Формирование проводящих слоев в алмазе путем имплантации ионов водорода и последующей термообработки при низком или высоком давлении [Текст] / В. П. Попов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 5. - С. 647-652. - Библиогр.: c. 651-652 (30 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): алмазы -- графитизация -- ионная имплантация -- отжиг -- прыжковая проводимость -- рамановское рассеяние света -- слоевая проводимость -- стеклоуглерод Аннотация: (111) пластины синтетических HPTH-алмазов облучались ионами H{+}[2] 50 кэВ в диапазоне флюенсов (1-13) х 10{16} см{-2} и отжигались в вакууме при 1 мПа (VPHT, 500-1600 град. С) и при высоких HPHT параметрах (4. 0-7. 5 ГПа, 1200-1550 град. С). Измерениями слоевой проводимости и рамановского рассеяния света показано, что после VPHT-отжига формируется скрытый слой стеклоуглерода 10-100 нм с низким, а после - HPHT с высоким сопротивлением и прыжковым транспортом по дефектам. Доп.точки доступа: Попов, В. П.; Сафронов, Л. Н.; Наумова, О. В.; Володин, В. А.; Куприянов, И. Н.; Пальянов, Ю. Н. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |