Формирование спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs [Текст] / М. М. Прокофьева [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 2. - С. 255-258. - Библиогр.: c. 258 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Люминесценция Магнетизм Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры InGaAs/GaAs -- квантовые ямы -- Кюри температура -- магнитополевая зависимость -- МОС-гидридная эпитаксия -- спиновые светодиоды -- температура Кюри -- циркулярная поляризация -- электролюминесценция Аннотация: Исследована электролюминесценция светоизлучающих диодов на основе гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs и дельта (Mn) -легированным слоем в GaAs-барьере. Показано, что диоды излучают циркулярно поляризованный свет, степень поляризации которого зависит от приложенного магнитного поля и температуры. Предположено, что температурные зависимости степени поляризации обусловлены изменением взаимного расположения энергетических уровней ионов Mn в дельта-слое и дырок в квантовой яме. Доп.точки доступа: Прокофьева, М. М.; Дорохин, М. В.; Данилов, Ю. А.; Малышева, Е. И.; Кудрин, А. В.; Калентьева, И. Л.; Вихрова, О. В.; Звонков, Б. Н. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |