Воронков, Э. Н. Напряжение переключения элементов памяти с фазовми переходами [Текст] / Э. Н. Воронков // Вестник Московского энергетического института. - 2007. - N 4. - С. . 105-108. - Библиогр.: с. 108 (5 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники Кл.слова (ненормированные): фазовые переходы -- полевая эмиссия -- проводимость -- расчеты -- микросхемы -- пороговое напряжение Аннотация: Для схем энергозависимой памяти с фазовыми переходами на основе модели полевой эмиссии с ловушек выполнен расчет напряжения переключения элемента памяти из состояния с высоким сопротивлением в состояние с высокой проводимостью. Результаты расчета находятся в удовлетворительном соответствии с экспериментальными данными. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : эн.ф. (1) Свободны: эн.ф. (1) |
Хоконов, А. Х. Полевая эмиссия через границу раздела двух неполярных диэлектриков [Текст] / А. Х. Хоконов, Л. А. Хамукова // Известия РАН. Серия физическая. - 2012. - Т. 76, № 7. - С. 861-862. - Библиогр.: c. 862 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): неполярные диэлектрики -- неравновесные электроны -- полевая эмиссия -- поперечная энергия электронов -- потенциальные барьеры -- туннелирование Аннотация: Изучена вероятность прохождения электронов через границу раздела двух неполярных диэлектриков. В аналитической форме получен нижний предел вероятности туннелирования через потенциальный барьер. Доп.точки доступа: Хамукова, Л. А. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |