Мультиферроики: перспективные материалы микроэлектроники, спинтроники и сенсорной техники [Текст] / А. К. Звездин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 11. - С. 1604-1605. - Библиогр.: c. 1605 (22 назв. )
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): композиты -- магнитные материалы -- магнитоэлектрические материалы -- микроэлектроника -- мультиферроики -- сенсорная техника -- спинтроника Аннотация: Рассмотрены возможные области применения магнитоэлектрических материалов и мультиферроиков в микроэлектронике, спинтронике и сенсорной технике. Доп.точки доступа: Звездин, А. К.; Логгинов, А. С.; Мешков, Г. А.; Пятаков, А. П. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Ферт, А. Происхождение, развитие и перспективы спинтроники [Текст] / А. Ферт // Успехи физических наук. - 2008. - Т. 178, N 12. - С. 1336-1348. : 13 рис. - Библиогр.: с. 1348 (75 назв. ). - Материалы Нобелевской лекции
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Магнетизм Кл.слова (ненормированные): Нобелевские лекции -- спинтроника -- ферромагнетики -- спиновые токи -- гигантское магнетосопротивление -- МГС -- электрические поля -- магниторезистивные эффекты Аннотация: Развитие спинтроники открыло много эффектов, связанных с управлением и воздействием на спиновые токи. Область научных исследований расширяется в таких многообещающих новых направлениях, как явление переноса спина, полупроводниковая, молекулярная или одноэлектронная спинтроника. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Формирование слоев полуметаллов MnAs и MnP для структур спинтроники [Текст] / Б. Н. Звонков [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С. 23-25. - Библиогр.: c. 25 (4 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): MnAs -- MnP -- арсин -- лазерное распыление -- магнитные свойства -- полуметаллические соединения -- спиновая электроника -- ферромагнитные соединения -- Холла эффект -- электрические свойства -- эффект Холла Аннотация: Методом лазерного распыления металлической мишени марганца в потоке водорода и арсина (фосфина) на подложках GaAs были получены полуметаллические слои MnAs и MnP. Доп.точки доступа: Звонков, Б. Н.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Дроздов, Ю. Н.; Кудрин, А. В.; Левчук, С. А.; Питиримова, Е. А.; Сапожников, М. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Легированные марганцем халькопириты CdGeAs[2], ZnGeAs[2] и ZnSiAs[2] - новые спинтроники [Текст] / Л. И. Королева [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 10. - С. 1409-1412. . - Библиогр.: с. 1412 (14 назв. )
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Технология металлов Общая технология металлов Кл.слова (ненормированные): Кюри точка -- магнитные полупроводники -- магнитосопротивление -- намагниченность -- точка Кюри -- ферромагнитные металлы -- халькопириты -- Холла эффект -- электросопротивление -- эффект Холла Аннотация: Приготовлены новые разбавленные магнитные полупроводники - халькопириты CdGeAs[2]: Mn, ZnGeAs[2]: Mn и ZnSiAs[2]: Mn. Доп.точки доступа: Королева, Л. И.; Защиринский, Д. М.; Хапаева, Т. М.; Маренкин, С. Ф.; Федорченко, И. В.; Варнавский, С. А.; Шимчак, Р. А.; Крзуманска, Б. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Магнитный полупроводник (Ga, Mn) Sb как перспективный материал для приборов спинтроники [Текст] / Ю. А. Данилов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 2. - С. 199-201. - Библиогр.: c. 201 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): аномальный эффект Холла -- Керра магнитнооптический эффект -- комбинационное рассеяние света -- магнитнооптический эффект Керра -- магнитные полупроводники -- метод лазерного нанесения в кварцевом реакторе -- разбавленные магнитные полупроводники -- рентгеновская дифракция -- Холла аномальный эффект Аннотация: Представлены результаты исследования структуры, оптических и гальваномагнитных свойств слоев (Ga, Mn) Sb, выращенных методом лазерного распыления твердотельных мишеней в потоке Н[2]. Показано, что при температуре выращивания 400°С слои (Ga, Mn) Sb являются монокристаллическими вплоть до высоких концентраций Mn. Магнитополевая зависимость холловского сопротивления при температурах измерений 10-300 К содержит петлю гистерезиса, т. е. слои являются ферромагнитными полупроводниками. Доп.точки доступа: Данилов, Ю. А.; Звонков, Б. Н.; Кудрин, А. В.; Вихрова, О. В.; Планкина, С. М.; Дунаев, В. С.; Нежданов, А. В.; Дроздов, Ю. Н.; Сапожников, М. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Нано- и гетероструктуры магнитных полупроводников для спинтроники [Текст] / А. К. Дмитриев [и др.] // Известия РАН. Серия химическая. - 2011. - № 6. - С. 1027-1033 : 5 рис. - Библиогр.: с. 1032-1033 (32 назв. ) . - ISSN 0002-3353
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): разбавленные магнитные полупроводники -- тонкие пленки -- нанопроволоки -- гетероструктуры -- спиновая динамика Аннотация: Исследованы магнитные, электротранспортные и оптические свойства упорядоченных нано- и гетероструктур разбавленных магнитных полупроводников III-V и IV групп. Проведен сравнительный анализ магнитных и электротранспортных свойств нанопроволок, тонких пленок и объемных полупроводников, легированных переходными металлами. Обсуждено влияние размерных эффектов на спиновую динамику, магнитные свойства и магнетосопротивление. Рассмотрены перспективы применения нано- и гетероструктур с комбинированными взаимосвязанными магнитными, электрическими и оптическими свойствами. Доп.точки доступа: Дмитриев, А. К.; Таланцев, А. Д.; Зайцев, С. В.; Коплак, О. В.; Моргунова, Р. Б. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Хлудков, С. С. Нитрид галлия в качестве материала для спинтроники [Текст] / С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 8. - С. 44-49 : рис. - Библиогр.: c. 49 (39 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Диэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): легирование магнитными примесями -- нитрид галлия -- примеси переходных металлов -- редкоземельные элементы -- ферромагнитные свойства Аннотация: Приведен обзор литературы по магнитным свойствам GaN, легированного магнитными примесями: переходными металлами (Mn, Cr, Fe, Ni, V) и редкоземельными элементами (Gd, Eu, Sm), а также нитрида галлия, содержащего большую концентрацию вакансий галлия и квантовые точки. Рассмотрены свойства GaN, легированного в процессе роста слоев методом молекулярно-лучевой и мосгидридной эпитаксии, а также в процессе ионного легирования. Пленки GaN, легированные переходными металлами и редкоземельными элементами, а также нелегированный GaN, часто сохраняют ферромагнитные свойства при комнатной температуре. Доп.точки доступа: Прудаев, И. А.; Толбанов, О. П. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Влияние высокого давления на электросопротивление и изменение объема в ферромагнитных полупроводниках A{II}B{IV}C[2]{v} :MN [Текст] / А. Ю. Маллаев [и др.] // Журнал неорганической химии. - 2015. - Т. 60, № 8. - С. 1095-1109 : рис. - Библиогр.: с. 1109 (13 назв.)
Рубрики: Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- полупроводниковые свойства -- спинтроники -- фазовые переходы -- ферромагнитные свойства Аннотация: Проведено экспериментальное исследование ферромагнитных полупроводников. Доп.точки доступа: Маллаев, А. Ю.; Арсланов, Р. К.; Камилов, И. К.; Залибеков, У. З.; Федорченко, И. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |