Салащенко, Н. Н. Проект изготовления российского ЭУФ-нанолитографа для производства СБИС по технологическим нормам 22 нм [Текст] / Н. Н. Салащенко, Н. И. Чхало // Известия РАН. Серия физическая. - 2011. - Т. 75, N 1. - С. 49-53. : рис. - Библиогр.: с. 53 (12 назв. )
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура оптики Транспорт Транспортные сооружения Кл.слова (ненормированные): массовое производство -- нанолитографы -- наноэлектроника -- оптические элементы -- опытное производство -- отражательные маски -- проекты -- проекционная ЭУФ-литография -- промышленные сканеры -- фоторезисторы -- экстремальное ультрафиолетовое излучение Аннотация: Сообщается о разрабатываемом проекте создания отечественного нанолитографа с рабочей длиной волны лямбда=13. 5 нм для производства элементной базы наноэлектроники (чипов) по технологическим нормам 32-22 нм на первом этапе и 22-16 нм - на втором. Доп.точки доступа: Чхало, Н. И. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |