> Шифр: entb/2005/4 Журнал 2005г. N 4 Шахнович, И. Твердотельные СВЧ-приборы и технологии. Невоспетые герои беспроводной революции / И. Шахнович. - С.12-18 Кл.слова: ТРАНЗИСТОРЫ, БИПОЛЯРНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ Данилин, В. Транзистор на Gan пока самый "крепкий орешек" / В. Данилин, Т. Жукова, Ю. Кузнецов. - С.20-29 Аронов, В. Транзисторы передающие модули L-B S- диапазонов / В. Аронов, А.А. Евстигнеев, А.С. Евстигнеев. - С.30-33 Кл.слова: РАДИОТЕХНИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА монолитные генераторы СВЧ-диапазона с частотозадающими элементами на основе акустических волн / А.Голдецкий, Б.Калиникос, А. Королев и др. - С.34-36 Кл.слова: РЕЗОНАТОРЫ Будзинский, Ю. Нетрадиционная вакуумная СВЧ-электроника на основе поперечных волн электронного потока / Ю. Будзинский. - С.38-42 Кл.слова: ПАРАМЕТРИЧЕСКИЙ УСИЛИТЕЛЬ Белов, Л. СВЧ-компоненты компании MITEQ. Портрет фирмы / Л. Белов. - С.44-50 Тренисов, И. Недорогая станция демонтажа микросхем JT7700 c автоматическим снятием / И. Тренисов. - С.52-53 Маттаес, Т. Машины щеточной очистки RESCOTRON / Т. Маттаес, С. Черкасов. - С.54-55 Соколов, С. Заземление и экранирование зданий для размещения оборудования систем связи современный подход / С. Соколов. - С.58-59 Слепов, Н. Сети SDH новой генерации и их использование для передачи трафика ETHERNET / Н. Слепов. - С.60-63 Пеженков, А. Аппаратные эмуляторы на платформе ZEBU компании EVE / А. Пеженков, Д. Радченко. - С.64-67 Avocad+Сапр Сбис компаний Cadence и synopsys / В. Перминов, А. Жуков, С. Дубровин, С. Макаров. - С.68-69 Лукьянов, И. Высокоэффективные DC/DC- преобразователи серии " мистраль " для жестких применений / И. Лукьянов, А. Гончаров. - С.70-73 Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1) Свободны: эн.ф. (1) |
Лапко, Игорь. Настоящий инженер должен уметь отличать кабель от кабеля [Текст] / Игорь Лапко> // Современные технологии автоматизации. - 2008. - N 1. - С. 76-84
Рубрики: Радиоэлектроника Автоматика и телемеханика Кл.слова (ненормированные): кабели -- кабельно-проводниковая продукция -- автоматизированные системы управления -- АСУ ТП -- бронированные кабели -- проводники -- экранирование электрического поля Аннотация: В помощь инженеру при выборе в огромном разнообразии кабельно-проводниковой продукции. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1) Свободны: эн.ф. (1) |
Покровский, А. Д. Измерение положения электропроводного объекта электромагнитным способом в условиях сильного экранирования [Текст] / А. Д. Покровский, И. В. Терехин> // Вестник Московского энергетического института. - 2007. - N 5. - С. 59-62. - Библиогр.: с. 62 (6 назв. )
Рубрики: Энергетика Электротехнические материалы и изделия в целом Кл.слова (ненормированные): электропроводные объекты -- экранирование -- вихретоковые преобразователи -- напряжение -- экранированные системы -- датчики -- ионизирующие излучения Аннотация: Рассматривается вопрос определения положения сильно экранированного электроприводного объекта с помощью вихретокового преобразователя. Доп.точки доступа: Терехин, И. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1) Свободны: эн.ф. (1) |
Туник, Ю. В. Тепловое экранирование сферы от воздействия сильной ударной волны [Текст] / Ю. В. Туник> // Известия РАН. Механика жидкости и газа. - 2007. - N 2. - С. 154-161. - Библиогр.: с. 161 (4 назв. ). - Ил.: 8 рис.
Рубрики: Механика Кл.слова (ненормированные): падающая ударная волна Аннотация: Рассматривается нестационарное взаимодействие падающей ударной волны со сферическим телом при наличии перед ним области подвода тепла. Численно исследуется конфигурация отраженных ударных волн и структура течения. Эффективность различных по форме тепловых экранов сравнивается по величине продольной силы, действующей на сферу. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
К вопросу о влиянии металлического окружения и низких температур на скорость альфа-распада [Текст] / Г. М. Гуревич [и др. ]> // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 3. - С. 340-343. - Библиогр.: c. 343 (15 назв. )
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): низкие температуры -- трансурановые элементы -- альфа-распад -- электронное экранирование -- экспериментальные исследования -- металлическое железо -- плазменная модель Дебая -- Дебая плазменная модель Аннотация: Определен период полураспада трансуранового элемента {253}Es, внедренного в металлическую железную фольгу, при температурах 4 К и 50 мК. Доп.точки доступа: Гуревич, Г. М.; Ерзинкян, А. Л.; Эверсхайм, П.-Д.; Филимонов, В. Т.; Головко, В. В.; Герцог, П.; Краев, И. С.; Луханин, А. А.; Беляев, А. А.; Парфенова, В. П.; Фалет, Т.; Русаков, А. В.; Северийнс, Н.; Топоров, Ю. Г.; Трамм, К.; Вячин, В. Н.; Закоуцки, Д.; Зотов, Е. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Меренков, Д. В. Пассивное экранирование в сильных постоянных магнитных полях [Текст] / Меренков Д. В., Тамоян Г. С., Устьянцева А. С.> // Электричество. - 2008. - N 3. - С. 67-69 : 3 рис. - Библиогр.: с. 69 (2 назв. )
Рубрики: Энергетика Магнитные измерения Кл.слова (ненормированные): 0, 1 Тл -- индукции -- магнитные поля -- оболочки экранирующие -- оборудование электротехническое -- пассивное экранирование -- поля магнитные -- экранирование пассивное -- экранирующие оболочки -- электрооборудование -- электротехническое оборудование Аннотация: При использовании сильных магнитных полей, создаваемых сверхпроводящими обмотками магнитов и другими объектами, необходимо применять пассивное или активное, локальное или общее экранирование. На ряде примеров показано, что при индукциях поля 0, 1 Тл и более пассивные экранирующие оболочки обязательно должны рассчитываться с учетом насыщения их стенок, так как аналитические решения не дают корректных значений ослабления индукции поля в защищаемой зоне при насыщенных стенках экрана. Доп.точки доступа: Тамоян, Г. С.; Устьянцева, А. С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1) Свободны: эн.ф. (1) |
Эксперименты по поиску влияния резонансного экранирования на вероятность мёссбауэровского поглощения гамма-лучей {119m}Sn [Текст] / В. Г. Алпатов [и др. ]> // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 6. - С. 816-819. - Библиогр.: c. 819 (12 назв. )
Рубрики: Физика Классическая электродинамика. Теория относительности Кл.слова (ненормированные): эксперименты -- мёссбауэровское поглощение -- резонансное экранирование -- гамма-лучи -- резонансные поглотители -- мёссбауэровский гамма-источник -- рентгеновское излучение Аннотация: Описаны опыты по поиску влияния резонансного экранирования на мёссбауэровское поглощение гамма-лучей {119m}Sn с энергией 23, 8 кэВ, излучаемых стандартным мёссбауэровским гамма-источником из Ca{119m}SnO[3], в резонансном поглотителе из SnO[2] естественного изотопного состава. Доп.точки доступа: Алпатов, В. Г.; Баюков, Ю. Д.; Давыдов, А. В.; Исаев, Ю. Н.; Карташов, Г. Р.; Коротков, М. М.; Мигачев, В. В.; Розанцев, И. Н.; Щепкин, М. Г. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Ковалев, В. М. Эффекты экранирования и осцилляции Фриделя в наноструктурах с квантовыми ямами [Текст] / В. М. Ковалев, А. В. Чаплик> // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 134, вып. 5. - С. 980-987. . - Библиогр.: с. 987
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): электронная плазма -- плазма -- квантовые ямы -- наноструктуры -- кулоновское взаимодействие -- структуры -- осцилляции Фриделя -- эффекты экранирования -- экранирование кулоновского взаимодействия -- фриделевские осцилляции -- многокомпонентная электронная плазма -- Фриделя осцилляции Аннотация: Исследовано экранирование кулоновского взаимодействия с учетом фриделевских осцилляций в структурах с многокомпонентной электронной плазмой. Доп.точки доступа: Чаплик, А. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Экранирование движущегося заряда в неравновесной плазме [Текст] / А. В. Филиппов [и др. ]> // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 135, вып. 3. - С. 567-586. . - Библиогр.: с. 586
Рубрики: Физика Математическая физика Кл.слова (ненормированные): плазма -- неравновесная плазма -- макрочастицы -- заряды -- экранирование движущегося заряда Аннотация: На основе модели точечных стоков рассмотрена задача об экранировании заряда движущейся макрочастицы в неравновесной плазме. Доп.точки доступа: Филиппов, А. В.; Момот, А. И.; Старостин, А. Н.; Загородний, А. Г.; Паль, А. Ф. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Эминов, П. А. Экранирование кулоновского поля в намагниченном электронном газе квантового цилиндра [Текст] / П. А. Эминов> // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 135, вып. 5. - С. 1029-1036. . - Библиогр.: с. 1035-1036
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): кулоновское поле -- газы -- электронный газ -- квантовая теория -- цилиндры -- квантовый цилиндр -- намагниченный электронный газ -- экранирование кулоновского поля Аннотация: Построена квантовая теория экранирования кулоновского поля точечного заряда в намагниченном электронном газе квантового цилиндра. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Хриплович, И. Б. Экранирование и антиэкранирование заряда в калибровочных теориях [Текст] / И. Б. Хриплович> // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 3. - С. 328-330 : 3 рис. - Библиогр.: с. 330 (6 назв. ). - Материалы научной сессии Отделения физических наук Российской академии наук . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Квантовая теория поля Кл.слова (ненормированные): калибровочные теории -- векторные теории -- экранирование зарядов -- квантовая электродинамика -- антиэкранирование зарядов -- электромагнитные поля -- калибровочные группы -- сессии Аннотация: Обсуждается перенормировка заряда в векторных теориях с абелевой и неабелевой калибровочной группой. Доп.точки доступа: Халатников, И. М. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Шахнин, В. А. Неразрушающий контроль элементов из нанокристаллических магнитомягких сплавов [Текст] / В. А. Шахнин> // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. - 2010. - N 8. - С. 50-54. : 8 табл. - Библиогр.: с. 54 (5 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Автоматика и телемеханика Кл.слова (ненормированные): нанокристаллические сплавы -- магнитомягкие сплавы -- неразрушающий контроль -- контроль элементов -- электромагнитное экранирование Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований, доказывающие возможность магнитного неразрушающего контроля механических свойств нанокристаллических магнитомягких сплавов. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Явтушенко, И. О. Предшествующее плазменному разряду пузырьковое экранирование поверхности при электрохимической обработке металлов [Текст] / И. О. Явтушенко, А. М. Орлов, М. Ю. Махмуд-Ахунов> // Физика и химия обработки материалов. - 2010. - N 4. - С. 25-30.
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): электроплазменная обработка -- пузырьковое экранирование -- медные электроды -- электрохимическая обработка металлов Аннотация: Рассмотрены особенности формирования плазменного разряда в кислородосодержащем ионном растворе на медных электродах. Установлено, что режим зажигания кислородной плазмы контролируется как пузырьковым экранированием, так и окислительными процессами на поверхности медного электрода. Предложен способ определения краевого угла смачивания поверхности электрода по кинетике всплытия пузырьков. Доп.точки доступа: Орлов, А. М.; Махмуд-Ахунов, М. Ю. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
О заземлении экранов контрольных кабелей на объектах электроэнергетики [Текст] / С. А. Гордиенко [и др. ]> // Энергетик. - 2010. - N 9. - С. 34-36. . - Библиогр.: с. 35-36 (8 назв. )
Рубрики: Энергетика Энергетическое оборудование Кл.слова (ненормированные): экраны кабелей -- контрольные кабели -- электромагнитная совместимость -- заземляющие устройства -- короткое замыкание -- микропроцессорная аппаратура -- электромагнитные помехи -- экранирование Аннотация: Рассматриваются особенности заземления экранов контрольных кабелей на объектах электроэнергетики, что важно для обеспечения электромагнитной совместимости (ЭМС) микропроцессорной аппаратуры. Доп.точки доступа: Гордиенко, С. А. (инж.); Копаев, В. Н. (инж.); Погорелов, А. В. (инж.); Кострик, А. Г. (канд. техн. наук) Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1) Свободны: эн.ф. (1) |
Экспериментальное определение потенциалов электронного экранирования для реакции d (d, n) {3}He в ZrD[2] и D[2]O [Текст] / В. М. Быстрицкий [и др. ]> // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 11. - С. 1635-1639. . - Библиогр.: c. 1639 (18 назв. )
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): астофизические S-факторы -- вымораживание тяжелой воды -- дейтерид циркония -- импульсный ускоритель Холла -- легкие ядра -- магнетронное распыление -- тяжелая вода -- ультранизкие энергии -- Холла импульсный ускоритель -- электронное экранирование -- ядерные реакции Аннотация: Работа посвящена измерению значений астрофизических S-факторов для реакции d (d, n) {3}He и потенциалов электронного экранирования дейтронов, взаимодействующих в области ультранизких энергий столкновения в дейтериде циркония ZrD[2] (3. 5-7. 0 кэВ) и тяжелой воде D[2]O (2. 2-6. 0 кэВ). Эксперимент выполнен в НИИЯФ (Томск) с использованием импульсного плазменного ускорителя Холла и мишеней из ZrD[2] и D[2]O, полученными методом магнетронного распыления циркония в среде дейтерия и путем вымораживания тяжелой воды на медной подложке соответственно. В результате хи{2}-анализа измеренных зависимостей выходов нейтронов и астрофизических S-факторов для dd-реакции от энергии столкновения дейтронов E на 90% уровне достоверности найдены верхние граничные значения потенциалов электронной экранировки взаимодействующих дейтронов в ZrD[2] и D[2]O, а также значения астрофизических факторов при энергии столкновения дейтронов E = 0: U[e] (ZrD[2]) < 30 эВ; U[e] (D[2]O) < 25 эВ; S (0) = (57. 2 +минус 3. 9) кэВ x б (ZrD[2]) ; S (0) = (58. 6 +минус 3. 6) кэВ x б (D[2]O). Доп.точки доступа: Быстрицкий, В. М.; Герасимов, В. В.; Ильгузин, Д. А.; Крылов, А. Р.; Паржицкий, С. С.; Ананьин, П. С.; Дудкин, Г. Н.; Каминский, В. Л.; Нечаев, Б. А.; Падалко, В. Н.; Петров, А. В.; Филипович, М.; Возняк, Я.; Быстрицкий, Вит. М.; Тулеушев, Ю. Ж.; НИИЯФ; НИИ ядерной физики Томского Политехнического университета Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Ерофеенко, В. Т. Экранирование низкочастотного электрического поля тонкостенной незамкнутой сферической оболочкой с учетом емкостных свойств [Текст] / Ерофеенко В. Т., Шушкевич Г. Ч.> // Электричество. - 2011. - N 6. - С. 57-61. : 4 рис. - Библиогр.: с. 61 (21 назв. )
Рубрики: Энергетика Электрические и магнитные измерения в целом Кл.слова (ненормированные): интегральные уравнения -- коэффициенты экранирования -- Лапласа уравнения -- низкочастотные электрические поля -- уравнения Лапласа -- уравнения Фредгольма -- Фредгольма уравнения -- экранирование -- электрические поля -- электромагнитные излучения Аннотация: Решение задачи экранирования низкочастотного электрического поля тонкостенной незамкнутой сферической оболочкой сведено к решению интегрального уравнения Фредгольма второго рода. Получена формула для вычисления коэффициента экранирования. Приведены результаты вычислительного эксперимента. Доп.точки доступа: Шушкевич, Г. Ч. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Рябенький, В. С. Модель активного экранирования заданной подобласти от шума внешних источников в текущем времени [Текст] / В. С. Рябенький> // Журнал вычислительной математики и математической физики. - 2011. - Т. 51, N 3. - С. 480-491. . - Библиогр.: c. 490-491
Рубрики: Математика Вычислительная математика Кл.слова (ненормированные): защита от шумов -- методы разностных потенциалов -- нестационарные задачи -- погашение шумов -- управление распространением звука -- управление экранированием -- шумы внешних источников -- экранирование от шумов -- экранирующее управление Аннотация: Рассматривается линейная одномерная по пространству задача, которая интерпретируется как математическая модель распространения звука. Построены такие дополнительные источники звука, которые экранируют заданную подобласть от влияния источников, локализованных в дополнительной подобласти, не меняя при этом решения в самой дополнительной подобласти. Задача осложнена тем, что при построении искомых экранирующих источников для их включения в текущий момент может служить лишь та информация о ходе экранируемого процесса, которая выработалась к этому моменту времени. В важном частном случае для получения информации в удобном виде используется "разведка шумом", введенная в работе. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Самойлова, М. Всегда в готовности, всегда на связи [Текст] : ODU AMC - Hi-Tech разъемы для модернизации / М. Самойлова> // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2011. - № 7. - С. 66-71 . - ISSN 1992-4178
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): компании -- разъемы -- hi tech-разъемы -- экранирование -- кодирование Аннотация: В комплект вооружения современного солдата входит множество электронных приборов. Все эти устройства должны сопрягаться, а значит есть необходимость в легких и миниатюрных соединительных системах. Этим требованиям соответствуют hi tech-разъемы компании ODU AMC. Доп.точки доступа: ODU AMC, компания Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1) Свободны: эн.ф. (1) |
Абрамович, С. Н. Анализ экспериментальных данных по основным термоядерным реакциям, протекающим в области низких энергий [Текст] / С. Н. Абрамович, С. М. Таова> // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 4. - С. 446-452. - Библиогр.: c. 452 (45 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): астрофизический фактор -- библиотеки ядерных данных -- низкие энергии -- термоядерные реакции -- термоядерные установки -- электронное экранирование -- эффект электронного экранирования Аннотация: Проведен сравнительный анализ экспериментальных данных в области низких энергий по реакциям взаимодействия изотопов водорода и гелия с дейтронами и тритонами. При уменьшении энергии налетающих частиц до нескольких килоэлектронвольт наблюдается резкое увеличение значений астрофизического фактора S (E), что свидетельствует о наличии эффекта электронного экранирования. Приведены значения потенциалов электронного экранирования и коэффициенты усиления для основных термоядерных реакций. Учет эффекта электронного экранирования важен при расчетах, проводимых в астрофизической области исследования и при проектировании различных термоядерных установок. Доп.точки доступа: Таова, С. М. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |