Блохин, А. М. Об алгоритме поиска распределения электрического потенциала в транзисторе DG-MOSFET [Текст] / А. М. Блохин, Б. В. Семисалов // Журнал вычислительной математики и математической физики. - 2013. - Т. 53, № 6. - С. 979-1003. - Библиогр.: c. 1003 . - ISSN 0044-4669
Рубрики: Математика Вычислительная математика Кл.слова (ненормированные): Пуассона уравнение -- алгоритм нахождения распределения электрического потенциала -- алгоритмы без насыщения -- гидродинамические модели -- интерполяционные полиномы -- матричные прогонки -- нелинейные уравнения -- нестационарные регуляризации -- распределение электрического потенциала -- сплайн-функции -- транзистор DG-MOSFET -- уравнение Пуассона -- электрический потенциал Аннотация: Предлагается и подробно описывается эффективный численный алгоритм для нахождения распределения электрического потенциала в транзисторе DG-MOSFET. В классе гидродинамических моделей, описывающих процесс переноса заряда в полупроводниках, содержится уравнение Пуассона для электрического потенциала. Вследствие нелинейности уравнений гидродинамических моделей, наличия в них малых параметров и специфических условий на границе области транзистора DG-MOSFET при поиске численных решений уравнения Пуассона возникают существенные сложности. Предлагается оригинальный алгоритм, основанный на методе установления и идеях схем без насыщения, позволяющий справиться с упомянутыми трудностями. Доп.точки доступа: Семисалов, Б. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |