - Библиогр.: c. 1040 (8 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая проницаемость -- диэлектрическая среда -- метод функционала электронной плотности -- нанонити алюминия -- пленки -- полидифениленфталид -- работа выхода электрона -- электронная плотность Аннотация: В рамках метода функционала электронной плотности впервые оценена работа выхода электрона нанонити алюминия в зависимости от диэлектрической проницаемости среды. Доп.точки доступа: Коротков, П. К.; Созаев, В. А.; Тхакахов, Р. Б.; Уянаева, З. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Зависимость поверхностной энергии металлов от давления [Текст] / А. З. Кашежев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 8. - С. 1211-1213. - Библиогр.: c. 1213 (10 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Механика Гидромеханика и аэромеханика Кл.слова (ненормированные): давление -- металлы -- метод функционала электронной плотности -- поверхностная энергия -- поверхностное натяжение -- теоретические модели -- электронная плотность Аннотация: В рамках метода функционала электронной плотности развивается теоретическая модель влияния давления на поверхностную энергию чистых металлов. Доп.точки доступа: Кашежев, А. З.; Кумыков, В. К.; Манукянц, А. Р.; Сергеев, И. Н.; Созаев, В. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Гантмахер, В. Ф. Квантовый фазовый переход сверхпроводник-изолятор [Текст] / В. Ф. Гантмахер, В. Т. Долгополов // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 1. - С. 3-53 : 51 рис. - Библиогр.: с. 52-53 (180 назв. ) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): квантовые переходы -- фазовые переходы -- переходы сверхпроводник-изолятор -- сверхпроводимость -- магнетосопротивление -- электронная плотность -- высокорезистивные материалы -- магнитные поля Аннотация: Обсуждение проблемы переходов сверхпроводник-изолятор осуществляется циклически на на разных уровнях, напоминая движение по спирали. Доп.точки доступа: Долгополов, В. Т. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Перевалов, Т. В. Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью [Текст] / Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 6. - С. 587-603. : 20 рис., 3 табл. - Библиогр.: с. 602-603 (100 назв. )
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): диэлектрики -- электронная структура -- диэлектрическая проницаемость -- электронная плотность Аннотация: Представлен обзор основных применений диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах. Проанализированы результаты первопринципных расчетов электронной структуры для трех наиболее важных и перспективных диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью. Доп.точки доступа: Гриценко, В. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Левина, О. В. О характере штарковского сдвига ионных линий в плазме с сильным межчастичным взаимодействием [Текст] / О. В. Левина // Оптика и спектроскопия. - 2010. - Т. 109, N 4. - С. 556-559. . - Библиогр.: с. 558-559 (19 назв. )
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): спектроскопические исследования -- плазма -- плазменные струи -- углерод -- ионизованный углерод -- электронная плотность Аннотация: В результате спектроскопического исследования плазменной струи капиллярного и щелевого разрядов с испаряемой стенкой установлена линейность штарковского смещения линий однократно ионизованного углерода. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Журавлев, Ю. Н. Химическая связь в окислах щелочных металлов [Текст] / Ю. Н. Журавлев, О. С. Оболонская // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 10. - С. 108.
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): кристаллические оксиды -- окислы щелочных металлов -- пероксиды -- химические связи -- электронная плотность Аннотация: В статье проследили химическую связь в окислах щелочных металлов. Доп.точки доступа: Оболонская, О. С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Распределение электронной плотности в сверхпроводящих оксидах BaPb[1-x]Sb[x]O[3]: исследование методами двойного ядерного магнитного резонанса [Текст] / Ю. В. Пискунов [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 140, вып. 5. - С. 951-960. . - Библиогр.: с. 959-960
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): электронная плотность -- сверхпроводящие оксиды -- оксиды -- BaPb[1-x]Sb[x]O[3] -- методы двойного ядерного магнитного резонанса -- ядерный магнитный резонанс Аннотация: Методами ЯМР экспериментально исследовано влияние зарядного беспорядка на формирование неоднородного состояния электронной системы зоны проводимости в сверхпроводящих оксидах BaPb[1-x]Sb[x]O[3]. Доп.точки доступа: Пискунов, Ю. В.; Оглобличев, В. В.; Арапова, И. Ю.; Садыков, А. Ф.; Геращенко, А. П.; Верховский, С. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Смольяков, А. Ф. Конформационная предпочтительность 2,5-замещенных производных фосфацимантрена по данным квантово-химических расчетов и анализа топологии электронного распределения [Текст] / А. Ф. Смольяков, Ф. М. Долгушин, М. Ю. Антипин // Известия РАН. Серия химическая. - 2012. - № 12. - С. 2185-2192 : 5 рис., 3 табл. - Библиогр.: с. 2191-2192 (52 назв. ) . - ISSN 0002-3353
Рубрики: Химия Химия твердого тела Кл.слова (ненормированные): фосфацимантрен -- квантово-химические расчеты -- теория функционала плотности -- функционал РВЕО -- химическая связь -- электронная плотность -- топология электронного распределения Аннотация: Для ряда 2, 5-замещенных производных фосфацимантрена проведены квантово-химические расчеты и топологический анализ распределения электронной плотности ро (r) в рамках теории "Атомы в молекулах". Электронное строение циклического пи-лиганда, обусловленное донорноакцепторными свойствами заместителей, определяет предпочтительную ориентацию фрагмента Mn (CO) [3] относительно гетероцикла. Изменение числа связевых путей между атомом Mn и гетероциклом в зависимости от природы заместителей и ориентации карбонильных групп отражает "тонкие" изменения в характере М—пи-взаимодействия. Доп.точки доступа: Долгушин, Ф. М.; Антипин, М. Ю. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Нажалов, А. И. Численное исследование электронной плотности в упорядочивающихся сплавах структуры CsCl и фазовые превращения [Текст] / А. И. Нажалов, М. А. Нажалов // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 1. - С. 68-74 : рис. - Библиогр.: c. 74 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Химия Химия твердого тела Геология Минералогия Общая и неорганическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): Изинга решетка -- бинарная система Cu - Zn -- бинарная система Fe - Co -- решетка Изинга -- сплавы -- структура типа СsСl -- узельная электронная плотность -- упорядочивающиеся бинарные сплавы -- упорядочивающиеся сплавы -- фазовые превращения -- функция электронных сил -- электронная плотность Аннотация: Представлены результаты численного построения узельной электронной плотности в упорядочивающихся бинарных сплавах FeCo и CuZn. Показано, как на уровне знаний этих распределений можно делать предварительные выводы о возможных фазовых превращениях упорядочивающихся сплавов. Доп.точки доступа: Нажалов, М. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Бушмаринов, И. С. Стереоэлектронные взаимодействия во фрагменте N-С-CN по данным прецизионных рентгенодифракционных исследований и квантово-химических расчетов [Текст] / И. С. Бушмаринов, Д. Г. Голованов, К. А. Лысенко // Известия РАН. Серия химическая. - 2013. - № 8. - С. 1720-1725 : 1 табл., 7 рис. - Библиогр.: с. 1725 (18 назв. ) . - ISSN 0002-3353
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Органические соединения Кл.слова (ненормированные): аномерный эффект -- стереоэлектронные взаимодействия -- цианогруппа -- электронная плотность Аннотация: Результаты анализа экспериментальной функции распределения электронной плотности в кристалле и выполненных квантово-химических расчетов позволили выявить особенности стереоэлектронных взаимодействий (СВ) во фрагменте N-С-CN. Изменения атомных характеристик в результате СВ охарактеризованы в рамках теории "Атомы в молекулах". Проведено сравнение этих взаимодействий с конкурирующими СВ во фрагменте N-С-N. Рассмотрены особенности кристаллической упаковки в органических цианидах. Полученные данные демонстрируют, что сравнительно слабые СВ во фрагменте N-С-CN могут определять конформацию молекул в кристалле в отсутствие сильных конкурирующих взаимодействий. Доп.точки доступа: Голованов, Д. Г.; Лысенко, К. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Электронная плотность, электростатический потенциал и пространственная организация гетеромолекулярного кристалла гидрооксалата аммония щавелевой кислоты дигидрата по данным синхротронного дифракционного эксперимента при 15 К и теоретического расчета. [Текст] / А. И. Сташ [и др.] // Известия РАН. Серия химическая. - 2013. - № 8. - С. 1752-1763 : 7 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 1762-1763 (55 назв. ) . - ISSN 0002-3353
Рубрики: Химия Органические соединения Физическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): химическая связь -- электронная плотность -- электростатический потенциал -- электростатическое взаимодействие Аннотация: Проведены прецизионный синхротронный дифракционный эксперимент при 15 К и теоретический расчет методом Кона-Шэма с учетом периодических граничных условий гетеромолекулярного кристалла гидрооксалата аммония щавелевой кислоты дигидрата NH[4]{+}· С[2]Н0[4]{-}·С[2]Н[2]0[4]·2Н[2]0 (1). Доп.точки доступа: Сташ, А. И.; Чен, Ю-Щ.; Ковальчукова, О. В.; Цирельсон, В. Г. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Теоретическое исследование строения и электронного спектра поглощения электролюминесцентного комплекса БИС-[8-(3,5-дифторфенилсульфаниламино)хинолинат] цинка [Текст] / Б. Ф. Минаев [и др.] // Оптика и спектроскопия. - 2012. - Т. 113, № 3. - С. 333-340 : диагр., схемы, ил., табл. - Библиогр.: с. 339-340 (25 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): квантово-химические методы -- спектры поглощения -- теория функционала -- функционал плотности -- цинк -- электролюминесцентные комплексы -- электронная плотность Аннотация: Исследованы строение и спектральные свойства электролюминесцентного комплекса бис-[8- (3, 5-дифторфенилсульфаниламино) хинолинат] цинка. На основе анализа орбиталей и волновых функций метода TD-DFT/BMK/DGDZVP установлена природа полос поглощения исследуемого комплекса. Доп.точки доступа: Минаев, Б. Ф.; Барышников, Г. В.; Короп, А. А.; Минаев, В. А.; Каплунов, М. Г. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Квантово-химическое исследование строения и электронных спектров поглощения электролюминесцентных комплексов цинка [Текст] / Б. Ф. Минаев [и др.] // Оптика и спектроскопия. - 2013. - Т. 114, № 1. - С. 33-43 : граф., ил., табл., схемы. - Библиогр.: с. 42-43 (35 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): Шиффа основание -- квантово-химические исследования -- лиганды -- основание Шиффа -- спектры поглощения -- функционал плотности -- цинковые комплексы -- электролюминесцентные комплексы -- электролюминесцентные комплексы цинка -- электронная плотность -- электронные спектры поглощения Аннотация: Квантово-химическими методами теории функционала плотности и топологического анализа электронной плотности исследовано электронное строение двух недавно синтезированных электролюминесцентных комплексов цинка с аминохинолиновыми лигандами и одного комплекса цинка с основанием Шиффа. Доп.точки доступа: Минаев, Б. Ф.; Барышников, Г. В.; Короп, А. А.; Минаева, В. А.; Каплунов, М. Г. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Русакова, Н. П. Сравнительный анализ электронного строения и электроотрицательности групп неразветвленных простых эфиров сульфоксиловой кислоты [Текст] / Н. П. Русакова, В. В. Туровцев, Ю. Д. Орлов // Журнал структурной химии. - 2015. - Т. 56, № 1. - С. 29-33 : 1 табл., 1 рис. - Библиогр.: с. 33 (23 назв. ) . - ISSN 0136-7463
Рубрики: Химия Химическая кинетика Кл.слова (ненормированные): индуктивный эффект -- квантовая теория -- функциональные группы -- шкала электроотрицательности -- электронная плотность -- электроотрицательность -- эфиры сульфоксиловой кислоты -- эффективный заряд Аннотация: В рамках квантовой теории атомов в молекулах (QTAIM) изучено электронное строение сульфоксиловой кислоты НОSОH и соединений гомологического ряда простых эфиров сульфоксиловой кислоты CH[3] (CH[2]) [n]ОSОH, где n < 8. Установлено наличие внутримолекулярной водородной связи O···H, приводящей к образованию циклической структуры (С) -СH (H) -CH[2]-O-SOH. Доп.точки доступа: Туровцев, В. В.; Орлов, Ю. Д. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Туровцев, В. В. Изучение индуктивного и стерического эффектов в нормальных спиртах [Текст] / В. В. Туровцев, Е. М. Чернова, Ю. Д. Орлов // Журнал структурной химии. - 2015. - Т. 56, № 2. - С. 225-231 : 2 рис., 3 табл. - Библиогр.: с. 231 (20 назв. ) . - ISSN 0136-7463
Рубрики: Химия Химическая связь и строение молекул Кл.слова (ненормированные): аддитивность -- индуктивный эффект -- квантовая теория -- макроинкрементирование -- молекулярное моделирование -- спирты -- стерический эффект -- электронная плотность Аннотация: Методом B3LYP/6-311++G (3df, 3pd) получено распределение электронной плотности (? (r) ) транс- и гош-конформеров нормальных одноатомных спиртов CH[3] (CH[2]) [n]OH, при n = 0-9, и в рамках "квантовой теории атомов в молекуле" (QTAIM) количественно изучены индуктивный и стерический эффекты. На основании анализа ? (r) предложена аддитивная схема расчета экстенсивных свойств. Доп.точки доступа: Чернова, Е. М.; Орлов, Ю. Д. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Фешин, В. П. Особенности образования и строения комплексов SNCL[4] c С[6]Н[5]СОСL, С[6]Н[5]ОСН[3] и 4-СН[3]ОС[6]Н[4]СОСL по результатам расчетов AB INITIO [Текст] / В. П. Фешин, Е. В. Фешина // Журнал неорганической химии. - 2015. - Т. 60, № 2. - С. 213-217 : рис. - Библиогр.: с. 217 (27 назв.)
Рубрики: Химия Общая и неорганическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): диалкиловые эфиры -- длины связей -- комплексообразование -- электронная плотность Аннотация: Выполнены расчеты методом MP2/LANL2DZ комплексов SnCl4 с С6Н5СОСl, С6Н5ОСН3 и 4-СН3ОС6Н4СОСl (состав 1 : 1). Доп.точки доступа: Фешина, Е. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Еркович, О. С. Расчет электронной плотности углеродных нанотрубок во внешнем электромагнитном поле [Текст] / О. С. Еркович, П. А. Ивлиев // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2016. - Т. 7, № 1. - С. 8-13. - Библиогр.: c. 13 . - ISSN 2225-0999
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика полупроводников и диэлектриков Электромагнитные колебания Кл.слова (ненормированные): диэлектрические проницаемости -- нанотрубка в электромагнитном поле -- одностенные углеродные нанотрубки -- радиальные распределения -- распределение электронной плотности -- углеродные нанотрубки -- электронная плотность Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования радиального распределения электронной плотности n (r) одностенной углеродной нанотрубки металлического типа с учётом межэлектронного взаимодействия в приближении прямого кругового цилиндра при наличии внешнего электромагнитного поля. Произведен расчет диэлектрической проницаемости и показателя преломления нанотрубки. Доп.точки доступа: Ивлиев, П. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Хомкин, А. Л. Проводимость паров металлов в критической точке [Текст] / А. Л. Хомкин, А. С. Шумихин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2016. - Т. 150, вып. 5. - С. 1020-1029. - Библиогр. в конце статьи . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): критическая проводимость -- критические точки -- металлы -- пары металлов -- проводимость -- термодинамические параметры -- электронная плотность Аннотация: Изучен метод расчета проводимости металлов в критической точке и ее окрестности. Доп.точки доступа: Шумихин, А. С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Орлов, В. Г. Особенности распределения электронной плотности в теллуриде сурьмы Sb[2]Te[3] [Текст] / В. Г. Орлов, Г. С. Сергеев // Физика твердого тела. - 2017. - Т. 59, вып. 7. - С. 1278-1285 : 5 рис., 2 табл. - Библиогр. в конце ст. (38 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): кристаллические решетки -- критические точки -- полуметаллы -- полупроводники -- сурьма -- теллурид сурьмы -- электронная плотность Аннотация: На основе результатов расчетов электронной зонной структуры полупроводников Sb[2]Te[3], Ge, Te и полуметалла Sb, выполненных методом функционала электронной плотности, найдены параметры критических точек в распределении электронной плотности (максимумов, минимумов и седловых точек) в кристаллической решетке вышеуказанных веществ. Доп.точки доступа: Сергеев, Г. С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |