Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In (Ga) N [Текст] / Т. В. Шубина [и др. ]> // Успехи физических наук. - 2009. - Т. 179, N 9. - С. 1007-1012. : 6 рис. - Библиогр.: с. 1011-1012 (40 назв. ). - Материалы научной сессии Отделения физических наук Российской академии наук
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): научные сессии -- наноструктуры -- плазмонные эффекты -- наночастицы -- нанокомпозиты -- фотовозбужденные носители -- оптические процессы Аннотация: Рассмотрено влияние эффектов, связанных с локализованными плазмонами в металлических наночастицах, на оптические процессы в структурах на основе In (Ga) N. Исследованы особенности излучения и поглощения света и генерации фотовозбужденных носителей, а также приведены данные по оценке усредненного усиления в InN/In-нанокомпозитах. Доп.точки доступа: Шубина, Т. В.; Иванов, С. В.; Торопов, А. А.; Копьев, П. С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Яременко, Н. Г. Резонансный захват дырок в моделированно-легированных структурах n-AlGaAs/GaAs с квантовыми ямами [Текст] / Н. Г. Яременко, М. Г. Карачевцева, А. В. Страхова> // Доклады Академии наук. - 2011. - Т. 437, N 3, март. - С. 321-326. : 2 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 325-326 (11 назв. )
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- фотолюминесценция -- фотовозбужденные носители -- модулированно-легированные структуры -- неравновестные носители -- захват фотовозбужденных носителей Аннотация: Проведенные исследования подтверждают осциллясционный характер зависимости эффективности захвата неравновестных носителей от ширины квантовой ямы. Доп.точки доступа: Карачевцев, М. В.; Страхов, В. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |