Дохтуров, В. В. Контроль параметров омических контактов в процессе их термообработки [Текст] / В. В. Дохтуров, В. И. Юрченко, А. В. Юрченко // Контроль. Диагностика. - 2012. - № 11. - С. 27-29. - Библиогр.: с. 29 (5 назв. ) . - ISSN 0201-7032
Рубрики: Техника Материаловедение Энергетика Электроизолирующие материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): контроль поверхности контактов -- омические контакты -- импульсная термообработка -- полупроводниковые структуры -- контроль сопротивления -- оптический метод контроля -- поверхностное сопротивление -- термическая обработка -- электрическое сопротивление -- оптический мониторинг Аннотация: Описан процесс импульсной термообработки омических контактов к полупроводниковым структурам с контролем сопротивления непосредственно в процессе термообработки. Доп.точки доступа: Юрченко, В. И.; Юрченко, А. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Оценка характеристик однофотонного детектора в зависимости от параметров сверхпроводящей пленки W[x]Si[1-x] [Текст] / С. Ю. Хыдырова, И. А. Степанов, Д. Д. Васильев, К. М. Моисеев // Физика твердого тела. - 2021. - Т. 63, вып. 9. - С. 1372-1375 : 3 рис. - Библиогр. в конце ст. (14 назв.) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом--Россия--Нижний Новгород, 2021 г. Кл.слова (ненормированные): кристаллография в целом -- критическая температура -- международные симпозиумы -- однофотонные детекторы -- поверхностное сопротивление -- сверхпроводимость -- сверхпроводящая нанопроволока -- симпозиумы -- тонкие пленки Аннотация: Проведен расчет эффективности поглощения, пороговой длины волны и длительности импульса напряжения сверхпроводникового однофотонного детектора в зависимости от поверхностного сопротивления R[s] и критической температуры T[c] пленки W[x]Si[1-x]. Доп.точки доступа: Хыдырова, С. Ю.; Степанов, И. А.; Васильев, Д. Д.; Моисеев, К. М.; Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"; "Нанофизика и наноэлектроника", международный симпозиум Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : н.з. (1) Свободны: н.з. (1) |