Кристаллохимия мурунскита [Текст] / И. В. Пеков [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 424, N 3, январь. - С. 385-387. . - Библиогр.: с. 387 (15 назв. )
Рубрики: Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): кристаллохимия -- мурунскит -- сульфид меди -- буковит -- минералы Аннотация: Авторами впервые решена структура природного мурунскита. Материалом для исследования послужила новая находка минерала в Хибинском массиве. Доп.точки доступа: Пеков, И. В.; Зубкова, Н. В.; Лисицын, Д. В.; Пущаровский, Д. Ю. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Сергеев, И. Н. Исследование методами ЭОС, СХПЭЭ и ДМЭ особенностей роста сульфида меди при поверхностной сегрегации на грани Cu (III) [Текст] / И. Н. Сергеев, А. А. Шебзухов // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 5. - С. 744-746. . - Библиогр.: c. 746 (11 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): дифракция медленных электронов -- изотермический нагрев -- сегрегация -- сера -- спектроскопия характеристических потерь энергии электронов -- сульфид меди -- температурная зависимость -- электронная оже-спектроскопия Аннотация: Методами ЭОС, СХПЭЭ и ДМЭ в диапазоне T = 300-1075 К исследованы особенности роста поверхностного сульфида меди, формирующегося на Cu (111) в результате сегрегации примесной серы. Показано, что формирование 2D-сульфида можно представить как многостадийный процесс: накопление сегреганта в атомарно-подобном состоянии до некоторого критического покрытия, зависящего от температуры, сравнительно быстрое образование доменов 2D-фазы в результате химического взаимодействия и упорядочения поверхностных атомов и медленный рост доменов новой фазы до равновесного покрытия. Доп.точки доступа: Шебзухов, А. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Формирование и структура покрытий сульфида цинка, нанесенных при электронно-лучевом испарении компонентов [Текст] / М. А. Ярмоленко [и др.] // Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - 2013. - Т. 4, № 2. - С. 22-29. - Библиогр.: c. 27-28 . - ISSN 2225-0999
Рубрики: Обработка материалов Материаловедение Техника Кл.слова (ненормированные): испарение серы -- испарение цинка -- покрытия сульфида цинка -- сера -- стехиометрия осаждаемых слоев -- структурные образования -- сульфид меди -- сульфид цинка -- формирование покрытий сульфида цинка -- цинк -- электронно-лучевое испарение Аннотация: Рассмотрены особенности химического состава и структуры покрытий, осажденных электронно-лучевым испарением дисперсной смеси серы и цинка. Покрытия характеризуются высокой химической и структурной однородностью. Температурные воздействия на осаждаемое покрытие способствует образованию более крупных зерен структурных образований размером более 30 нм и особенно в тонких слоях. Доп.точки доступа: Ярмоленко, М. А.; Рогачев, А. А.; Рогачев, А. В.; Горбачёв, Д. Л. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |