Математическая модель для расчета сегрегации индия и напряжений несоответствия в наноразмерных гетероструктурах InGaAs/GaAs [Текст] / Р. Х. Акчурин [и др. ] // Математическое моделирование. - 2009. - Т. 21, N 5. - С. 114-126. : 4 табл., 4 рис. - Библиогр.: с. 125-126 (32 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): наноразмерные гетероструктуры -- сегрегация индия -- математические модели -- многослойные гетероструктуры Аннотация: Предложена модель для прогнозирования концентрационных профилей индия и напряжений несоответствия в многослойных гетероструктурах InGaAs/GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии. Моделирование основано на рассмотрении процесса эпитаксиального роста как последовательности формирования воображаемых эпитаксиальных слоев с толщиной, равной параметру кристаллической решетки. Для каждого такого слоя определяются упругие напряжения и вызванное ими смещение термодинамического равновесия, определяющее изменение состава наращиваемого твердого раствора InGaAs. Доп.точки доступа: Акчурин, Р. Х. (МИТХТ им. М. В. Ломоносова); Берлинер, Л. Б. (МИТХТ им. М. В. Ломоносова); Малджы, А. А. (МИТХТ им. М. В. Ломоносова); Мармалюк, А. А. (ООО "Сигм Плюс") Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |