Релаксационные процессы при фотовозбуждении полупроводника CdF[2] лазерными импульсами света [Текст] / С. А. Казанский [и др. ] // Оптика и спектроскопия. - 2008. - Т. 104, N 3. - С. 394-399
Рубрики: Физика Электрический ток Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- CdF[2] -- фотопроводимость -- релаксационные процессы при фотовозбуждении -- лазерные импульсы света -- фотоионизация -- диэлектрическая проницаемость Аннотация: С помощью микроволнового резонаторного метода в полупроводниковых кристаллах CdF[2], легированных Y, In или Ga, в диапазоне температур Т= 6-77 К изучены процессы фотоионизации электронов при возбуждении периодическими импульсами Nd-лазера с донорных уровней в зону проводимости. Регистрировались переходные процессы в модах поглощения и дисперсии, связанные с изменением мнимой и действительной частей комплексной диэлектрической проницаемости под действием световых импульсов. Доп.точки доступа: Казанский, С. А.; Guyot, Y.; Gacon, J.- C.; Joubert, M.- F.; Pedrini, C. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |