Блохин, А. М. Конструирование вычислительных алгоритмов для задачи о баллистическом диоде [Текст] / А. М. Блохин, А. С. Ибрагимова, Б. В. Семисалов // Журнал вычислительной математики и математической физики. - 2010. - Т. 50. N 1. - С. 188-208. - Библиогр.: с. 207-208 . - ISSN 0044-4669
Рубрики: Вычислительная математика Математика Кл.слова (ненормированные): баллистические диоды -- вычислительные алгоритмы -- гидродинамические модели -- интерполяционные кубические сплайны -- методы установления -- нестационарные регуляризации -- ортогональные прогонки -- схемы предиктор-корректор Аннотация: Предлагаются и подробно описываются численные алгоритмы для нахождения стационарных решений одной гидродинамической модели переноса заряда в полупроводниках. Доп.точки доступа: Ибрагимова, А. С.; Семисалов, Б. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |
Блохин, А. М. Об алгоритме поиска распределения электрического потенциала в транзисторе DG-MOSFET [Текст] / А. М. Блохин, Б. В. Семисалов // Журнал вычислительной математики и математической физики. - 2013. - Т. 53, № 6. - С. 979-1003. - Библиогр.: c. 1003 . - ISSN 0044-4669
Рубрики: Математика Вычислительная математика Кл.слова (ненормированные): Пуассона уравнение -- алгоритм нахождения распределения электрического потенциала -- алгоритмы без насыщения -- гидродинамические модели -- интерполяционные полиномы -- матричные прогонки -- нелинейные уравнения -- нестационарные регуляризации -- распределение электрического потенциала -- сплайн-функции -- транзистор DG-MOSFET -- уравнение Пуассона -- электрический потенциал Аннотация: Предлагается и подробно описывается эффективный численный алгоритм для нахождения распределения электрического потенциала в транзисторе DG-MOSFET. В классе гидродинамических моделей, описывающих процесс переноса заряда в полупроводниках, содержится уравнение Пуассона для электрического потенциала. Вследствие нелинейности уравнений гидродинамических моделей, наличия в них малых параметров и специфических условий на границе области транзистора DG-MOSFET при поиске численных решений уравнения Пуассона возникают существенные сложности. Предлагается оригинальный алгоритм, основанный на методе установления и идеях схем без насыщения, позволяющий справиться с упомянутыми трудностями. Доп.точки доступа: Семисалов, Б. В. Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ч.з. (1) Свободны: ч.з. (1) |