Магнитотуннельная спектроскопия поляронных состояний в квантовой яме резонансно-туннельного диода [Текст] / В. Г. Попов [и др. ] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 138, вып. 2. - С. 249-254. . - Библиогр.: с. 254
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Физика
   Теоретическая физика

Кл.слова (ненормированные):
резонансно-туннельный диод -- диоды -- квантовые ямы -- поляронные состояния -- магнитотуннельная спектроскопия -- спектроскопия
Аннотация: Исследуется магнитотуннельная спектроскопия поляронных состояний в квантовой яме резонансно-туннельного диода.


Доп.точки доступа:
Попов, В. Г.; Криштоп, В. Г.; Макаровский, О. Н.; Хенини, М.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




    Елесин, В. Ф.
    Резонансное туннелирование взаимодействующих электронов в переменном электрическом поле [Текст] / В. Ф. Елесин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 144, вып. 5. - С. 1086-1098. - Библиогр.: с. 1098 . - ISSN 0044-4510
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Физика
   Теоретическая физика

Кл.слова (ненормированные):
взаимодействующие электроны -- волновые функции -- переменные поля -- резонансно-туннельный диод -- резонансное туннелирование электронов -- электрическое поле -- электроны
Аннотация: В рамках когерентной модели туннелирования решена задача о влиянии межэлектронного взаимодействия на статические и динамические свойства двухбарьерной наноструктуры (резонансно-туннельного диода).


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)




    Елесин, В. Ф.
    Переходные процессы в двухбарьерных наноструктурах [Текст] / В. Ф. Елесин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2014. - Т. 145, вып. 6. - С. 1078-1086. - Библиогр.: с. 1086 . - ISSN 0044-4510
УДК
ББК 22.31
Рубрики: Физика
   Теоретическая физика

Кл.слова (ненормированные):
двухбарьерные наноструктуры -- когерентное туннелирование -- наноструктуры -- переходные процессы в наноструктурах -- резонансно-туннельный диод -- туннелирование
Аннотация: Найдено аналитическое решение задачи о переходных процессах в двухбарьерной наноструктуре.


Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1)
Свободны: ч.з. (1)