Головнев, Ю. Ф. Прямые и межъямные экситоны в магнитных наноструктурах [Текст] / Ю. Ф. Головнев, Л. В. Никольская // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 11. - С. 1664-1666. - Библиогр.: c. 1666 (3 назв. )
Рубрики: Техника Общие вопросы техники Кл.слова (ненормированные): магнитные наноструктуры -- межъямные экситоны -- наноструктуры -- осцилляторы -- парамагнитные полупроводники -- прямые экситоны -- сверхрешетки -- ферромагнитные полупроводники -- экситоны -- энергии экситонов -- энергия Аннотация: Проведены расчеты энергии прямых и межъямных экситонов в сверхрешетках на основе сульфидов европия и свинца. Доп.точки доступа: Никольская, Л. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Эволюция спектров оптического поглощения и электронной структуры в кристалле VBO[3] при воздействии высоких давлений [Текст] / Н. В. Казак [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 136, вып. 3. - С. 531-542. . - Библиогр.: с. 541-542
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): спектры оптического поглощения -- полупроводники -- кристаллы -- высокие давления -- электронная структура -- структуры -- оптическое поглощение -- ферромагнитные полупроводники -- давления -- воздействие давлений Аннотация: Иследована эволюция спектров оптического поглощения и электронной структуры в кристалле VBO[3] при воздействии высоких давлений. Доп.точки доступа: Эдельман, И. С.; Овчинников, С. Г.; Руденко, В. В.; Любутин, И. С.; Казак, Н. В.; Гаврилюк, А. Г. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Кусраев, Ю. Г. Спиновые явления в полупроводниках: физика и приложения [Текст] / Ю. Г. Кусраев // Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180, N 7. - С. 759-773 : 12 рис. - Библиогр.: с. 772-773 (96 назв. ). - Материалы научной сессии Отделения физических наук Российской академии наук . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- спектроскопия -- ферромагнитные полупроводники -- эффект Холла -- Холла эффект -- спиновые явления -- спинтроника -- сессии Аннотация: К настоящему времени открыто много новых интересных спин-зависимых эффектов в полупроводниках и гибридных структурах с магнетиками и на их основе предложено большое количество устройств. Разработаны методы генерации, управления и детектирования спина - на них основывается работа будущих устройств спинтроники. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Индуцированный высоким давлением спин-переориентационный переход в ферромагнитном полупроводнике Cd[0. 7]Mn[0. 3]GeAs[2] [Текст] / А. Ю. Моллаев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 8. - С. 1157-1159. . - Библиогр.: c. 1158-1159 (9 назв. )
Рубрики: Химия Общая и неорганическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): гидростатическое давление -- магнитная восприимчивость -- поперечное магнетосопротивление -- продольное магнетосопротивление -- разбавленные магнитные полупроводники -- сегнето-сегнетоэлектрические фазовые переходы -- твердые растворы -- температурная зависимость -- тетрагональная фаза -- ферромагнитные полупроводники Аннотация: В данной работе исследованы магнитные и магнитотранспортные свойства ферромагнитного полупроводника Cd[0. 7]Mn[0. 3]GeAs[2] и, в частности, фазовые переходы с помощью анализа барических зависимостей магнитной восприимчивости и магнетосопротивления. Доп.точки доступа: Моллаев, А. Ю.; Камилов, И. К.; Арсланов, Р. К.; Арсланов, Т. Р.; Залибеков, У. З.; Новоторцев, В. М.; Маренкин, С. Ф. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Антонов, Алексей Викторович (аспирант). Процессы спинового транспорта в наноструктурах "ферромагнитных полупроводник - немагнитный полупроводник" [Текст] / А. В. Антонов, К. Г. Никифоров, Г. Г. Бондаренко // Перспективные материалы. - 2010. - N 4. - С. 21-25. : Рис. 4. - Библиогр.: с. 24-25 (15 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Радиоэлектроника в целом Кл.слова (ненормированные): спинтроника -- наноструктура -- спин-поляризованный туннельный ток -- спиновой перенос -- ферромагнитные полупроводники -- наноструктуры Аннотация: Исследованы процессы спинового транспорта в наноразмерных спинтронных структурах "ферромагнитный полупроводник - немагнитный полупроводник" CdCr[2]Se[4]/CdIn[2]S[4] и HgCr[2]Se[4]/CdIn[2]S[4] с низкой степенью рассогласования кристаллических решеток. Доп.точки доступа: Никифоров, Константин Георгиевич (доктор физико-математических наук; профессор; проректор по научной работе); Бондаренко, Геннадий Германович (доктор физико-математических наук; профессор; заместитель директора) Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Головнев, Ю. Ф. Коллективные свойства триплетных экситонов в гетероструктурах на основе ферромагнитных полупроводников [Текст] / Ю. Ф. Головнев, А. Б. Лаковцев // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 2. - С. 194-196. . - Библиогр.: c. 196 (7 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): бозе-конденсация -- волновые функции -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- коллективные свойства -- триплетные экситоны -- ферромагнитные полупроводники -- халькогенид европия -- экситоны Аннотация: В работе исследуются наноразмерные гетеросистемы на основе ферромагнитных полупроводников. В них рассматривается возможность получения конденсированного состояния из нижайших по энергии триплетных экситонов. Рассчитаны основные параметры, при которых возможна экситонная бозе-конденсация. Доп.точки доступа: Лаковцев, А. Б. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Белогорохов, А. И. Ферромагнитные полупроводниковые материалы: методы исследования и контроля параметров (обзор) [Текст] / А. И. Белогорохов, А. Ф. Орлов, Ю. Н. Пархоменко // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2012. - Т. 78, № 6. - С. 28-34. - Библиогр.: с. 34 (17 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Магнетизм Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): ферромагнитные полупроводниковые материалы -- полупроводниковые материалы -- ферромагнитные полупроводники -- методы контроля -- спиновая электроника -- ферромагнетизм -- намагниченность -- обзоры Аннотация: Описаны методы, используемые на стадии разработки и при контроле параметров опытных образцов ферромагнитных полупроводниковых материалов. Доп.точки доступа: Орлов, А. Ф.; Пархоменко, Ю. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Когерентная спиновая динамика носителей в ферромагнитных полупроводниковых гетероструктурах с дельта-слоем Mn [Текст] / С. В. Зайцев [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2016. - Т. 150, вып. 3. - С. 490-500. - Библиогр. в конце статьи . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): Керра эффект -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- когерентная спиновая динамика -- магнитооптические эффекты -- полупроводники -- спиновая поляризация -- ферромагнитные полупроводники -- эффект Керра Аннотация: Методом магнитооптического эффекта Керра с пикосекундным временным разрешением детально изучена когерентная спиновая динамика носителей в гетероструктурах, содержащих квантовую яму InGaAs/GaAs и дельта-слой Mn, разделенные узким спейсером GaAs. Доп.точки доступа: Зайцев, С. В.; Акимов, И. А.; Данилов, Ю. А.; Дорохин, М. В.; Звонков, Б. Н.; Яковлев, Д. Р.; Байер, М.; Лангер, Л. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga, Mn)As импульсным лазерным отжигом [Текст] / Ю. А. Данилов [и др.] // Физика твердого тела. - 2016. - Т. 58, вып. 11. - С. 2140-2144 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (14 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): As -- Ga -- Mn -- импульсный лазерный отжиг -- лазерный отжиг -- однофазные полупроводники -- полупроводники -- ферромагнитные полупроводники Аннотация: Показано, что слои (Ga, Mn) As, сформированные методом имплантации ионов Mn{+} в GaAs и последующего отжига импульсом эксимерного лазера, обладают свойствами полупроводника p-типа и ферромагнитными свойствами. Доп.точки доступа: Данилов, Ю. А.; Boudinov, H.; Вихрова, О. В.; Здоровейщев, А. В.; Кудрин, А. В.; Павлов, С. А.; Парафин, А. Е.; Питиримова, Е. А.; Якубов, Р. Р. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Влияние электрического поля на магнитные характеристики наноразмерного ферромагнитного полупроводника [Текст] / М. А. Кожушнер [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2016. - Т. 150, вып. 6. - С. 1227-1232. - Библиогр. в конце статьи . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): наноразмерные полупроводники -- полупроводники -- распределение магнитного момента -- ферромагнитные полупроводники -- электрическое поле Аннотация: Развита теория влияния электрического поля на намагниченность тонкой пластины ферромагнитного полупроводника. Доп.точки доступа: Кожушнер, М. А.; Лидский, Б. В.; Посвянский, В. С.; Трахтенберг, Л. И. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Термоэлектрические свойства ферромагнитного полупроводника на основе дираковского полуметалла Cd[3]As[2] при высоком давлении [Текст] / Н. В. Мельникова [и др.] // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 3. - С. 490-494 : 4 рис. - Библиогр. в конце ст. (23 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): барические зависимости -- дираковские полуметаллы -- полуметаллы -- полупроводники -- термоэлектрические свойства -- ферромагнитные полупроводники Аннотация: Исследованы барические зависимости термоэдс, как одного из наиболее чувствительных к фазовым превращениям параметров. Доп.точки доступа: Мельникова, Н. В.; Тебеньков, А. В.; Суханова, Г. В.; Бабушкин, А. Н.; Сайпулаева, Л. А.; Захвалинский, В. С.; Габибов, С. Ф.; Алибеков, А. Г.; Моллаев, А. Ю. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Особенности микроструктуры и электронного строения гетеросистем, содержащих квантовые точки Si/GeMn, по данным XAFS-спектроскопии [Текст] / С. Б. Эренбург [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2019. - Т. 155, вып. 2. - С. 346-355. - Библиогр. в конце статьи . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): XAFS-спектроскопия -- квантовые точки -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- полупроводники -- синтез структур -- ферромагнитные полупроводники -- электронное строение Аннотация: Исследованы особенности микроструктуры и элементного состава магнитных систем Si/GeMn, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и содержащих квантовые точки. Доп.точки доступа: Эренбург, С. Б.; Трубина, С. В.; Зверева, В. А.; Зиновьев, В. А.; Кацюба, А. В.; Двуреченский, А. В.; Квашнина, К.; Воелсков, М. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga, Mn)As [Текст] / Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов [и др.] // Физика твердого тела. - 2020. - Т. 62, вып. 3. - С. 373-380 : 6 рис. - Библиогр. в конце ст. (20 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): диодная гетероструктура -- импульсное лазерное нанесение -- лазерное нанесение -- магнетосопротивление -- отрицательное магнетосопротивление -- ферромагнитные полупроводники Аннотация: Обнаружен эффект отрицательного магнетосопротивления, связанный с уменьшением рассеяния носителей заряда благодаря магнитному упорядочению в слое (Ga, Mn) As. Доп.точки доступа: Звонков, Б. Н.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Дорохин, М. В.; Калентьева, И. Л.; Кудрин, А. В.; Здоровейщев, А. В.; Ларионова, Е. А.; Ковальский, В. А.; Солтанович, О. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1) Свободны: н.з. (1) |
Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем [Текст] / О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков [и др.] // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 3. - С. 346-355 : 8 рис., 2 табл. - Библиогр. в конце ст. (24 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): GaAs-структура -- InGaAs-структура -- излучательные свойства -- импульсы эксимерного лазера -- квантово-размерные структуры -- ферромагнитные полупроводники -- эксимерный лазер Аннотация: Исследована возможность модифицирования лазерным отжигом свойств слоя (Ga, Mn) As, расположенного на поверхности квантово-размерных InGaAs/GaAs-структур. Доп.точки доступа: Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Звонков, Б. Н.; Калентьева, И. Л.; Кузнецов, Ю. М.; Нежданов, А. В.; Парафин, А. Е.; Хомицкий, Д. В.; Антонов, И. Н. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1) Свободны: н.з. (1) |
Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A{3}FeB{5} разного типа проводимости [Текст] / В. П. Лесников, М. В. Ведь, О. В. Вихрова [и др.] // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 7. - С. 866-873 : 7 рис. - Библиогр. в конце ст. (18 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): диодные гетероструктуры -- импульсное лазерное нанесение -- лазерное нанесение -- полупроводники -- проводимость -- узкозонные полупроводники -- ферромагнитные полупроводники Аннотация: Представлены результаты исследований диодных гетероструктур со слоями ферромагнитных узкозонных полупроводников A{3}FeB{5} разного типа проводимости, изготовленными импульсным лазерным нанесением в вакууме. Доп.точки доступа: Лесников, В. П.; Ведь, М. В.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Звонков, Б. Н.; Здоровейщев, А. В.; Калентьева, И. Л.; Кудрин, А. В.; Крюков, Р. Н. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1) Свободны: н.з. (1) |