Влияние широкополосного некогерентного излучения на фотоотклик в кристаллах ниобата лития [Текст] / А. В. Сюй [и др. ] // Оптика и спектроскопия. - 2008. - Т. 104, N 1. - С. 136-139.
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): ниобат лития -- кристаллы -- фотоотклик -- широкополосное некогерентное излучение -- некогерентное излучение Аннотация: Приведены экспериментальные результаты по локальному фотоотклику в кристаллах ниобата лития от широкополосного некогерентного излучения. Показано влияние предварительно наведенного электрического поля на зависимость фотонапряжения от времени, вида и концентрации примеси. Пироэлектрический эффект оказывает значительное влияние на фотопроцессы в кристаллах ниобата лития, особенно на первоначальном этапе облучения. Доп.точки доступа: Сюй, А. В.; Строганов, В. И.; Криштоп, В. В.; Лихтин, В. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Попов, В. В. Плазмон-плазмонное рассеяние и гигантское уширение линии подзатворного плазмонного резонанса в нанометровом гетеротранзисторе с двумерным электронным каналом [Текст] / В. В. Попов, О. В. Полищук, W. Knap // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 1. - С. 91-94. . - Библиогр.: c. 94 (10 назв. )
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): плазмон-плазмонное рассеяние -- подзатворный плазменный резонанс -- нанометровые гетеротранзисторы -- двумерные электронные каналы -- резонансное детектирование -- плазмонные моды -- терагерцевый плазменный фотоотклик Аннотация: Выведена форма линии подзатворного плазменного резонанса поглощения в полевом гетеротранзисторе с отдаленным затвором. Доп.точки доступа: Полищук, О. В.; Knap, W. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Исследование временных характеристик фотодетекторов на основе наногетероструктур Ge/Si 1 [Текст] / В. А. Донченко [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 5. - С. 64-67. . - Библиогр.: c. 67 (2 назв. )
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): наногетероструктуры Ge/Si -- фотодетекторы -- фотоотклик -- фотоприемники -- фотосопротивления Аннотация: Приводятся результаты исследования временных характеристик фоточувствительных слоев на базе наногетероструктур Ge/Si при возбуждении фемтосекундными импульсами лазера на длине волны 1, 55 мкм. Показано, что длительность переднего фронта импульсов фотооткликов исследуемых образцов не более 30-40 пс при возбуждении лазерными импульсами длительностью 120 фс. Доп.точки доступа: Донченко, В. А.; Якимов, А. И.; Землянов, А. А.; Кириенко, В. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Харпер, Дуглас (профессор социологии). Фотовыявление: истоки, развитие, темы и формы [Текст] / Д. Харпер ; автор предисловия Н. М. Богданова // Социологический журнал. - 2013. - № 2. - С. 16-42. - Библиогр.: с. 39-42. - Ил. . - ISSN 1562-2495
Рубрики: Социология Социология общества Кл.слова (ненормированные): культурная идентичность -- фотовыявление -- фотовыявляющее интервью -- фотоотклик Аннотация: Статья представляет собой краткий обзор метода фотовыявления, демонстрирующий распространение исследований с его применением в разных предметных областях. Статья отражает практические рассуждения, на основании которых делается вывод о том, что фотовыявление расширяет возможности традиционного эмпирического исследования, поставляя информацию иного рода, а также более обширные данные, чем те, что производятся обычными методами исследования. Доп.точки доступа: Богданова, Н. М. \.\ Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Одринский, А. П. Эффект модификации вклада термоэмиссии локализованных зарядов в релаксацию фотоотклика монокристалла TlGaSe[2] [Текст] / А. П. Одринский // Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 4. - С. 596-602 : 7 рис. - Библиогр. в конце ст. (29 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кристаллография в целом -- локализованные заряды -- сегнетоэлектрики-полупроводники -- слоистые кристаллы -- термоэмиссия -- фотоотклик Аннотация: Представлены результаты исследования особенностей процессов термоэмиссии с центров локализации зарядов в электрически неоднородном кристалле TlGaSe[2]. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1) Свободны: н.з. (1) |