Романова, И. Новые виды памяти - разработка и перспективы применения [Текст] / И. Романова // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2010. - N 2. - С. 26-33. - Библиогр.: с. 33 (5 назв. ) . - ISSN 1992-4178
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): запоминающие устройства -- ЗУ -- оперативные запоминающие устройства -- ОЗУ -- многорезистивная память -- MRAM-память -- PRAM-память -- резистивная память Аннотация: В последнее время внимание разработчиков электронной аппаратуры все больше привлекают новые типы энергозависимых запоминающих устройств (ЗУ), сопоставимых по быстродействию с ОЗУ и выдерживающих практически неограниченное число циклов перезаписи данных. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1) Свободны: эн.ф. (1) |
Наноразмерные флуктуации потенциала в SiO[x], синтезированном плазмохимическим осаждением [Текст] / Т. В. Перевалов, В. А. Володин, Ю. Н. Новиков [и др.] // Физика твердого тела. - 2019. - Т. 61, вып. 12. - С. 2528-2535 : 8 рис. - Библиогр. в конце ст. (33 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кристаллография в целом -- наноразмерные флуктуации -- оксид кремния -- плазмохимическое осаждение -- резистивная память -- флуктуации потенциала -- фотоэлектронная спектроскопия Аннотация: Работа посвящена исследованию атомной структуры и электронного спектра пленок a-SiO[x], нанесенных на кремниевые и стеклянные подложки методом плазмохимического осаждения. Доп.точки доступа: Перевалов, Т. В.; Володин, В. А.; Новиков, Ю. Н.; Камаев, Г. Н.; Гриценко, В. А.; Просвирин, И. П. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |