Сердюков, О. Микроба уничтожит резонанс [Текст] / О. Сердюков // Изобретатель и рационализатор. - 2008. - N 3. - С. 6 : 2 фот.
Рубрики: Здравоохранение. Медицинские науки Общая терапия Общие вопросы здравоохранения Кл.слова (ненормированные): электромагнитные волны -- КВЧ-волны -- лечение заболеваний -- CEM TECH -- полупроводниковые материалы -- резонансная терапия -- медицинские приборы Аннотация: Прибор "CEM TECH" с помощью электромагнитных волн излечит самые различные заболевания. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : пат. (1) Свободны: пат. (1) |
Нестехиометрические дефекты в Si-легированных эпитаксиальных слоях GaAs, выращенных на подложках с ориентациями (111) A и (111) В [Текст] / Н. Г. Яременко [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 419, N 4, апрель. - С. 483-487. - Библиогр.: с. 487 (13 назв. )
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): галлий -- полупроводниковые материалы -- мышьяк -- кремний -- кристаллы Аннотация: Цель работы - изучение методом фотолюминесценции природы структурных дефектов. Доп.точки доступа: Яременко, Н. Г.; Галиев, Г. Б.; Карачевцева, М. В.; Мокеров, В. Г.; Страхов, В. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Перов, А. (канд. физико-мат. наук). Флэш-память: физика, применение и перспективы [Текст] / А. Перов // Наука и жизнь. - 2008. - N 3. - С. 38-41 : 1 фот., 4 рис. - Библиогр.: с. 41
Рубрики: Вычислительная техника Запоминающие устройства Кл.слова (ненормированные): флэш-память -- флэш-накопители -- транзисторы -- компьютерная память -- нанопроводы -- полупроводниковые материалы Аннотация: Флэш-память как одно из самых популярных в общем ряду устройств хранения данных. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Кац, Е. А. Полупроводниковые материалы на основе фуллеренов для прямого преобразования солнечной энергии в электричество [Текст]. Ч. 4. Органические солнечные элементы на основе фуллеренов и полупроводниковых полимеров / Е. А. Кац // Материаловедение. - 2008. - N 7. - С. 48-56
Рубрики: Химическая технология Высокомолекулярные соединения в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые материалы -- фуллерены -- полупроводниковые полимеры -- солнечные элементы -- сопряженные полимеры Аннотация: Рассматриваются структура, электрические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых материалов на основе фуллеренов, а также перспективы их применения в солнечных элементах - устройствах для прямого преобразования солнечной энергии в электричество. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Компьютерное конструирование новых неорганических соединений состава ABX[2] (X=S, Se, Te) [Текст] / Н. Н. Киселева [и др. ] // Материаловедение. - 2008. - N 12. - С. 34-41.
Рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): новые неорганические соединения -- халькогенидные соединения -- полупроводниковые материалы -- халькопириты -- термоэлектрические материалы Аннотация: Халькогенидные соединения состава ABX[2] (X=S, Se, Te) относятся к перспективному классу полупроводниковых материалов. Наиболее интересны нелинейно-оптические применения халькогенидов с общей формулой ABX[2]. Доп.точки доступа: Киселева, Н. Н.; Подбельский, В. В.; Рязанов, В. В.; Столяренко, А. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Баранов, Н. Н. О разработках термоэлектрических охлаждающих модулей и перспективах их развития на основе наноструктурированных материалов [Текст] / Баранов Н. Н., Макаров В. С., Серопян Г. В. // Электричество. - 2009. - N 4. - С. 66-69. : 1 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 68-69 (7 назв. )
Рубрики: Энергетика Электрические машины в целом Холодильная техника Кл.слова (ненормированные): материалы полупроводниковые -- наноструктурирование -- охлаждающие модули -- полупроводниковые материалы -- термоэлектрические охлаждающие модули -- термоэлектричество Аннотация: Дан анализ современного состояния разработок и промышленного применения термоэлектрических охлаждающих модулей. Показаны пути и перспективы существующего улучшения характеристик термоэлектрических преобразователей для получения холода путем использования наноструктурирования термоэлектрических материалов. Доп.точки доступа: Макаров, В. С.; Серопян, Г. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (заказ статей по ЭДД) (1) Свободны: эн.ф. (заказ статей по ЭДД) (1) |
Лучинин, Виктор. Отечественный полупроводниковый карбид кремния: шаг к паритету [Текст] / Виктор Лучинин, Юрий Таиров // Современная электроника. - 2009. - N 7. - С. 12-15. : 9 рис. - Библиогр.: с. 6 (15 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника--Россия Электроника в целом--Россия Кл.слова (ненормированные): гетероэпитаксиальные композиции -- карбид кремния -- карбидокремниевая электроника -- полупроводниковая промышленность -- полупроводниковая электроника -- полупроводниковые материалы Аннотация: История создания и развития отечественного метода производства перспективного материала для полупроводниковой промышленности и специальной техники. Доп.точки доступа: Таиров, Юрий Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1) Свободны: эн.ф. (1) |
Электронные технологии на орбите Земли [Текст] / материал подгот. Ярослав Ренькас // Наука в России. - 2009. - N 5. - С. 20-22 : 3 фот. - По материалам ст.: Шпак, Г. "МАКС", "Мрия" и космическая фабрика / Г. Шпак // Наука в Сибири. - 2009. - N 14. . - ISSN 0869-706Х
Рубрики: Транспорт Космонавтика в целом Кл.слова (ненормированные): батареи солнечные -- космические минифабрики -- материалы полупроводниковые -- микроэлектроника -- минифабрики -- наноэлектроника -- полупроводниковые материалы -- солнечные батареи -- технологии электронные -- электронные технологии Аннотация: Намечены основные приоритеты развития отечественной аэрокосмической отрасли. В планах, в частности, указывается о создании космических минифабрик для массового производства полупроводниковых материалов для микро- и наноэлектроники. Доп.точки доступа: Ренькас, Я. \.\; Шпак, Г. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Шаров, А. Отечественному транзистору уже 60 лет [Текст] : что способствовало его появлению / А. Шаров // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2009. - N 5. - С. 118-119 . - ISSN 1992-4178
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): история электроники -- ученые -- транзисторы -- конференции -- электронная промышленность -- полупроводниковые материалы -- микроэлектроника Аннотация: Материал посвящен научно-практической конференции "60 лет отечественному транзистору". Были представлены работы по исследованию и получению полупроводниковых материалов необходимой чистоты, созданию первых транзисторов, развитию микроэлектроники и обозримым перспективам развития отрасли в будущем. Доп.точки доступа: 60 лет отечественному транзистору, конференция; Шестьдесят лет отечественному транзистору, конференция Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1) Свободны: эн.ф. (1) |
Синтез полимерных композитов на основе нанокристаллических ZnO и CeO[2] [Текст] / В. К. Иванов и [др. ] // Доклады Академии наук. - 2010. - T.431, N 5. - С. 630-633. - Библиогр.: с. 633 . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Химия Коллоидная химия в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые материалы -- коллоидные растворы -- наночастицы -- микроморфология композитов Аннотация: Предложены методы получения функциональных полимерных нанокомпозитов с применением коллоидных растворов оксидов цинка и церия. Доп.точки доступа: Иванов, В. К.; Шапорев, А. С.; Кирюхин, Д. П.; Большаков, А. И.; Гиль, Д. О.; Кичигина, Г. А.; Козик, В. В.; Бузик, В. М.; Третьяков, Ю. Д. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Попов, Ю. М. История создания инжекционного лазера [Текст] / Ю. М. Попов // Успехи физических наук. - 2011. - Т. 181, N 1. - С. 102-107. : 3 рис., 2 фот. - Библиогр.: с. 107 (16 назв. ). - Материалы научной сессии совместного заседания Отделения физических наук Российской академии наук и ученых советов Физического института им. П. Н. Лебедева и Института общей физики им. А. М. Прохорова Российской академии наук
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): оптика -- лазеры -- оптическое излучение -- полупроводниковые материалы -- лазерная техника -- электрические поля -- сессии Аннотация: Роль инжекционных лазеров - это волоконно-оптическая связь, лазерные принтеры, высокоемкая память на оптических дисках, многочисленные приборы для медицины, технологические установки, позволяющие производить обработку лазерным лучом различных материалов. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Модельное представление пропускания мощного импульсного лазерного ИК-излучения в области фундаментального поглощения в эпитаксиальных слоях Cd[x]Hg[1-x]Tе [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 9. - С. 54-58. . - Библиогр.: c. 58 (8 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): импульсное лазерное излучение -- поглощения полупроводниковой структурой -- полупроводниковые материалы -- пропускание лазерного ИК-излучения -- тепловой нагрев -- фундаментальное поглощение -- эпитаксиальный Cd[x]Hg[1-x]Tе Аннотация: Представлена модель изменения пропускания мощных лазерных импульсов с учетом изменения с температурой оптических параметров материала Cd[x]Hg[1-x]Tе. Рассчитаны тепловые поля, профили коэффициента поглощения и пропускание полупроводниковой эпитаксиальной структуры. Проведено сравнение с экспериментальными данными на длине волны лазера на углекислом газе. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Шульга, С. А.; Средин, В. Г.; Талипов, Н. Х. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Демкин, В. П. Получение нанокристаллических слоев в монокристаллическом кремнии в плазме высоковольтного разряда пучкового типа [Текст] / В. П. Демкин, С. В. Мельничук, Б. С. Семухин // Известия вузов. Физика. - 2010. - Т. 53, N 11. - С. 33-36. . - Библиогр.: с. 36 (10 назв. )
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): Si-H-слой в n-кремнии -- водородосодержащая плазма -- монокристаллический кремний -- наноструктурные комплексы Si-H -- наноструктурные слои -- полупроводниковые материалы -- удельное сопротивление полупроводниковых материалов Аннотация: Приведены результаты исследований образования наноструктурных комплексов водород - кремний в приповерхностном слое монокристаллического кремния при его обработке в водородосодержащей плазме. С помощью ИК- и оже-спектроскопии показано, что только при малых временах обработки происходит образование нанослоев и, как следствие, экстремальное изменение удельного сопротивления приповерхностного слоя. Доп.точки доступа: Мельничук, С. В.; Семухин, Б. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Суетин, Д. В. Структурно-индуцированный переход полупроводник-металл в моносульфиде свинца PbS: Ab initio расчеты [Текст] / Д. В. Суетин [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2011. - Т. 437, N 3, март. - С. 356-359. : 3 рис. - Библиогр.: с. 359 (13 назв. )
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): моносульфиды свинца -- кубические моносульфиды -- проводящие свойства материалов -- свинец -- полупроводниковые материалы -- структурно-индуцированные переходы Аннотация: Впервые обнаружен структурно-индуцированные проводник полупереход-металл, связанный со смещение атомов серы. Доп.точки доступа: Шеин, И. Р.; Бамбуров, Б. Г.; Ивановский, А. Л. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Плужников, Владимир. Когда-то в ноябре [Текст] / В. Плужников // Изобретатель и рационализатор. - 2011. - N 11. - 3-я с. обл. : 2 рис.
Рубрики: Техника История техники Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые материалы -- монокристаллические предприятия -- история предприятий -- история изобретений -- изобретатели -- календари знаменательных дат -- литографические предприятия -- биографические сведения Аннотация: О знаменательных событиях и людях, внесших неоценимый вклад в развитие науки и техники и родившихся в ноябре. Доп.точки доступа: Бочкарев, Э. П. (физикохимик); Зенефельдер, И. (изобретатель литографии) Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : пат. (1) Свободны: пат. (1) |
Романова, И. Мощные сверхъяркие светодиоды компании Cree на российском рынке [Текст] / И. Романова // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2011. - № 8. - С. 58-64.
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- сверхъяркие светодиоды -- компании -- бытовая аппаратура -- военная аппаратура -- промышленная аппаратура -- космическая аппаратура -- полупроводниковые материалы Аннотация: Благодаря уникальным технологиям производства полупроводниковых материалов, продукция Cree отличается высокими надежностью и электрическими характеристиками, что делает возможным ее применение как в бытовой и промышленной, так и в военной и космической аппаратуре. Доп.точки доступа: Cree, компания Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1) Свободны: эн.ф. (1) |
Белогорохов, А. И. Ферромагнитные полупроводниковые материалы: методы исследования и контроля параметров (обзор) [Текст] / А. И. Белогорохов, А. Ф. Орлов, Ю. Н. Пархоменко // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2012. - Т. 78, № 6. - С. 28-34. - Библиогр.: с. 34 (17 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Магнетизм Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): ферромагнитные полупроводниковые материалы -- полупроводниковые материалы -- ферромагнитные полупроводники -- методы контроля -- спиновая электроника -- ферромагнетизм -- намагниченность -- обзоры Аннотация: Описаны методы, используемые на стадии разработки и при контроле параметров опытных образцов ферромагнитных полупроводниковых материалов. Доп.точки доступа: Орлов, А. Ф.; Пархоменко, Ю. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Алексейчик, Л. В. Исследование электрофизических параметров образцов оптических материалов в дециметровом диапазоне длин волн [Текст] / Алексейчик Л. В., Бутырин П. А., Шакирзянов Ф. Н. // Известия Российской академии наук. Энергетика. - 2012. - № 6. - С. 75-82 : ил. - Библиогр.: с. 82 (5 назв.) . - ISSN 0002-3310
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): оптические материалы -- электрофизические параметры -- полупроводники -- диэлектрические свойства -- полупроводниковые материалы -- селенид цинка -- германий -- дециметровый диапазон волн -- диапазон сверхвысоких частот -- резонаторы -- диэлектрические резонаторы Аннотация: Полупроводники, занимая промежуточное положение между проводниками и диэлектриками, обладают свойствами и проводников, и диэлектриков. Работ, посвященных рассмотрению диэлектрических свойств полупроводниковых материалов, мало. В настоящей работе исследуются диэлектрические свойства селенида цинка и германия в дециметровом диапазоне длин волн. Результаты исследования свидетельствуют о возможности применения этих материалов в новых перспективных направлениях СВЧ-электротехники. Доп.точки доступа: Бутырин, П. А.; Шакирзянов, Ф. Н. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1) Свободны: эн.ф. (1) |
Появление поглощения в видимой области у СВЧ-индуцированного диэлектрика гиббсита [Текст] / О. П. Криворучко [и др.] // Доклады Академии наук. - 2013. - Т. 450, № 3, май. - С. 304-308 : 3 рис., 1 табл. - Библиогр. : с. 308 (13 назв.) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): диэлектрики -- полупроводники -- гидроксиды -- оптические свойства -- рентгенофазовый анализ -- полупроводниковые материалы Аннотация: Рассмотрен обнаруженный необычный эффект уменьшения ширины запрещенной зоны в диэлектрике (гидроксиде алюминия) при внутриобъемной аморфизации его микрокристаллов путем воздействия СВЧ-излучения с постоянными величинами подаваемой мощности и частоты, но с различным временем облучения. Доп.точки доступа: Криворучко, О. П.; Жужгов, А. В.; Ларина, Т. В.; Пармон, В. Н. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Латухина, Н. Новые перспективы старых материалов: кремний и карбид кремния [Текст] / Н. Латухина, В. Чепурнов, Г. Писаренко // Электроника: наука, технология, бизнес. - 2013. - № 4. - С. 104-110 . - ISSN 1992-4178
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые материалы -- пористый кремний -- карбид кремния -- физико-химические свойства -- кристаллические решетки -- искусственная сетчатка глаза Аннотация: Один из перспективных полупроводниковых материалов – пористый кремний (ПК), который обладает уникальными физико-химическими свойствами и в то же время является одним из самых распространенных материалов в природе. В статье рассмотрено применение ПК для построения ФЭП и искусственной сетчатки глаза, а также в гетероструктурах карбид кремния на кремнии, что позволяет решить проблему согласования кристаллических решеток гетеропары и улучшить качество структур. Доп.точки доступа: Чепурнов, В.; Писаренко, Г. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1) Свободны: эн.ф. (1) |