Шпак, Г. Выращивание материалов в космическом вакууме [Текст] / Г. Шпак, материал подгот. Я. Ренькас // Наука в России. - 2007. - N 5. - С. . 62-63
Рубрики: Техника--Материаловедение Техника--Космическая технология Кл.слова (ненормированные): вакуум -- космический вакуум -- многослойные структуры -- наноструктуры -- полупроводниковые структуры -- эпитаксиальные структуры Аннотация: Отечественными специалистами по космическому материаловедению была разработана программа фундаментальных исследований. Первым в ее перечне - разработка направления синтеза полупроводниковых многослойных эпитаксиальных структур в космическом вакууме. Доп.точки доступа: Ренькас, Я. \.\ Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Ворох, А. С. Гетеронаноструктура Cd (OH) [2]/СdS типа ядро-оболочка [Текст] / А. С. Ворох, Н. С. Кожевникова // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 419, N 1, март. - С. 58-64. - Библиогр.: с. 64
Рубрики: Химия Химическая термодинамика Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые структуры -- наногетероструктуры -- сульфидные наночастицы -- электролиты -- ионы кадмия -- гидроксид кадмия -- сульфид кадмия -- лиганды Аннотация: На примере гетеронаноструктуры Cd (OH) [2]/СdS впервые рассмотрен физически простой способ получения структур типа ядро-оболочка по одной реакции путем постепенной сульфидизации кристаллических частиц Cd (OH) [2], осажденных из водного щелочного раствора N[2]H[4]CS, и предложен метод оценки условий образования таких структур. Доп.точки доступа: Кожевникова, Н. С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Плазмонное усиление одиночных экситонных переходов в InGaN [Текст] / А. А. Торопов [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С. 66-69. - Библиогр.: c. 69 (15 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): ближнепольные оптические микроскопы -- квантовая оптика -- коллоидные растворы -- локализованные экситоны -- микро-фотолюминесценция -- осаждение золотых частиц -- полупроводниковые структуры -- спектры микро-фотолюминесценции -- твердые растворы -- химическое осаждение -- экситоны Аннотация: Экспериментально наблюдалось увеличение скорости спонтанной рекомбинации экситонов, локализованных в пленках твердого раствора InGaN, в результате взаимодействия с плазмоном, локализованным в золотой частице. Доп.точки доступа: Торопов, А. А.; Беляев, К. Г.; Кайбышев, В. Х.; Шубина, Т. В.; Жмерик, В. Н.; Иванов, С. В.; Копьев, П. С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Пунегов, В. И. Рассеяние рентгеновских лучей на многослойных структурах с квантовыми точками [Текст] / В. И. Пунегов, Н. Н. Фалеев // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 1. - С. 42-44. . - Библиогр.: c. 44 (7 назв. )
Рубрики: Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): диффузное рассеяние -- квантовые точки -- когерентное рассеяние -- лазерные сверхрешетки -- многослойные структуры -- полупроводниковые структуры -- рентгеновские лучи -- численное моделирование Аннотация: Исследовано рассеяние рентгеновских лучей на многослойных полупроводниковых структурах с квантовыми точками. Доп.точки доступа: Фалеев, Н. Н. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
СВЧ-РЭМ-метод наведенного тока [Текст] / А. Н. Бузынин [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 9. - С. 1312-1314. . - Библиогр.: c. 1314 (10 назв. )
Рубрики: Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): облучение -- полупроводниковые структуры -- пульсирующие зонды -- растровая электронная микроскопия -- СВЧ-РЭМ-метод -- СВЧ-сигналы -- электронные зонды Аннотация: Рассмотрены особенности исследования полупроводниковых структур в РЭМ с приставкой для регистрации вариаций СВЧ-сигнала при облучении пульсирующим электронным зондом образца, находящегося в поле СВЧ. Доп.точки доступа: Бузынин, А. Н.; Лукьянов, А. Е.; Лукьянов, Ф. А.; Рау, Э. И. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Новые режимы квазинейтрального переноса носителей заряда в полупроводниках и их влияние на характеристики полупроводниковых структур [Текст] / Мнацаканов Т. Т. [и др. ] // Электричество. - 2011. - N 10. - С. 16-23. : 4 рис. - Библиогр.: с. 22-23 (24 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): биполярные структуры -- квазинейтральный дрейф -- квазинейтральный перенос -- носители заряда -- плотность тока -- полупроводники -- полупроводниковые приборы -- полупроводниковые структуры Аннотация: Представлена модель новых режимов транспорта носителей заряда в полупроводниках в квазинейтральном приближении. Показано, что в дополнение к известным режимам - квазинейтральному дрейфу и диффузии, в полупроводниковых структурах могут быть реализованы новые режимы - диффузия, стимулированная квазинейтральным дрейфом (DSQD), аномальный квазинейтральный дрейф и аномальная DSQD. Получены уравнения, описывающие эти режимы, и проанализированы их основные свойства. Показано, что новые режимы могут изменить как статические, так и динамические характеристики приборов. Учет новых режимов переноса оказывается особенно актуальным для биполярных структур на основе новых материалов - карбида кремния и нитрида галлия, способных работать при высоких плотностях тока. Доп.точки доступа: Мнацаканов, Т. Т.; Тандоев, А. Г.; Юрков, С. Н.; Левинштейн, М. Е. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1) Свободны: эн.ф. (1) |
Двуреченский, А. В. Спиновые состояния электронов в ансамбле туннельно связанных квантовых точек [Текст] / А. В. Двуреченский, А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 2. - С. 218-222. - Библиогр.: c. 222 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): анизотропное обменное взаимодействие -- Бычкова-Рашба поле -- декогеренция -- квантовые точки -- кубиты -- поле Бычкова-Рашба -- полупроводниковые структуры -- резонансное туннелирование -- спиновая релаксация -- электронный парамагнитный резонанс Аннотация: Приведен анализ механизмов спиновой релаксации в полупроводниковых структурах с туннельно связанными квантовыми точками. Для квантовых точек, не имеющих оси инверсии относительно плоскости их залегания, выявлен вклад анизотропного обменного взаимодействия. Предложена пространственная конфигурация квантовых точек, для которых анизотропное обменное взаимодействие не дает вклада в декогеренцию спиновых состояний. Доп.точки доступа: Зиновьева, А. Ф.; Ненашев, А. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Влияние оже-рекомбинации на время жизни неравновесных носителей заряда в структурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb [Текст] / Л. Е. Воробьев [и др. ] // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 2. - С. 240-242. - Библиогр.: c. 242 (2 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- оже-рекомбинация -- оптические фотоны -- полупроводниковые структуры -- резонансная оже-рекомбинация -- фотолюминесценция Аннотация: Исследованы процессы рекомбинации носителей заряда, включая оже-рекомбинацию, в наноструктурах с квантовыми ямами InGaAsSb/AlGaAsSb. Из анализа динамики фотолюминесценции оценено время испускания оптического фонона, определена скорость рекомбинации при различных уровнях оптического возбуждения и оценен коэффициент, характеризующий скорость резонансной оже-рекомбинации. Доп.точки доступа: Воробьев, Л. Е.; Фирсов, Д. А.; Винниченко, М. Я.; Зерова, В. Л.; Мелентьв, Г. А.; Машко, М. О.; Shterengas, L.; Kipshidze, G.; Belenky, G.; Hosoda, T. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Максименко, С. Л. Анализ проблемы построения радиационно-стойких информационно-управляющих систем [Текст] / С. Л. Максименко, В. Ф. Мелехин, А. С. Филиппов // Информационно-управляющие системы. - 2012. - № 2 (57). - С. 18-25. - Библиогр.: с. 25 . - ISSN 1684-8853
Рубрики: Информатика Информационные системы с базами знаний Кл.слова (ненормированные): информационно-управляющие системы -- радиационные эффекты -- полупроводниковые структуры -- интегральные схемы -- библиотека элементов -- анализ проблемы построения Аннотация: Анализируется проблема повышения радиационной стойкости информационно-управляющих систем. Доп.точки доступа: Мелехин, В. Ф.; Филиппов, А. С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Васин, В. А. Контрольно-навигационная система современного сверхвысоковакуумного аналитико-технологического комплекса [Текст] / В. А. Васин, Е. Н. Ивашов, С. В. Степанчиков // Контроль. Диагностика. - 2012. - № 5. - С. 71-74. - Библиогр.: с. 74 (7 назв. ) . - ISSN 0201-7032
Рубрики: Радиоэлектроника Искусственный интеллект. Экспертные системы Кл.слова (ненормированные): контрольно-навигационные системы -- сверхвысоковакуумные комплексы -- аналитико-технологические комплексы -- системы координат -- обработка полупроводниковых структур -- полупроводниковые структуры -- l-координатные системы -- абсолютные координаты -- системы обратной связи Аннотация: Рассмотрены устройства для определения положения исполнительных систем оборудования в пространстве, в которых положение и движение определяются непосредственно в абсолютных координатах. Предложена контрольно-навигационная система для сверхвысоковакуумного аналитико-технологического комплекса обработки полупроводниковых структур в замкнутом цикле. Доп.точки доступа: Ивашов, Е. Н.; Степанчиков, С. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Кюрегян, А. С. Поперечная неустойчивость плоского фронта быстрых волн ударной ионизации [Текст] / А. С. Кюрегян // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 141, вып. 5. - С. 983-993 : рис. - Библиогр.: с. 993 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): ударная ионизация -- плоский фронт быстрых волн -- быстрые волны -- поперечная неустойчивость -- ВУИ -- волны ударной ионизации -- полупроводниковые структуры -- n-слой -- конечная концентрация -- p{+}-n-n{+} -- доноры Аннотация: Проведен теоретический анализ поперечной неустойчивости плоского фронта быстрых волн ударной ионизации (ВУИ) в полупроводниковых структурах p{+}-n-n{+} с конечной концентрацией N доноров в n-слое. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Дохтуров, В. В. Контроль параметров омических контактов в процессе их термообработки [Текст] / В. В. Дохтуров, В. И. Юрченко, А. В. Юрченко // Контроль. Диагностика. - 2012. - № 11. - С. 27-29. - Библиогр.: с. 29 (5 назв. ) . - ISSN 0201-7032
Рубрики: Техника Материаловедение Энергетика Электроизолирующие материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): контроль поверхности контактов -- омические контакты -- импульсная термообработка -- полупроводниковые структуры -- контроль сопротивления -- оптический метод контроля -- поверхностное сопротивление -- термическая обработка -- электрическое сопротивление -- оптический мониторинг Аннотация: Описан процесс импульсной термообработки омических контактов к полупроводниковым структурам с контролем сопротивления непосредственно в процессе термообработки. Доп.точки доступа: Юрченко, В. И.; Юрченко, А. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе Cd_xHg_1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 8. - С. 50-55 : рис. - Библиогр.: c. 55 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): КРТ МЛЭ -- гетероэпитаксиальные структуры -- зонная диаграмма -- квантовая яма -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наногетероструктуры -- полупроводниковые структуры -- фотолюминесценция структур Аннотация: Представлена теоретическая модель описания зонной диаграммы и спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных (ГЭС) структур на основе Cd_xHg_1-xTe (КРТ) с потенциальными и квантовыми ямами (КЯ), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Особенностью представленной модели является то, что в ней учтена зависимость электронного сродства от состава КРТ и температуры, а также композиционные зависимости концентраций электронов в собственном и дырок в вакансионно-легированном КРТ. Проведены расчёты и сравнение с экспериментальными данными спектров фотолюминесценции различных структур с КЯ, описанных в литературных источниках. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Горн, Д. И.; Ижнин, И. И.; Ижнин, А. И.; Гольдин, В. Д.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.; Сидоров, Ю. Г.; Якушев, М. В.; Варавин, В. С. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Агринская, Н. В. Влияние температуры и магнитного поля на беспорядок в полупроводниковых структурах [Текст] / Н. В. Агринская, В. И. Козуб // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2017. - Т. 151, вып. 2. - С. 364-371. - Библиогр. в конце статьи . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): беспорядок в полупроводниках -- квантовые ямы -- магнитные поля -- переход металл-диэлектрик -- полупроводники -- полупроводниковые структуры -- фазовые переходы Аннотация: Выполнен последовательный теоретический анализ различных факторов, которые могут приводить к влиянию температуры и внешнего магнитного поля на характер беспорядка в полупроводниковых структурах. Доп.точки доступа: Козуб, В. И. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |