Исследование методом фотоотражения полуизолирующих подложек GaAs, обработанных плазменным травлением [Текст] / Л. П. Авакянц [и др. ]> // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 7. - С. 995-998. . - Библиогр.: c. 998 (11 назв. )
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): полуизолирующие подложки GaAs -- ионно-плазменное травление -- поверхности -- спектроскопия фотоизображения -- электронный циклотронный резонанс -- спектры фотоотражения -- Франца-Келдыша осциллиции -- осциллиции Франца-Келдыша -- экспериментальные данные -- моделирование Аннотация: Методом спектроскопии фотоизображения исследованы полуизолирующие подложки GaAs с ориентацией поверхности (100), подвергнутые ионно-плазменному травлению различного типа. Доп.точки доступа: Авакянц, Л. П.; Боков, П. Ю.; Григорьев, А. Т.; Червяков, А. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |