Багдасаров, Х. С. Магнитные свойства монокристаллов лейкосапфира в области 4. 2-300 К [Текст] / Х. С. Багдасаров, Ю. В. Шалдин, И. Вархульска, И. Н. Циглер // Доклады Академии наук. - 2007. - Т. 414, N 5. - С. 609-612. - Библиогр.: с. 612 (12 назв. )
Рубрики: Химия--Неорганическая химия Кл.слова (ненормированные): лейкосапфир -- кислородсодержащие соединения -- лазерные рубины -- широкозонные полупроводники Аннотация: Доказано, что магнитные свойства монокристаллов лейкосапфира в значительной степени зависят от условий выращивания и характера внешнего воздействия. Доп.точки доступа: Шалдин, Ю.В.; Вархульска, И.; Циглер, И.Н. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Исследование формирования квантовых точек InGaN на поверхности GaN [Текст] / В. В. Гончаров [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 40-42. : Рис. - Библиогр.: c. 42 (5 назв. )
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): температуры роста -- квантовые точки -- метод газофазной эпитаксии -- фотолюминесценция -- широкозонные полупроводники -- рост Станского-Крастанова -- Станского-Крастанова рост -- квантовые ямы Аннотация: Проведено исследование влияния температуры роста на морфологию поверхности слоев InGaN с квантовыми точками, осажденных на поверхность GaN. Доп.точки доступа: Гончаров, В. В.; Корытов, М. Н.; Брунков, П. Н.; Лундин, В. В.; Заварин, Е. Е.; Цацульников, А. Ф.; Конников, С. Г. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Викулов, И. Программа WBGS-RF. Фаза II [Текст] : итоги и намерения / И. Викулов // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2009. - N 8. - С. 62-65. - Библиогр.: с. 65 (5 назв. ) . - ISSN 1992-4178
Рубрики: Вычислительная техника Программирование ЭВМ. Компьютерные программы. Программотехника Кл.слова (ненормированные): WBGS-RF -- широкозонные полупроводники -- программа широкозонных полупроводников -- транзисторы -- GaN-на-SiC транзисторы -- монолитные интегральные схемы -- системы радиолокации Аннотация: Цель программы WBGS-RF - создание воспроизводимых надежных GaN-на-SiC транзисторов и монолитных интегральных схем, обеспечивающих высокие характеристики систем вооружения, в том числе систем радиолокации. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1) Свободны: эн.ф. (1) |
Родный, П. А. Оптические и люминесцентные свойства оксида цинка (обзор) [Текст] / П. А. Родный, И. В. Ходюк // Оптика и спектроскопия. - 2011. - Т. 111, N 5. - С. 814-824. . - Библиогр.: с. 823-824 (68 назв. )
Рубрики: Физика Люминесценция Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): оптические свойства -- люминесцентные свойства -- монокристаллы -- порошки -- нанокристаллы -- длинноволновые полосы -- оксиды -- сцинтилляторы -- оксид цинка -- цинк -- широкозонные полупроводники -- свойства монокристаллов -- полупроводники Аннотация: Обобщены и систематизированы основные экспериментальные данные по оптическим и люминесцентным свойствам монокристаллов, тонких пленок, порошков, керамик и нанокристаллов ZnO. Доп.точки доступа: Ходюк, И. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Синтез, оптические свойства и дефектная структура диоксида титана, допированного углеродом [Текст] / О. И. Гырдасова [и др.] // Доклады Академии наук. - 2013. - Т. 452, № 1, сентябрь. - С. 42-46 : 4 рис. - Библиогр. : с. 45-46 (12 назв.) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): активирование углеродом -- дефектная структура полупроводников -- диоксид титана -- композиты -- метод растровой электронной микроскопии -- прекурсорный метод -- углероды -- фотокаталитическая активность -- широкозонные полупроводники Аннотация: О разработке методов синтеза материалов с заданными степенью дефективности и микроструктурными характеристиками, а также об установлении корреляций между условиями получения и природой дефектных центров. Доп.точки доступа: Грыдасова, О. И.; Бакланова, И. В.; Мелкозерова, М. А.; Красильников, В. Н.; Бамбуров, В. Г. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Кукушкин, С. А. Новый метод получения объемных кристаллов AlN, GaN и AlGaN с использованием гибридных подложек SiC/Si [Текст] / С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 12. - С. 2338-2343 : 7 рис. - Библиогр. в конце ст. (23 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков--Россия--Санкт-Петербург, 2019 г. Кл.слова (ненормированные): AlGaN -- AlN -- GaN -- гибридные подложки -- доклады -- карбид кремния на кремнии -- конференции -- нитрид алюминия -- нитрид галлия -- тонкие пленки -- широкозонные полупроводники -- эпитаксия Аннотация: Представлены основные положения нового метода выращивания объемных монокристаллических пленок AlN, AlGaN и GaN на кремниевых подложках с буферным слоем карбида кремния с последующим их отделением от подложки Si. Доп.точки доступа: Шарофидинов, Ш. Ш. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Самоорганизация состава пленок Al[x]Ga[1-x]N, выращенных на гибридных подложках SiC/Si [Текст] / С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов [и др.] // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 3. - С. 363-369 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (14 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): SiC/Si -- гибридные подложки -- карбид кремния -- подложки SiC/Si -- твердые растворы -- хлорид-гидридная эпитаксия -- широкозонные полупроводники Аннотация: Обнаружено явление самоорганизованного изменения состава эпитаксиальных слоев твердого раствора Al[x]Ga[1-x]N при их росте на гибридных подложках SiC/Si (111). Доп.точки доступа: Кукушкин, С. А.; Шарофидинов, Ш. Ш.; Осипов, А. В.; Гращенко, А. С.; Кандаков, А. В.; Осипова, Е. В.; Котляр, К. П.; Убыйвовк, Е. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1) Свободны: н.з. (1) |
Релаксация напряжений несоответствия в гетероструктурах alpha-Ga[2]O[3]/alpha-Al[2]O[3] при образовании дислокаций несоответствия [Текст] / А. М. Смирнов, А. В. Кремлева, Ш. Ш. Шарофидинов [и др.] // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 6. - С. 788-795 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (33 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- дислокации несоответствия -- напряжения несоответствия -- оксид галлия -- полупроводники -- релаксация напряжений несоответствия -- сапфиры -- широкозонные полупроводники Аннотация: Предложена теоретическая модель релаксации напряжений несоответствия в гетероструктурах alpha-Ga[2]O[3]/alpha-Al[2]O[3] типа пленка/подложка с учетом анизотропии кристаллических решеток материалов гетероструктуры. Доп.точки доступа: Смирнов, А. М.; Кремлева, А. В.; Шарофидинов, Ш. Ш.; Бугров, В. Е.; Романов, А. Е. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1) Свободны: н.з. (1) |