Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путем постростовых воздействий [Текст] / Е. И. Малышева [и др.] // Физика твердого тела. - 2018. - Т. 60, вып. 11. - С. 2141-2146 : 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (8 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков--Россия--Нижний Новгород, 2018 г. Кл.слова (ненормированные): As/GaAs -- Ga -- Mn -- диоды -- постростовые воздействия -- рабочая температура диодов -- светоизлучающие диоды -- симпозиумы -- спиновые светоизлучающие диоды -- температура диодов Аннотация: Сформированы и исследованы спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащие ферромагнитные слои (Ga, Mn) As. Доп.точки доступа: Малышева, Е. И.; Дорохин, М. В.; Данилов, Ю. А.; Парафин, А. Е.; Ведь, М. В.; Кудрин, А. В.; Здоровейщев, А. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |