Брюховецкий, О. С. О перспективе использования возобновляемых источников энергии при производстве геолого-разведочных работ [Текст] / О. С. Брюховецкий, А. М. Лимитовский, М. В. Меркулов> // Известия вузов. Геология и разведка. - 2007. - N 3. - С. 79-80. - Библиогр.: с. 80 (3 назв. )
Рубрики: Энергетика Энергетические ресурсы--Россия Кл.слова (ненормированные): электроснабжение -- водонагревательные установки -- автономные электростанции -- солнечная энергия -- энергия ветра -- преобразователи солнечной энергии -- энергообеспечение -- возобновляемые источники энергии -- источники энергии -- геолого-разведочные работы -- малая энергетика -- гидроэнергетика -- малая гидроэнергетика -- ветроэнергетические установки -- буровые установки -- энергоисточники Аннотация: О преимуществах использования возобновляемых источников энергии. Доп.точки доступа: Лимитовский, А. М.; Меркулов, М. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Молекулярно-лучевая эпитаксия структур GaAs/Si (001) для высокоэффективных тандемных А{III}B{v}/Si-преобразователей солнечной энергии на активной кремниевой подложке [Текст] / М. А. Путято [и др. ]> // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 9. - С. 26-33. . - Библиогр.: c. 33 (21 назв. )
Рубрики: Машиностроение Отраслевое машиностроение Кл.слова (ненормированные): GaAs -- активная кремниевая подложка -- атомно-слоевая эпитаксия -- гетеропереход -- гетероструктуры -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- преобразователи солнечной энергии -- солнечная энергия -- солнечные элементы Аннотация: Для выращивания пленок GaAs с низкой плотностью прорастающих дефектов в представленной работе был предложен метод низкотемпературной атомно-слоевой эпитаксии GaAs на начальной стадии формирования гетероперехода GaAs/Si. Было показано, что рост пленки GaAs может протекать, минуя стадию образования островков, если первый монослой GaAs был сформирован методом атомно-слоевой эпитаксии при низкой температуре (200-350 С). Был найден режим выращивания пленок GaAs на Si с плотностью прорастающих дислокаций менее 10 {6} см{-2}, что соответствует лучшим мировым достижениям. Показано, что при выращивании гетероперехода GaAs/Si в приповерхностном слое кремния формируется р-n-переход. Это позволяет создать высокоэффективные каскадные преобразователи солнечной энергии на основе соединений А{III}B{v} на активной подложке Si в едином ростовом цикле. Доп.точки доступа: Путято, М. А.; Семягин, Б. Р.; Емельянов, Е. А.; Паханов, Н. А.; Преображенский, В. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Майоров, В. А. (кандидат технических наук). Исследование характеристик солнечного концентратора в установке с двигателем Стерлинга [Текст] / В. А. Майоров, В. А. Панченко> // Энергетик. - 2013. - № 2. - С. 40-42. - Библиогр.: с. 42 (12 назв.) . - ISSN 0013-7278
Рубрики: Энергетика Гелиоэнергетика Кл.слова (ненормированные): двигатель Стерлинга -- параболоидный концентрат -- солнечные излучения -- водяное охлаждение -- воздушное охлаждение -- преобразователи солнечной энергии -- технологии энергопреобразований -- энергоресурсы -- Стерлинга двигатель Аннотация: В составе с параболоидным концентратом солнечного излучения возможна эффективная работа двигателя Стерлинга. Доп.точки доступа: Панченко, В. А. (инженер) Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1) Свободны: эн.ф. (1) |